您的位置: 专家智库 > >

程兰

作品数:3 被引量:8H指数:2
供职机构:华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与元器件研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇分子
  • 3篇高分子
  • 2篇放电处理
  • 2篇高分子薄膜
  • 2篇场致发射
  • 2篇场致发射阴极
  • 1篇导电高分子
  • 1篇聚苯
  • 1篇聚苯胺
  • 1篇分子材料
  • 1篇高分子材料
  • 1篇苯胺
  • 1篇场发射

机构

  • 3篇华南理工大学

作者

  • 3篇程兰
  • 2篇赖国洪
  • 2篇彭俊彪
  • 2篇曹镛
  • 1篇李政林

传媒

  • 1篇华南理工大学...
  • 1篇发光学报

年份

  • 3篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
放电处理高分子薄膜场致发射阴极的研究被引量:2
2005年
考察了聚苯胺(PANI-CSA)、聚对苯乙烯磺酸(PEDOT)、聚乙烯咔唑(PVK)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)4种高分子薄膜经放电处理后的场致电子发射性能.首先将这些材料配制成溶液分别在ITO玻璃衬底上旋涂成膜,放入真空测试箱中,通过放电处理这些薄膜的表面;再将处理好的薄膜作为阴极发射体.文中比较了这些薄膜的场致发射阈值电压、电流-电压特性曲线以及相应的福勒-诺德海姆(F-N)曲线,测试了这4种高分子薄膜的电导率,比较电导率对放电处理结果的影响.实验证明,电场作用下高分子薄膜的电子发射能力和电导率有关,具较高电导率的高分子薄膜经表面放电处理后其发射能力更强.
彭俊彪程兰赖国洪曹镛
关键词:高分子薄膜场致发射放电处理
导电高分子场发射特性研究被引量:8
2005年
用掺杂樟脑磺酸的聚苯胺 (PANI CSA)形成的导电高分子制成的薄膜作为场致发射的阴极材料,用覆盖了荧光层 (ZnO∶Zn)的氧化铟锡 (ITO)做阳极,由所制成的显示器件得到比较稳定的场致电子发射,并具有较低的场发射阈值电压。通过研究导电高分子薄膜形貌,初步分析了场发射电流机制。认为导电高分子薄膜产生场发射的原因是薄膜在高电场作用下,首先在平整的高分子薄膜表面形成了尖锥和凹陷,提高了场强增强因子 (β)。
赖国洪彭俊彪李政林程兰曹镛
关键词:导电高分子聚苯胺场发射
放电处理高分子薄膜作为场致发射阴极的研究
场致发射显示(FED)是由场发射阵列平面阴极和荧光显示屏两部分组成,场发射阵列平面阴极采用冷阴极电子源,利用高电压压低冷阴极表面的势垒,从而牵引电子发射轰击阳极的荧光屏而发光,其发光原理与CRT类似。FED物理结构使得F...
程兰
关键词:高分子材料场致发射阴极放电处理
文献传递
共1页<1>
聚类工具0