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刘邦贵

作品数:15 被引量:29H指数:3
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 11篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇电子结构
  • 4篇子结构
  • 4篇自旋
  • 4篇纳米
  • 3篇铁磁
  • 3篇自旋电子学
  • 2篇硼化物
  • 2篇化物
  • 2篇磁性
  • 1篇导体
  • 1篇电子材料
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇应变硅
  • 1篇原子尺度
  • 1篇闪锌矿
  • 1篇闪锌矿结构
  • 1篇生长动力学
  • 1篇衰变
  • 1篇衰变过程

机构

  • 15篇中国科学院
  • 1篇复旦大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇廊坊师范学院
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 15篇刘邦贵
  • 2篇柴永泉
  • 2篇靳常青
  • 2篇王恩哥
  • 1篇刘海华
  • 1篇吴义政
  • 1篇贾金锋
  • 1篇马飞
  • 1篇张青哲
  • 1篇徐野川
  • 1篇成昭华
  • 1篇李茂枝
  • 1篇薛其坤
  • 1篇禹日成
  • 1篇孙继荣
  • 1篇段晓峰
  • 1篇闵泰
  • 1篇沈健
  • 1篇孙阳
  • 1篇金晓峰

传媒

  • 4篇物理
  • 1篇河北师范大学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇高压物理学报
  • 1篇中国基础科学
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇2010(第...
  • 1篇2014`全...
  • 1篇全国计算机物...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇1995
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
二维材料中的铁电性和铁磁性
以石墨烯为代表的二维材料逐渐成为当前凝聚态物理的热点前沿之一,具有铁磁性或铁电性的二维材料将会在自旋电子学和半导体器件中发挥重要的作用.在铁电性方面,我们提出一种二维材料GaTeCl,可从已存在的范德瓦尔斯材料中剥离出单...
张世豪刘邦贵
关键词:铁电性铁磁性
与半导体相容的半金属铁磁体被引量:4
2005年
文章在自旋电子学与新型计算机元件的背景下介绍了与半导体相容的半金属铁磁体 ,及其实验和理论研究进展情况 .指出其中半稳能量低并且稳定性好的理论预测材料有可能不久通过外延方式在合适的基底上生长出来 。
刘邦贵
关键词:半金属铁磁体自旋电子学半导体MNAS闪锌矿
体积压缩对二硼化物电子结构的影响被引量:2
2004年
应用准确的第一原理方法,对20种二硼化物进行了体积压缩后的电子结构比较研究,总结了二硼化物电子结构随体积的变化规律,为进一步的压力实验研究提供理论参考。
柴永泉靳常青刘邦贵
关键词:电子结构硼化物体积
半导体表面上极限厚度纳米材料的计算设计与功能探索
刘邦贵
半导体自旋电子学材料的第一原理计算研究
传统电子学的信息载体是半导体材料中的电子电荷,其中的电子自旋不携带信息;自旋电子学将通过操纵电子自旋来进行信息处理,可能产生结合标准半导体电子学和电子自旋效应的新一代电子器件。现代硅技术计算机将在今后几十年内走到尽头,急...
刘邦贵
文献传递
关联电子材料的自旋态限域调控与自旋电子器件应用研究进展
2019年
关联电子材料具有丰富的自旋序,包括铁磁、反铁磁、亚铁磁、螺旋磁序等,这些自旋序与电子轨道态、电荷空间分布等其他量子态存在强烈耦合,因而可以通过外场来实现不同自旋序的时域和空域调控。相对于存在化学界面的传统异质结构,在关联电子材料中利用外场限域调控,可以实现无化学界面的不同自旋序结构的空间可控排列,从而构筑基于同一材料的新型自旋电子器件。本项目围绕关联电子体系多量子态的调控规律展开,通过自旋电子学与量子物理、表面物理以及电介质物理的交叉,探索具有多场(磁场、电场、光场、应变场)可控性的新型关联自旋电子材料,发展新型的多场调控技术,揭示自旋序与量子态耦合机理,设计新型自旋电子器件,进而实现在同一关联电子材料中集成非挥发性自旋存储与逻辑运算功能。
孙继荣张远波成昭华孙阳禹日成刘邦贵陈沅沙殷立峰肖江吴骅王文彬闵泰马飞吴义政金晓峰赵海斌沈健
关键词:自旋电子学非易失性逻辑运算
应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究被引量:1
2007年
本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因。
段晓峰刘海华徐秋霞刘邦贵
关键词:应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管
纳米级自旋电子学材料取得重要进展被引量:11
2003年
因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料 ,故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视 .文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展 :通过大规模系统的高精度第一原理计算 ,作者发现三个 3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性 ,并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料 。
刘邦贵
关键词:自旋电子学闪锌矿结构电子结构
纳米磁体系统的非平衡动力学磁性及调控
纳米磁体已经用于磁存储,将来可能与现代半导体技术结合,实现磁信息运算与处理等。根据统计物理基本原理,典型纳米系统在无有利外力作用的情况下应该没有热力学平衡下的铁磁长程序。然而实验显示,在铂表面的钴单原子自旋链在低温下也表...
刘邦贵
表面三维纳米结构在衰变过程中的层间质量传输机制
2002年
文章研究了三维纳米结构的稳定性和退化机制 ,提出了两种层间传输机制 :any sitedescent(ASD)机制和selective-sitedescent(SSD)机制 ,并用动力学蒙特卡罗模拟方法研究了这两个理论模型 .结果表明 ,ASD和SSD机制为目前关于fcc(111)和fcc(10 0 )表面上的三维纳米结构的形成、表面形貌演化和稳定性提供了一个微观尺度上的深入理解 .
李茂枝刘邦贵王恩哥
关键词:稳定性衰变过程
共2页<12>
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