您的位置： 专家智库 > >

项略略

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇位错
  • 2篇发光
  • 1篇电路
  • 1篇电路工艺
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光性能
  • 1篇电子束辐照
  • 1篇诱生
  • 1篇体硅
  • 1篇谱性质
  • 1篇中子
  • 1篇中子束
  • 1篇铒离子
  • 1篇位错结构
  • 1篇化合物
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路工艺
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱性
  • 1篇光谱性质

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇项略略
  • 2篇杨德仁
  • 2篇金璐
  • 2篇李东升

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
电子束诱生硅中位错的发光性质及其物理结构研究
硅作为最重要的半导体材料被广泛地用于微电子器件的制造，而基于硅集成电路工艺的硅基光电子，不仅能够为微电子器件提供大带宽的光互连，还可以降低光电子器件的制造成本，从而成为国际上半导体领域研究的热点之一。但是，与集成电路制造...
项略略
关键词：半导体硅材料电子束辐照电致发光性能位错结构光谱性质
硅纳米晶敏化铒硅化合物中铒离子的光致发光研究
本文运用电子束蒸发的方法制备了厚度约300nm的Er-Si-O薄膜，并且通过高温热处理将硅纳米晶和铒硅化合物颗粒引入到SiO2基质中，实现了硅纳米晶对铒硅化合物的敏化作用。卢瑟福背散射(RBS)分析表明Er—Si-O薄膜...
金璐项略略李东升杨德仁
关键词：硅纳米晶
一种在硅片上引入位错的方法
本发明公开了一种在硅片上引入位错的方法，采用足以破坏硅晶格的能量束对硅片表面进行辐照，在辐照的区域引入密度可控的位错，位错的密度受能量束的能量强度控制，能量越大，引入的位错密度越大，位错的位置既可在硅片表面也可位于硅片内...
杨德仁项略略李东升金璐
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0