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赵连锋

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇多晶
  • 2篇多晶薄膜
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶粒
  • 2篇晶粒尺寸
  • 2篇晶体管
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 2篇尺寸
  • 1篇导体
  • 1篇熔融
  • 1篇熔融态
  • 1篇锑化物
  • 1篇锑化镓
  • 1篇离子
  • 1篇离子溶液
  • 1篇介质
  • 1篇金属栅
  • 1篇晶种

机构

  • 4篇清华大学

作者

  • 4篇赵连锋
  • 3篇王敬
  • 3篇许军
  • 2篇梁仁荣
  • 2篇赵梅
  • 1篇谭桢

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
高k介质/金属栅锑化镓MOS器件关键技术研究
随着集成电路技术的不断发展，晶体管特征尺寸不断缩小。目前，硅基半导体器件的特征尺寸已经接近了其物理极限。采用高k介质与金属栅材料的III-V族MOS器件具有高载流子迁移率、低栅漏电的特点，在使集成电路技术继续沿摩尔定律发...
赵连锋
文献传递
多晶薄膜制备方法、多晶薄膜及由其制备的薄膜晶体管
本发明提出了一种多晶薄膜制备方法、多晶薄膜及由其制备的薄膜晶体管。该多晶薄膜包括衬底，热导体，晶种侧墙和多晶薄膜层。本发明在多晶薄膜的制备过程中采用热导体，能够实现晶种侧墙附近热量的优先散失，保证熔融态的非晶薄膜层在晶种...
梁仁荣赵连锋赵梅王敬许军
衬底表面钝化方法和半导体结构形成方法
本发明提出了一种衬底表面钝化方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底顶部表面为III-V族锑化物半导体材料；将衬底的顶部表面浸入中性或酸性的含硫离子溶液中。该衬底表面钝化方法具有简单易行、成本低的优点。本发明还提出一种半导体结...
赵连锋谭桢王敬许军
文献传递
多晶薄膜制备方法、多晶薄膜及由其制备的薄膜晶体管
本发明提出了一种多晶薄膜制备方法、多晶薄膜及由其制备的薄膜晶体管。该多晶薄膜包括衬底，热导体，晶种侧墙和多晶薄膜层。本发明在多晶薄膜的制备过程中采用热导体，能够实现晶种侧墙附近热量的优先散失，保证熔融态的非晶薄膜层在晶种...
梁仁荣赵连锋赵梅王敬许军
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