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覃荣震
作品数:
74
被引量:51
H指数:5
供职机构:
株洲南车时代电气股份有限公司
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
交通运输工程
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合作作者
刘国友
株洲南车时代电气股份有限公司
黄建伟
株洲南车时代电气股份有限公司
罗海辉
株洲南车时代电气股份有限公司
戴小平
株洲南车时代电气股份有限公司
朱利恒
株洲南车时代电气股份有限公司
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一种快恢复二极管FRD芯片及其制作方法
本发明提供了一种快恢复二极管FRD芯片及其制作方法,所述FRD芯片包括芯片终端保护区,所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区,所述P型掺杂区与阴极电极接触,且所述P型掺杂区的结深小于N+型阴极区的结...
刘国友
覃荣震
黄建伟
文献传递
一种功率器件及其制作方法
本发明公开了一种功率器件及其制作方法,功率器件包括:N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层,功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱,N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从...
刘国友
覃荣震
黄建伟
张泉
朱利恒
戴小平
文献传递
大功率IGBT模块封装中的超声引线键合技术
被引量:9
2011年
从超声引线键合的机理入手,对大功率IGBT模块引线的材料和键合界面特性进行了分析,探讨了键合参数对键合强度的影响。最后介绍了几种用于检测键合点强度的方法,利用检测结果对键合参数进行进一步的调整,以实现引线键合工艺最佳化。
覃荣震
张泉
关键词:
引线键合
大功率IGBT
模块封装
一种功率半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法,功率半导体器件包括:P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层,功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深...
刘国友
覃荣震
黄建伟
张泉
朱利恒
戴小平
文献传递
功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法
本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法,所述铜金属化结构包括依次位于衬底上方的阻挡层、籽铜层和铜金属化层,还包括:增强层;其中,所述增强层位于所述籽铜层和所述铜金属化层之间;或者,所述增强层位于所述阻挡...
刘国友
覃荣震
黄建伟
文献传递
一种单片集成IGBT和FRD的半导体器件
本发明涉及一种半导体器件,该半导体器件将IGBT模块封装所需的全部IGBT和FRD芯片集成在一片晶圆上,且IGBT和FRD反并联设置;晶圆的边缘部分为多级场限环区,中间部分为IGBT区和FRD区;IGBT和FRD位于同一...
丁荣军
刘国友
覃荣震
黄建伟
罗海辉
文献传递
一种沟槽栅型IGBT芯片制作方法
本发明公开了一种沟槽栅型IGBT芯片制作方法,选取两块N型半导体衬底,将其中第一块进行氧化或沉积,在衬底的硅表面形成包括氧化硅或氮氧化物在内的绝缘材料;对衬底表面的绝缘材料进行光刻与刻蚀,形成介质埋层;对第二块N型半导体...
刘国友
覃荣震
黄建伟
文献传递
一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片
一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片,它包括芯片,芯片的边缘为IGBT终端保护区,芯片的中间部分包括了IGBT元胞区、电流传感区和温度传感区;芯片正面上设有IGBT芯片栅极、IGBT芯片发射极、电流传感器负极、温度...
刘国友
覃荣震
黄建伟
文献传递
一种沟槽栅IGBT及其制作方法
本发明公开了一种沟槽栅IGBT及其制作方法,元胞包括位于源极区背离基区一侧、且沿第二方向设置的第一发射极金属电极、至少一个辅助凹槽和第二发射极金属电极,第一发射极金属电极和第二发射极金属电极均延伸至基区,辅助凹槽与源极区...
刘国友
覃荣震
黄建伟
罗海辉
戴小平
一种功率半导体芯片栅极区
本发明提供了一种功率半导体芯片栅极区,所述栅极区包括位于芯片元胞区内的主栅极区、包围所述主栅极区的第一栅极条,位于所述主栅极区和所述第一栅极条之间的栅电阻区,其中,所述栅电阻内设置有至少两个并联的子电阻,所述子电阻的一端...
刘国友
覃荣震
黄建伟
罗海辉
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