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李佳伟

作品数：11 被引量：15H指数：2
供职机构：四川大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 9篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇晶体
  • 6篇砷
  • 6篇锗
  • 4篇单晶
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶合成
  • 3篇单晶生长
  • 3篇镉
  • 2篇气相
  • 2篇温区
  • 2篇硒化镉
  • 2篇晶体生长
  • 1篇单晶体
  • 1篇电阻率
  • 1篇英文
  • 1篇射线衍射
  • 1篇物相
  • 1篇物相分析
  • 1篇相分析
  • 1篇密度泛函

机构

  • 11篇四川大学

作者

  • 11篇李佳伟
  • 11篇朱世富
  • 11篇赵北君
  • 8篇何知宇
  • 7篇陈宝军
  • 3篇张熠
  • 3篇黄巍
  • 3篇杜文娟
  • 2篇叶林森
  • 2篇钟雨航
  • 2篇王瑞林
  • 2篇任锐
  • 2篇温才
  • 2篇邓江辉
  • 2篇郭楠
  • 1篇张顺如
  • 1篇虞游

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料工程
  • 1篇2006全国...
  • 1篇第15届全国...

年份

  • 2篇2015
  • 5篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2006
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双温区生长CdSe单晶及其红外表征
硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长出Φ15×40mm，电阻率为107～108(Ω.cm)量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD...
叶林森赵北君朱世富何知宇任锐王瑞林钟雨航温才李佳伟
关键词：硒化镉晶体生长
文献传递
CdGeAs2晶体的光学性质研究
CdGeAs2晶体是一种性能优异的三元Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族黄铜矿类半导体化合物。它具有非常优异的非线性光学性质,如极高的非线性光学系数(236pmV-1)、较宽的红外透过范围(2.3～18μm)以及相位匹配转换发生所必需的双折...
朱世富杜文娟赵北君何知宇李佳伟张顺如张熠
关键词：密度泛函理论光学性质
文献传递
双温区生长CdSe单晶及其红外表征被引量：4
2006年
硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了φ15mm×40mm，电阻率为10^7～10^8（Ω·cm）量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体（110）解理晶片进行XRD、红外透过测试，结果显示：硒化镉单晶体完整性好，红外透过率〉62％，表明用二步提纯，在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体，能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比。
叶林森赵北君朱世富何知宇任锐王瑞林钟雨航温才李佳伟
关键词：硒化镉晶体生长电阻率
砷锗镉多晶合成及X射线衍射分析被引量：1
2010年
以高纯(6N)Cd、Ge、As单质,按CdGeAs2化学计量比配料,应用传统工艺合成出砷锗镉(CdGeAs2)多晶材料。采用Rietveld法,对合成的CdGeAs2多晶粉末进行了X射线衍射分析及其全谱拟合精修,发现合成材料中含有微量Cd2GeAs4杂相,讨论了Cd2GeAs4产生的原因。为了消除微量杂相,设计出高温熔体机械和温度振荡相结合的方法,并采用新方法成功地合成出高纯单相的CdGeAs2多晶材料。
张熠朱世富赵北君何知宇陈宝军杜文娟李佳伟黄巍
关键词：多晶合成X射线衍射分析
CdGeAs_2多晶合成与单晶生长研究被引量：6
2010年
对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多品合成和单品生长进行了研究．以高纯（99．9999％）As、Ge、Cd为原料，按照CdGeAs，化学计量比并适当富Cd、As配料，采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法合成出CdGeAs2多品材料，使用改进的坩埚下降法生长山Ф15mm×45mm、外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体．XRD全谱拟合精修、红外傅里叶分光光度计测试分析表明：合成的CdGeAs2晶体具有单相四方黄铜矿结构，晶格常数为a=b=0．5946nm，c=1．1217nm；生长出的CdGeAs2单晶体结构完整，结品性好，晶体的易解理面为（101）面，红外透明范围589－4250cm^-1，拟合计算出CdGeAs2晶体的禁带宽度为0．67eV．
何知宇赵北君朱世富陈宝军李佳伟张熠杜文娟
关键词：多晶合成单晶生长XRD分析
CdGeAs_2多晶合成研究被引量：2
2010年
以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs_2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs_2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs_2多晶.用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs_2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs_2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃.根据DTA分析结果设计CdGeAs_2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为Φ15 mm× 45 mm的CdGeAs_2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现{101}面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好.
郭楠朱世富赵北君何知宇陈宝军李佳伟邓江辉
关键词：多晶合成单晶生长布里奇曼法
CdGeAs2多晶合成与单晶生长研究
CdGeAs2是一种性能优异的中红外非线性光学材料,属Ⅱ-Ⅳ-V2族黄铜矿类半导体化合物,42m点群,熔点约为662℃。在已知红外晶体中,CdGeAs2晶体具有最大的非线性光学系数(d36=236pm/V),宽的红外透过...
何知宇朱世富赵北君陈宝军李佳伟
关键词：多晶合成物相分析单晶生长
文献传递
CdGeAs_2晶体的表面XPS表征及表面损伤层测定（英文）被引量：1
2015年
采用改进的布里奇曼法生长出尺寸为Φ15 mm×45 mm,外观完整无开裂的Cd Ge As2单晶体。为了提高器件的使用性能,需要对晶体进行表面处理,主要对Cd Ge As2晶片表面的抛光技术进行了研究。通过对解理面切割分析得到(101)晶面,机械抛光后进行了XPS分析。对该晶面采用溴甲醇溶液进行腐蚀抛光,采用XRD回摆及光学显微镜对不同抛光时间的试样进行观测。结果表明,CGA晶体的(101)晶面在常温下采用溴甲醇溶液腐蚀50 s后,晶片表面光滑无划痕,并且具有半峰宽较小的回摆曲线,同时计算得到Cd Ge As2晶体的表面损伤层厚度。
李佳伟朱世富赵北君何知宇陈宝军
关键词：XPS
CdGeAs_2晶体的蚀坑形貌观察
2010年
采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs2)单晶片(101)面蚀坑形貌。选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs2晶片。报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO3∶H2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs2晶体(101)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌呈取向一致的等腰三角形,边界清晰,具有立体感,并从理论上分析讨论了(101)面三角形蚀坑的形成原因。
邓江辉赵北君朱世富何知宇郭楠李佳伟
CdGeAs_2单晶体的腐蚀研究被引量：1
2010年
报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30%)∶NH4OH(含NH325%-28%)∶NH4Cl(5mol/L)∶H2O=1 mL∶1.5 mL∶1.5 mL∶2 mL。将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察。结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论。
黄巍赵北君朱世富何知宇陈宝军李佳伟虞游
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