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尤四方

作品数：1 被引量：9H指数：1
供职机构：中国科学技术大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子束光刻
  • 1篇光刻
  • 1篇MONTE

机构

  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇尤四方
  • 1篇丁泽军
  • 1篇孙霞
  • 1篇肖沛

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
电子束光刻的邻近效应及其模拟被引量：9
2006年
用MonteCarlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因素———邻近效应的影响.分析了入射电子束的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响,并与实验结果进行了比较,发现模拟结果与实验结果符合得很好.分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大;衬底原子序数越大,衬底越厚,入射电子束能量越低,邻近效应越大.
孙霞尤四方肖沛丁泽军
关键词：电子束光刻MONTE
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