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郭林

作品数：2 被引量：8H指数：2
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电子器件
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇针孔
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子器件
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇刻蚀
  • 1篇光刻
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇二氧化硅薄膜
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇SIO
  • 1篇硅

机构

  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇电子工业部

作者

  • 2篇郭林
  • 1篇胡刚毅
  • 1篇顾瑛
  • 1篇张德胜
  • 1篇张正元
  • 1篇王清平
  • 1篇赵策洲

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1994
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
1μm宽硅深槽刻蚀技术被引量：6
1996年
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
王清平郭林刘兴凤蔡永才黄正学
关键词：反应离子刻蚀微电子器件
SiO_2膜针孔的分析与检测被引量：2
1994年
本文分析了ＳｉＯ＿２膜的针孔模型及漏电机理，讨论了针孔密度的概念，并用ＥＰＷ（乙二胺－邻苯二酚水溶液）法和漏电流法分析了针孔与漏电流的关系，给出了ＳｉＯ＿２膜无明显针孔的判据。
赵策洲张德胜顾瑛胡刚毅郭林张正元
关键词：针孔漏电流光刻二氧化硅薄膜
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共1页<1>
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