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文献类型

  • 10篇专利
  • 5篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇单晶
  • 7篇单晶薄膜
  • 5篇衬底
  • 4篇微电子
  • 4篇金属
  • 4篇光电
  • 4篇光电子
  • 3篇电子器件
  • 3篇势垒
  • 3篇探测器
  • 3篇紫外探测
  • 3篇紫外探测器
  • 3篇微电子器件
  • 3篇晶体管
  • 3篇SUB
  • 2篇等离子体
  • 2篇中间层
  • 2篇退火
  • 2篇退火处理
  • 2篇纤锌矿

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇叶大千
  • 15篇梅增霞
  • 15篇杜小龙
  • 11篇刘尧平
  • 11篇梁会力
  • 7篇侯尧楠
  • 5篇梁爽
  • 3篇崔秀芝
  • 3篇李俊强
  • 3篇刘章龙
  • 2篇王燕
  • 1篇谷林
  • 1篇张庆华
  • 1篇禹日成
  • 1篇顾长志

传媒

  • 3篇第五届届全国...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
界面可控的MgZnO/Si外延工艺及光电子/微电子器件应用
梅增霞梁会力侯尧楠叶大千刘尧平杜小龙
关键词:紫外探测器
深紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种深紫外探测器及其制备方法。所述深紫外探测器包括金属电极和材料为Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O的薄膜层,所述金属电极通过一过渡层与所述薄膜层连接,所述过渡层的材料选择成能够降...
梅增霞侯尧楠梁会力叶大千刘尧平杜小龙
文献传递
在Si衬底上制备纤锌矿相M<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O单晶薄膜的方法
本发明提供一种在Si衬底上制备M<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O(M=Mg,Be)单晶薄膜的方法,包括:在Si衬底表面上沉积Be金属单晶薄膜;氧化Be金属薄膜以获得BeO单晶层;在BeO单晶层上...
梅增霞梁会力梁爽叶大千刘章龙崔秀芝刘尧平杜小龙
文献传递
新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件
本发明提供了一种新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件。新型薄膜晶体管包括:栅极、源极以及漏极;衬底;栅绝缘层;布置在所述栅绝缘层上的Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1‑x</Sub>O沟道层,其中0≤x≤1;...
梅增霞叶大千刘利书梁会力刘尧平杜小龙
文献传递
MgZnO单晶薄膜的界面工程及日盲紫外探测器研制
作为第三代半导体的核心基础材料,ZnO具有非常优越的光电性能,在低阈值、高效率的短波长光电子器件领域有着极为广阔的应用前景.目前ZnO在国际上最被看好的潜在应用之一是高性能的深紫外(尤其是日盲紫外)探测器.理论上通过Mg...
梁会力侯尧楠刘章龙叶大千梁爽梅增霞杜小龙
Cu2O单晶薄膜的界面控制外延生长及氧化动力学过程研究
李俊强梅增霞叶大千刘尧平梁会力侯尧楠杜小龙
一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法
本发明提供了一种用于黑硅的宽波段减反射方法,包括以下步骤:1)在黑硅表面上制备一层中间层,其中所述黑硅为具有陷光结构的硅;2)在步骤1)得到的中间层上沉积金属纳米颗粒,该金属纳米颗粒为不连续的或互不接触;3)对步骤2)得...
王燕刘尧平叶大千梅增霞杜小龙
文献传递
一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法
本发明提供了一种用于黑硅的宽波段减反射方法,包括以下步骤:1)在黑硅表面上制备一层中间层,其中所述黑硅为具有陷光结构的硅;2)在步骤1)得到的中间层上沉积金属纳米颗粒,该金属纳米颗粒为不连续的或互不接触;3)对步骤2)得...
王燕刘尧平叶大千梅增霞杜小龙
文献传递
一种氧化亚铜薄膜的制备方法
本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制备方法,包括:1)选取单晶衬底并清洗,然后将其导入超高真空制膜系统;2)在超高真空下对单晶衬底进行热处理,以去除其表面杂质;3)在气压≤10<Sup>-8</Sup>mbar条件下,在步骤...
李俊强梅增霞叶大千崔秀芝杜小龙
文献传递
界面可控的MgxZn1-xO/Si外延集成及光电子/微电子器件应用研究
本文利用射频等离子体辅助分子束外延设备,开发了硅衬底上金属Be膜的沉积及原位氧化界面控制技术,通过系统研究温度对Be原子在Si(111)衬底上的沉积以及原位氧化行为的影响,获得了有利于制备单畴纤锌矿相氧化物的最佳Be0模...
梅增霞梁会力侯尧楠叶大千刘尧平杜小龙
文献传递
共2页<12>
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