孙运涛
- 作品数：6 被引量：29H指数：4
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 热丝化学气相沉积法低温制备纳米晶态碳化硅薄膜(英文)被引量：1
- 2003年
- 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及光致发光(PL)检测技术对薄膜的晶体结构、表面形貌和PL特性进行了分析和表征。结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的薄膜是由镶嵌于非晶SiC网络中的晶态纳米SiC构成。纳米晶粒平均尺寸约为6nm。室温下用HeCr激光激发样品,观察到薄膜发出波长位于400～550nm范围内可见光辐射。
- 于威孙运涛郑志远韩理傅广生
- 关键词：热丝化学气相沉积碳化硅薄膜晶体结构表面形貌
- 纳米碳化硅的脉冲激光烧蚀沉积及其光学特性研究
- 本工作采用脉冲激光烧蚀沉积技术在低温和较低激光能量条件下沉积了非晶碳化硅(SiC)薄膜，对SiC薄膜的真空热退火和激光退火晶化特性进行了较系统研究。采用原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱(Raman)和紫外-可见透射光谱(...
- 孙运涛
- 关键词：纳米SIC脉冲激光沉积光学特性碳化硅薄膜
- 文献传递
- 螺旋波等离子体化学气相沉积法制备纳米碳化硅薄膜被引量：5
- 2003年
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积 (HWP CVD)技术在Si(10 0 )和石英衬底上合成了具有纳米结构的碳化硅薄膜。通过X射线衍射 (XRD)、傅立叶红外透射 (FTIR)和原子力显微镜 (AFM)等技术对所制备薄膜的结构、组分和形貌进行了分析 ,利用光致发光技术研究了样品的发光特性。分析表明 ,在 70 0℃的衬底温度和 1.33Pa的气压条件下所制备纳米SiC薄膜的平均颗粒度在 3nm以下 ,红外透射谱主要表现为Si C吸收。结果说明HWP CVD为制备高质量纳米SiC薄膜的有效技术 ,所制备样品呈现出室温短波长可见发光特性 ,发光谱主峰位于 395nm附近。
- 于威王保柱孙运涛韩理傅广生
- 关键词：螺旋波等离子体化学气相沉积法
- 脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光被引量：8
- 2005年
- 采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc -SiC) ,并对薄膜的光致发光(PL)特性进行了分析。结果表明,纳米SiC薄膜的光致发光表现为30 0～6 0 0nm范围内的较宽发光谱带,随退火激光能量密度的增加,nc- SiC薄膜398nm附近的发光峰相对强度增加,而4 70nm附近发光峰相对减小。根据nc SiC薄膜的结构特性变化,认为这两个发光峰分别来源于6H -SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光,并且这两种发光过程存在竞争。
- 于威何杰孙运涛韩理傅广生
- 关键词：光致发光纳米碳化硅SIC薄膜碳化硅薄膜XECL复合发光
- 碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究被引量：5
- 2004年
- 采用XeCl准分子激光对非晶碳化硅 (a SiC)薄膜的脉冲激光晶化特性进行了研究 .通过原子力显微镜 (AFM)和Raman光谱技术对退火前后薄膜样品的形貌、结构及物相特性进行了分析 .结果表明 ,选用合适的激光能量采用激光退火技术能够实现a SiC薄膜的纳米晶化 .退火薄膜中的纳米颗粒大小随着激光能量密度的增加而增大 ;Raman谱分析结果显示了退火后的薄膜的晶态结构特性并给出了伴随退火过程存在的物相分凝现象 .根据以上结果并结合激光退火特性 ,对a
- 于威何杰孙运涛朱海丰韩理傅广生
- 关键词：碳化硅薄膜激光退火晶化半导体材料晶体结构分析拉曼光谱分析
- 环境气压对脉冲激光烧蚀沉积纳米Si薄膜表面粗糙度的影响被引量：11
- 2004年
- 薄膜表面粗糙度是表征薄膜质量的重要指标 ,为了探求环境气压对脉冲激光烧蚀沉积纳米Si薄膜表面粗糙度的影响 ,采用XeCl脉冲准分子激光器 ,分别在惰性气体氦气和氩气的不同气压环境下烧蚀沉积了纳米Si薄膜 ,用TencorInstrumentsAlpha Step 2 0 0台阶仪对相应薄膜的表面粗糙度进行了测量。结果表明 ,薄膜表面粗糙度开始随着气压的增大而逐渐增加 ,在达到一最大值后便随着气压的增大而减小。由不同气体环境下的结果比较可以看出 ,充氩气所得Si薄膜表面粗糙度比充氦气的小 ,最大粗糙度强烈地依赖于气体种类。对于原子质量较大的氩气而言 ,其最大粗糙度仅比低气压时高出 11% ,而对于原子质量较小的氦气来说 ,其最大粗糙度比低气压时高出314 %。
- 王英龙张荣梅傅广生彭英才孙运涛
- 关键词：薄膜物理学脉冲激光烧蚀表面粗糙度
