李明华 作品数:77 被引量:47 H指数:4 供职机构: 北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 北京市自然科学基金 国家教育部博士点基金 更多>> 相关领域: 理学 电气工程 一般工业技术 金属学及工艺 更多>>
一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法,涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为:缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层;然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度,而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高... 于广华 丁雷 滕蛟 李明华 冯春NiFeCr/NiFe/MgO/Ta薄膜制备及热处理研究 被引量:2 2013年 采用磁控溅射制备了NiFeCr(4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD结果表明,薄膜不仅具有很强的NiFe(111)织构,同时还出现了MgO的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。 李明华 李伟 滕蛟 于广华关键词:MGO 各向异性磁电阻 退火 一种光电化学电池光阳极的制备方法 本发明提供了一种光电化学电池光阳极的制备方法。所述的光阳极是一种复合结构,包括α‑Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层、中间层、析氧催化剂层。在制备电极时,先通过加热二茂铁直接得到α‑Fe<Sub>2... 闫小琴 程晓琴 白智明 郇亚欢 李明华 纪箴表面活性剂Bi对自旋阀多层膜交换耦合场的影响及其微结构分析 2008年 采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度的Bi原子能够有效地提高交换耦合场,沉积过量的Bi原子会导致交换耦合场下降.X射线光电子能谱分析结果表明:沉积在Cu/NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe层表面的偏聚;当沉积过量的Bi原子时,Bi原子会进一步迁移到FeMn中,形成杂质,从而破坏了FeMn的反铁磁性,使交换耦合场降低. 杜中美 蔡永香 丁雷 朱熠 李明华 滕蛟 于广华关键词:表面活性剂 X射线光电子能谱 一种提高交换偏置薄膜磁性和热稳定性的方法 一种改善交换偏置薄膜性能的制备方法,属于磁性薄膜领域。其特征利用非磁性粒子(纳米氧化物或者金属)稀释AFM材料,调节界面未补偿磁矩的数量和状态,减小AFM材料的晶粒尺寸,提高目前现有交换偏置体系的性能。采用磁控溅射方法制... 李明华 于广华 刘洋 腾蛟 冯春文献传递 插层Bi对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响及其XPS分析 2005年 在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低。为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层。实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场提高1倍。XPS分析表明,在Cu/NiFe界面沉积的插层Bi有效地抑制了Cu在NiFe表面的偏聚,提高了交换偏置场。 李明华 于广华 朱逢吾 曾德长 赖武彦准直准单能靶面电子加速实验研究 2015年 实验上使用大能量、亚ps激光脉冲大角度入射固体靶,获得了沿靶面方向定向传播、发散角仅有2°、峰值能量为3–4 Me V的准直、准单能电子束.实验发现激光对比度对靶面电子束的产生起到了至关重要的作用,最佳的对比度为5×10-6.在此最优化条件下,通过背向散射光谱分析发现,共振吸收激发的等离子体波加速可能是电子的主要加速机制.探针光阴影成像及等离子体自发光的精细结构显示,预脉冲与固体靶相互作用中产生了尺度100μm左右的过临界密度预等离子体.这种等离子体的作用类似于等离子体反射镜,使得激光脉冲被限制在预等离子体区与靶面之间,因而最终造成了电子束沿靶面方向的导引.这种靶面电子束因其合适的能量范围、高度的准直性及沿靶面方向定向传播的特性有望在惯性约束聚变尤其是锥靶快点火中得到应用. 马勇 李明华 陈黎明关键词:超短超强激光 等离子体 一种利用大弹性应变提高磁记录薄膜的剩磁比的方法 本发明涉及磁记录薄膜的制备方法,特别是提供了一种利用记忆合金基底的大弹性应变对磁性颗粒的晶格取向的调控作用,提高磁记录薄膜的剩磁比的方法。所述方法是:在预拉伸的TiNiNb记忆合金基片上依次沉积FePt原子和Ta原子,沉... 冯春 李许静 于广华 李明华一种弹性可穿戴应变传感器及其制备方法 本发明提供了一种弹性可穿戴应变传感器及其制备方法,该传感器主要包括:导电粉末、弹性基底、一对位于弹性基底两端的电极,所述制备方法包括步骤:(1)将导电粉末涂覆在半固化的弹性基底表面上;(2)将表面粘附有导电粉末的半固化弹... 张跃 廖新勤 廖庆亮 李明华 梁齐杰文献传递 具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合 被引量:6 2002年 用磁控溅射方法制备了NiFeⅠ FeMn Bi NiFeⅡ 薄膜 ,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ 及NiFeⅡ 间的交换偏置场Hex相对于分隔层Bi厚度的变化 .发现随分隔层Bi厚度的增加 ,FeMn与NiFeⅠ 间的交换偏置场Hex1 几乎不变 ,FeMn与NiFeⅡ 间的交换偏置场Hex2 急剧减小 .当Bi的厚度超过 0 6nm时 ,FeMn与NiFeⅡ 之间的交换偏置场从 6 92 5下降为 0 876kA·m- 1 .x射线光电子能谱 (XPS)分析表明 ,沉积在FeMn NiFeⅡ 界面的Bi并没有全部停留在界面处 ,至少有部分偏聚到NiFeⅡ 李明华 于广华 何珂 朱逢吾 赖武彦关键词:BI 交换偏置 织构 XPS 铁磁薄膜