李艳平
- 作品数：32 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法
- 本发明公开了一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法。本发明基于二维半导体材料薄膜，二维半导体材料薄膜与源电极和漏电极的侧壁接触，沟道的长度仅由源电极与漏电极间的绝缘层的厚度决定；本发明不需要采用电子束曝光、深紫外...
- 戴伦贾雄辉程智轩李艳平
- 基于纳米线的液体折射率探针及其探测系统和探测方法
- 本发明公开了一种基于纳米线的液体折射率探针及其探测系统和探测方法。本发明采用纳米线探针测量液体的折射率，不需要复杂的耦合激发装置，同时避免了贵金属的使用，因此可以大幅降低成本；此外，纳米线探针测量过程中避免了激光强光源的...
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- 文献传递
- 利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
- 本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅；2）在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导，得到一硅波导阵列；3）...
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- 文献传递
- 边发射激光芯片与硅光芯片中光波导的耦合结构及方法
- 本发明涉及一种边发射激光芯片与硅光芯片中光波导的耦合结构及方法，属于光子集成领域，通过将边发射激光芯片倾斜装焊在硅光芯片之上，把倾斜输出的光直接投射到硅光波导入射光栅上，对激光芯片和硅光芯片的结构和加工工艺无特殊要求，对...
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- 水热法制备不同形貌的Bi_2S_3微/纳米材料被引量：2
- 2017年
- 采用一步水热法,不需要任何的模板和表面活性剂,仅通过改变反应溶剂,成功地制备出了不同形貌的正交相Bi_2S_3微/纳米材料。利用XRD、FE-SEM、TEM、HR-TEM和SAED对其结构和形貌进行了表征,对所制备的Bi_2S_3微/纳米材料的形成机理进行了探讨。吸收光谱的测量表明,由于尺寸效应,Bi_2S_3微/纳米材料的帯隙与体材料相比均发生了明显的蓝移。
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- 关键词：水热法形貌表征
- 一种硅基激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种硅基激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本发明的激光器包括刻蚀有波导结构的SOI，化合物半导体激光器结构；所述激光器结构的键合面上依次设有周期分布的条形SiO<Sub>2</Sub>结构，相互导通...
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- 室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法
- 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散...
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- 一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法
- 本发明公开了一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法。利用磁控溅射共蒸的方法在基底上沉积一层掺有杂质元素的Mo薄膜，将该掺杂Mo薄膜放入化学气相沉积设备中，通过控制温度和时间生长掺有杂质元素的大面积连续二维半导体碲化钼薄膜...
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- 一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法
- 本发明公开了一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法。本发明基于二维半导体材料薄膜，二维半导体材料薄膜与源电极和漏电极的侧壁接触，沟道的长度仅由源电极与漏电极间的绝缘层的厚度决定；本发明不需要采用电子束曝光、深紫外...
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- 基于表面等离基元超材料的TM偏振Ⅲ-V/Si混合激光器
- <正>由于Ⅲ-V族材料的能带特点,无应变或压应变量子阱激光器发出的通常为TE模式的光,而TM模式的光有包括偏振复用在内的多种应用前景。为此,我们采用了表面等离基元超材料,基于一种全新的偏振转换原理,制作了以TM偏振模式为...
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