蒋成勇
- 作品数：17 被引量：24H指数：3
- 供职机构：宁波大学更多>>
- 发文基金：宁波市自然科学基金宁波大学王宽诚幸福基金浙江省教育厅科研计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- 两种方法制备LuAG粉体的研究被引量：3
- 2008年
- 分别采用氧化镥与氧化铝混合煅烧法以及氯化镥与铝酸钠液相混合沉淀法制备LuAG粉体。通过分析SEM与XRD的结果发现,固相法制备出的粉体颗粒尺寸较粗大,有较尖锐的棱角,团聚现象严重且不易分散,在1200℃煅烧后仍有大量氧化铝与氧化镥的原料残余,只有少量原料发生固相反应生成镥铝石榴石相。而采用液相沉淀法制备出的粉体颗粒较光滑,团聚后的粉体也易于分散,在经1200℃煅烧后基本上全部转化为LuAG。
- 蒋成勇陈红兵肖华平
- 关键词：LUAG液相沉淀法XRD
- 坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性被引量：5
- 2009年
- 采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发,且熔体中CdO比WO3更加易于挥发;CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征,初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高,后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小,相应地单晶在380～550nm区域的光透过率略有降低,X射线激发发光强度有所降低,且发光波长出现略微红移的趋势.通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理,可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性.
- 陈红兵肖华平徐方方奇术蒋成勇杨培志
- 关键词：钨酸镉晶体生长坩埚下降法光学均匀性
- 非真空密闭条件下的Ce3＋：LiYF4晶体生长被引量：1
- 2009年
- 本文报道了氟化物激光晶体Ce3+∶LiYF4的坩埚下降法生长工艺。以高纯氟化物LiF、YF3和CeF3为初始试剂,按照LiF∶YF3∶CeF3=51.5∶47.5∶1.0的物质的量比配料,经高温氟化处理合成严格无水的Ce3+∶LiYF4多晶料。将Ce3+∶LiYF4多晶料密封于铂坩埚中,添加少量聚四氟乙烯粉末,可避免氟化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现Ce3+∶LiYF4晶体的坩埚下降法生长,成功生长出尺寸达28 mm×70 mm的无色透明完整单晶。采用XRD、差热/热重分析、透射光谱和荧光光谱对Ce3+∶LiYF4单晶基本性质的进行表征。结果表明,该晶体在320~3000 nm区域内的光透过率达90%以上,晶体在297 nm处有一强吸收峰;荧光光谱显示晶体在紫外光区310nm、325 nm处有两个强发射峰。
- 徐方方奇术王苏静武安华蒋成勇陈红兵
- 关键词：激光晶体晶体生长坩埚下降法
- LaCl_3:Ce^(3+)晶体生长用无水氯化镧的制备被引量：3
- 2006年
- 本文报道了LaC l3:Ce3+晶体生长用无水氯化镧的氯化焙烧脱水制备方法。应用差热/热重分析研究了LaC l3.7H2O的脱水过程,以寻求避免发生水解反应的有效途径;以LaC l3.7H2O为初始原料,采用氯化氢保护下的焙烧脱水处理进行无水氯化镧的制备,通过系列实验掌握了氯化焙烧脱水处理的最佳工艺条件;为验证所制备无水氯化镧的纯度,采用该原料进行了LaC l3:Ce3+单晶生长。结果表明,在氯化焙烧脱水处理过程中,保持通入足量干燥氯化氢气体,控制焙烧温度于220~230℃,经过6~7h焙烧处理,能够制备出较高纯度的无水氯化镧,所获原料可成功地用于生长无色透明的LaC l3:Ce3+单晶。
- 陈红兵周昌勇杨培志蒋成勇潘建国
- 关键词：焙烧脱水晶体生长
- 碘化钾单晶的非真空密闭坩埚下降法生长
- 2010年
- 本文报道了KI单晶在非真空密闭条件下的坩埚下降法生长。以经充分干燥的高纯KI多晶为原料,将KI多晶料密封于套层铂坩埚中,添加少量活性碳粉末,可避免碘化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现KI单晶的坩埚下降法生长。在晶体生长过程中,炉体温度调节于750～770℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率控制为1～2mm/h,成功生长出尺寸为25mm×50mm的透明完整KI单晶。采用XRD、DTA-TG、透射光谱、荧光光谱对所获KI单晶进行了测试表征,结果表明该单晶具有良好的光学均匀性,在450～2500nm波长范围的光学透过率达70%以上,其光学吸收边位于280nm左右;在266nm脉冲光激发下,该单晶具有397nm峰值波长的荧光发射。
- 王苏静陈红兵方奇术徐方梁哲蒋成勇杨培志
- 关键词：坩埚下降法光谱性质
- 固相混合法制备Ce:LSO粉体的研究被引量：1
- 2005年
- 采用高纯氧化镥、氧化硅及氧化铈粉体混合后分别在600℃、900℃及1200℃进行煅烧2h,当煅烧温度为1200℃时,有少量硅酸镥生成,但仍有大量氧化镥和氧化硅残留,制备出的粉体颗粒呈不规则状,带有较尖锐的棱角,而且随着反应温度的升高,有明显的团聚现象。在对1200℃煅烧粉体的光谱检测中发现了266nm吸收宽峰,位于381nm的荧光发射峰,位于298nm处的荧光激发峰,与硅酸镥单晶相比,各峰位置有所偏移。
- 蒋成勇陈红兵周昌勇
- 关键词：粉体
- 垂直坩埚下降法生长钨酸镉单晶的缺陷研究
- 钨酸镉(CdWO4)单晶是综合性能优良的闪烁晶体材料,与其它多种无机闪烁晶体相比较,CdWO4闪烁单晶具有发光效率较高、余辉弱、X射线吸收系数大、抗辐照损伤性能强、
- 陈红兵方奇术肖华平徐方王苏静蒋成勇
- 文献传递
- 一种新型红外非线性晶体CsV<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>
- 本发明涉及一种新型红外非线性晶体钒酸铯(简称：CVO)，属于光学和人工晶体材料领域。它的分子式为CsV<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>，属于正交晶系，空间群为I<Sub>ma2</Sub>，单胞参数为：...
- 潘建国张公军刘晓利陈素珍陈红兵蒋成勇
- 文献传递
- 钨酸镉单晶的坩埚下降法生长被引量：3
- 2008年
- 以高纯CdO,WO3为初始原料,应用高温固相反应合成CdWO4多晶料。采用垂直坩埚下降法生长CdWO4单晶,生长单晶时炉体温度为1 350～1 400℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率为0.5～1.5 mm/h。生长的透明的CdWO4单晶尺寸达φ40 mm×70 mm。用X射线衍射、透射光谱和X射线激发发射光谱等进行了单晶性能的表征。结果表明:CdWO4单晶具有良好的晶格完整性;单晶的吸收边位于325 nm左右,在380～900 nm区域的光透过率达70%左右。CdWO4单晶X射线激发发射光的峰值波长位于470 nm。
- 肖华平陈红兵徐方蒋成勇杨培志
- 关键词：闪烁晶体钨酸镉晶体生长坩埚下降法
- 掺杂稀土的镥铝石榴石晶体制备工艺
- 一种新型闪烁或激光材料一掺稀土的镥铝石榴石晶体的生长方法，该材料是以钇铝石榴石这种最常用的闪烁或激光的基质材料之一为基础，在保持原有的光学特性外，通过将镥离子替代钇离子来获得更高的密度和性能，并通过掺杂稀土离子来获得所需...
- 蒋成勇陈红兵周昌勇肖华平徐方
- 文献传递
