您的位置： 专家智库 > >

贾侃

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇氧化层
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇半导体
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅栅
  • 3篇氧化物半导体
  • 3篇金属氧化物半...
  • 3篇绝缘体上硅
  • 3篇硅栅
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷密度
  • 2篇P型
  • 1篇功率
  • 1篇薄栅
  • 1篇薄栅氧化层
  • 1篇饱和电流
  • 1篇SOI
  • 1篇SPICE模...

机构

  • 5篇东南大学

作者

  • 5篇贾侃
  • 4篇孙伟锋
  • 4篇李海松
  • 4篇时龙兴
  • 4篇陆生礼
  • 3篇钱钦松
  • 2篇吴虹
  • 1篇鲍嘉明

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法
本发明公开一种高压P型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有深N型阱，在深N型阱上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱上设有N型接触孔、P型源及场氧化层，在P型漂移区上设有P型漏及场氧化层，其特征在于位于N型阱上...
鲍嘉明贾侃李海松孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
一种高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、P型掺杂半导体区和N阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设...
孙伟锋贾侃吴虹钱钦松李海松陆生礼时龙兴
文献传递
高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
一种高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、P型掺杂半导体区和N阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设...
孙伟锋贾侃吴虹钱钦松李海松陆生礼时龙兴
文献传递
功率SOI--LDMOS器件的SPICE模型研究与应用
贾侃
P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
一种P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括衬底，其上设埋氧化层，埋氧化层上设P型掺杂半导体区，P型掺杂半导体区上设N阱和P型漏区，N阱上设P型源区和N型接触区，P阱表面设栅氧化层且自N阱延伸至P型掺杂半导...
孙伟锋贾侃钱钦松李海松陆生礼时龙兴
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0