黄时敏
- 作品数：15 被引量：8H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程电气工程更多>>
- MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究
- 2012年
- 以活性较低的叔丁醇(t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜。研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2.V-1.s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜。
- 朱顺明黄时敏顾书林朱振邦顾然郑有炓
- ZnMgO/ZnO异质结构的MOCVD生长、性质与器件应用
- ZnO基半导体优越的光电性能使之成为发展紫外半导体光电器件的优选材料,但目前ZnO薄膜中高质量p型掺杂实现的困难使其光电器件的应用步履维艰,进展缓慢。另一方面,半导体异质结构的制备也是研制半导体光电器件的核心和关键,因此...
- 顾书林朱顺明朱振邦黄时敏顾然张荣施毅郑有炓
- Te/N共掺ZnO薄膜的高温真空退火研究
- ZnO的高质量p型掺杂已成为ZnO基结构材料与器件应用的关键技术问题,在诸多掺杂元素中,N被认为是ZnO中最合适的p型掺杂元素,已有理论与实验研究显示V族Te元素对ZnO薄膜中的p型N掺杂有显著的增强作用,同时也可显著减...
- 顾然顾书林朱顺民黄时敏朱振邦郑有炓
- ZnO MOCVD生长反应氧源H2O和t-BuOH的比较研究
- MOCVD技术具有生长纯度高,大面积均匀性良好并适合于大规模生产,同时生长易于控制,可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡,适合于生长各种异质结构材料等诸多优势。过去二十多年来Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料与器件的发展历史已经证...
- 朱顺明顾书林朱振邦黄时敏顾然郑有炓
- 真空退火对ZnMnO：N物理特性影响的研究
- 2012年
- 利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石上外延了Mn-N共掺ZnO薄膜,同时,将得到的ZnMnO:N样品分别在700,900和1100°C的温度下进行真空退火处理.X射线衍射(XRD)显示真空退火使薄膜样品的晶格质量变差,但样品都具有良好的单轴取向.ZnMnO:N样品的拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL)光学表征显示真空退火使得样品中氧空位(VO)增多.对NT,Mn共掺ZnO晶体的第一性原理模拟计算揭示了N,Mn共掺ZnO的态密度存在较强的p-d相互作用,产生磁矩.一旦引入氧空位(VO)后,费米能级上移,p-d相互作用消失,磁矩减小甚至消失.实验表征分析与模拟计算结果一致:对于N,Mn共掺ZnO薄膜样品,引入氧空位(VO)后,铁磁性减弱.因此,Mn3d电子与N2p局域束缚的电子形成的磁性束缚激子(BMP)决定了磁性相互作用的产生.
- 孙霞吴孔平顾书林黄时敏朱顺明
- 关键词：磁化
- 氧化物半导体与磁性氧化物的MOCVD生长与性质
- 自旋电子学作为新兴的研究领域，通过控制电子的自旋取代电子电荷作为信息储存和传输的载体，可以提高自由度同时不受尺寸限制，具有广泛的应用前景。基于自旋注入结构实现偏振光发射的自旋发光二级管(spin-LED)的研究受到了较多...
- 黄时敏
- 关键词：氧化物半导体电学性质
- ZnO/ZnMgO异质结场效应管制备与性能研究
- ZnO是一种纤锌矿结构直接带隙半导体,室温下带隙宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,可望实现室温激子复合辐射.同时ZnO基半导体作为极性半导体,具有较强的压电极化和自发极化效应,因此ZnO/ZnMgO的异质结界面...
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- 一种制备高质量ZnO材料的方法
- 一种生长高质量氧化锌薄膜材料的方法，选用蓝宝石片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；将清洗过的蓝宝石衬底放在金属有机化学气相外延设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10<Sup>-3</Sup>Pa以下，以排净反应室中...
- 朱顺明印杰顾书林叶建东汤琨黄时敏郑有炓
- 文献传递
- ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
- 2012年
- 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。
- 朱振邦顾书林朱顺明叶建东黄时敏顾然郑有炓
- 关键词：异质结场效应管迁移率
- 在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法
- 在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度400℃–500℃，...
- 汤琨朱顺明顾然顾书林叶建东黄时敏姚峥嵘郑有炓
- 文献传递
