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冯明

作品数:7 被引量:13H指数:3
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:国家杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇SU-8胶
  • 3篇衍射
  • 2篇深紫外
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻模拟
  • 2篇光强
  • 2篇菲涅尔衍射
  • 1篇等离子体
  • 1篇电波传播
  • 1篇电感耦合
  • 1篇电感耦合等离...
  • 1篇衍射效应
  • 1篇一致性几何绕...
  • 1篇一致性绕射理...
  • 1篇中等离子体
  • 1篇射线追踪
  • 1篇损耗
  • 1篇损耗计算
  • 1篇微加工
  • 1篇微加工技术

机构

  • 7篇东南大学

作者

  • 7篇冯明
  • 5篇黄庆安
  • 4篇李伟华
  • 4篇周再发
  • 4篇朱真
  • 1篇张鉴

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇第八届中国微...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
SU-8胶曝光衍射效应的模拟及丙三醇补偿方法
2007年
基于SU-8胶的UV-LIGA技术是MEMS中制备高深宽比结构的一种重要方法,但由于衍射效应会使结构的侧壁不再垂直.根据菲涅耳衍射模型,考虑了丙三醇/SU-8界面的反射和折射现象,模拟了丙三醇填充在掩膜版和光刻胶之间时的刻蚀图形.计算结果与已有的实验进行了比较,模型基本可以描述这种光刻过程,可在设计时作为参考.
朱真黄庆安李伟华周再发冯明
关键词:SU-8胶菲涅耳衍射丙三醇
ICP刻蚀中等离子体分布的模拟被引量:4
2005年
采用直接蒙特卡罗方法对反应器中的气体分布进行粒子模拟,从而得到在不同条件下的一组结果,给出了粒子浓度和温度与腔体尺寸的关系图。并对结果作出分析比较,得出不同的条件对粒子浓度以及温度等产生影响,结果对ICP刻蚀的工艺控制有参考价值。
冯明张鉴黄庆安
关键词:电感耦合等离子体
SU-8胶深紫外光刻模拟被引量:5
2007年
综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可以在实际应用中对SU-8光刻胶的二维模拟结果进行有效预测.
冯明黄庆安李伟华周再发朱真
关键词:SU-8胶光刻模拟
SU-8胶深紫外光刻模拟
随着信息技术的飞速发展,微型化与集成化是器件发展的两大趋势,MEMS(微机电系统)是其中一个热点领域,采用SU-8胶的UV光刻技术是制造MEMS的重要微细加工技术。传统的光刻胶已无法满足高深宽比要求的器件微结构。SU-8...
冯明
关键词:SU-8胶误差分析微加工技术
文献传递
SU-8胶在深紫外光源下的光强分布模拟
本文根据菲涅尔衍射的原理,在考虑了折射、光刻胶对光的吸收以及硅片对光的反射的情况下,给出了SU-8胶在365 nm光源下经过方孔曝光时,光刻胶中光强的二维分布及三维分布的计算模拟.将试验结果与实际情况相比,表现出了一定的...
冯明黄庆安李伟华周再发朱真
关键词:菲涅尔衍射SU-8胶
文献传递
SU-8胶在深紫外光源下的光强分布模拟被引量:1
2006年
本文根据菲涅尔衍射的原理,在考虑了折射、光刻胶对光的吸收以及硅片对光的反射的情况下,给出了SU-8胶在365nm光源下经过方孔曝光时,光刻胶中光强的二维分布及三维分布的计算模拟.将试验结果与实际情况相比,表现出了一定的适用性,可以近似作为光刻胶形貌的最后近似.
冯明黄庆安李伟华周再发朱真
关键词:菲涅尔衍射SU-8胶
基于一致性绕射理论的城市环境辐射建模
一致性绕射理论(the Uniform Theory of Diffraction,UTD)与射线追踪(Ray Tracing)共同构成了无线通信系统电波传播的一种高精度建模方法。本文以镜像射线追踪为基础进行点对点的路径...
冯明
关键词:城市环境电波传播损耗计算一致性几何绕射理论
共1页<1>
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