黄继颇
- 作品数：23 被引量：141H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 混合集成电路有限元热分析技术的研究（上）──方法与模型被引量：2
- 1995年
- 讨论了混合集成电路热分析的方法，提出用微机进行有限元热分析的实用方法，即模型／子模型方法。并构造了相应的热模型，在此基础上开发了微机有限元ＨＩＣ热分析专用软件，给出了用于ＨＩＣ热分析的各种模型，如半导体集成电路及晶体管模型、膜电阻模型等。
- 杜磊孙承永黄继颇包军林
- 关键词：混合集成电路有限元热分析热模型
- 硅中离子注入纳米孔层的形成及吸杂效应研究
- 张苗林成鲁宋志棠多新中黄继颇陈莉芝倪如山
- 开展了SOI 材料中纳米孔吸杂的研究，利用H+、He+ 注入将纳米孔引入到SOI 氧化埋层下面，对顶层硅中的金属杂质进行吸除。结果：发现了H+注入在不引起表层剥离情况下形成纳米孔层的剂量窗口，大剂量He+注入可在硅中产生...
- 关键词：
- 关键词：吸杂SOI纳米孔
- 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
- 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AlN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOl材料制备方法，系利用离子束合成或Al膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AlN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和...
- 林成鲁张苗王连卫黄继颇多新中
- 文献传递
- 用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜被引量：43
- 2001年
- 采用脉冲激光淀积 (PLD)法在单晶Si(10 0 )衬底上淀积了ZnO薄膜。XRD、TEM和AFM分析表明 ,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度。通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火 ,ZnO薄膜的电阻率提高到 10 7Ω·cm。这些结果表明 ,用PLD法淀积的ZnO薄膜能够满足声表面波(SAW )器件的需要。
- 刘彦松王连卫李伟群黄继颇林成鲁
- 关键词：脉冲激光淀积压电性声表面波器件氧化锌薄膜
- 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
- 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AIN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOI材料制备方法，系利用离子束合成或AI膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AIN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和...
- 林成鲁张苗王连卫黄继颇多新中
- 文献传递
- 氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响
- 1999年
- ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ，剂量５ ×１０１３ 至５ ×１０１５ｃｍ － ２） 损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明，ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时，主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜ ２．９ｅＶ），而在剂量较高时，对带间跃迁产生影响。ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ，剂量５ ×１０１３ 至５ ×１０１５ｃｍ － ２） 损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明，ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时，主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜ ２．９ｅＶ），而在剂量较高时，对带间跃迁产生影响。
- 王连卫黄继颇林成鲁郑玉祥
- 关键词：光学性质碳化硅半导体6H-SIC
- 脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光被引量：4
- 2001年
- 用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度退火样品中 6 H- Si C和 3C- Si C两种晶相共存 ) .以 370 nm波长光激发样品薄膜表面 ,显示较强的 44 7nm蓝光发射 。
- 王玉霞曹颖何海平汤洪高王连卫黄继颇林成鲁
- 关键词：晶化温度准分子激光光致发光
- 性能优异的多功能宽禁带半导体AlN薄膜被引量：18
- 1999年
- 作为具有优异介电性、压电性的宽禁带半导体材料，ＡｌＮ是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了ＡｌＮ材料结构特性。
- 黄继颇王连卫林成鲁
- 关键词：氮化铝宽禁带半导体
- 混合集成电路有限元热分析技术的研究（下）──软件与应用被引量：2
- 1995年
- 在对混合集成电路热特性分析和提出的模型／子模型基础上，开发了微机有限元ＨＩＣ热分析专用软件。应用所开发的软件对典型的ＨＩＣ进行了热分析，得到温度场分布。与热像仪实测结果对比，证实了该软件的正确性。
- 杜磊孙承永黄继颇包军林
- 关键词：混合集成电路热分析有限元
- 用同步辐射X射线反射率法研究薄膜结构
- 1998年
- 利用同步辐射Ｘ射线对Ｃｒ／ＳｉＯ２系统进行了反射率测量，得到了信噪比非常好的反射率曲线。通过对实验数据进行傅立叶变换和最小二乘法拟合得到了Ｃｒ膜的厚度以及Ｃｒ膜与ＳｉＯ２衬底界面的粗糙度。结果表明，该方法对精确测定界面的粗糙度非常有效。
- 徐章程郭常霖黄继颇黄继颇赵宗彦坂牧俊夫
