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赵伟立

作品数：20 被引量：2H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 15篇埋层
  • 14篇沟道
  • 13篇氧化层
  • 11篇反向偏置
  • 8篇NLDMOS
  • 6篇电极
  • 6篇短路
  • 6篇短路点
  • 6篇阳极
  • 6篇金属
  • 6篇金属电极
  • 5篇电学
  • 5篇电学特性
  • 5篇自加热
  • 5篇自加热效应
  • 4篇杂质浓度分布
  • 3篇电阻
  • 3篇扩展电阻
  • 2篇电流
  • 2篇压降

机构

  • 20篇杭州电子科技...

作者

  • 20篇赵伟立
  • 19篇张海鹏
  • 18篇吴倩倩
  • 18篇刘怡新
  • 18篇汪洋
  • 18篇孔令军
  • 11篇齐瑞生
  • 9篇许生根
  • 1篇苏步春
  • 1篇林弥
  • 1篇徐丽燕
  • 1篇刘国华
  • 1篇徐文杰
  • 1篇张亮

年份

  • 2篇2013
  • 6篇2012
  • 12篇2011
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOI LIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作纵向沟道SOI LIGBT器件...
张海鹏齐瑞生刘怡新吴倩倩孔令军汪洋赵伟立
一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区，p埋层区的顶部依次并排设置有金属栅极、n型重掺杂多晶硅栅、栅氧化层...
张海鹏齐瑞生汪洋赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军
文献传递
具有p埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有p埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOILIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作SOILIGBT器件，纵向耐压靠具...
张海鹏齐瑞生赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军汪洋
一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层上下两侧分别设置p埋层区和p型半导体衬底，p埋层区上设置n型轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区顶部两侧分别设置p型...
张海鹏许生根赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军汪洋
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具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元
本实用新型涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p型埋层区、n型轻掺杂漂移区、p型阱区、p型欧姆接触区、n型源区、纵向...
张海鹏许生根刘怡新吴倩倩孔令军汪洋赵伟立
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具有P埋层的SOI nLDMOS器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有P埋层的SOInLDMOS器件单元的制作方法。现有方法制作的SOInLDMOS器件严重影响了器件的耐压性能，而且影响了器件的散热。本发明通过采用具有P埋层的SOI厚膜材料上经过九次光刻，制造具有P埋层的...
张海鹏许生根赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军汪洋
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一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区，p埋层区的顶部依次并排设置有金属栅极、n型重掺杂多晶硅栅、栅氧化层...
张海鹏齐瑞生汪洋赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军
具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOILIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOILIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作纵向沟道SOILIGBT器件，纵向...
张海鹏齐瑞生刘怡新吴倩倩孔令军汪洋赵伟立
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具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元
本实用新型涉及一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型在隐埋氧化层上下两侧分别设置p埋层区和p型半导体衬底，p埋层区上设置n型轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区顶部两侧分别...
张海鹏许生根赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军汪洋
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一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓...
张海鹏齐瑞生孔令军汪洋赵伟立刘怡新吴倩倩
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