王文新
- 作品数：17 被引量：58H指数：6
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 掺杂(Co,Nb,Pr)的SnO_2介电与压敏性质被引量：9
- 2002年
- 研究了(Co,Nb,Pr)掺杂的SnO_2材料介电和压敏性质.当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2压敏电阻的相对介电常数从670降到280,击穿电压从827V/mm猛增到2 150V/mm.微观结构分析发现:当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示SnO_2的晶粒尺寸迅速减小是介电常数迅速减小及击穿电压急剧增高的原因.对Pr增加引起SnO_2晶粒减小的根源也进行了解释.
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠赵春华
- 关键词：SNO2二氧化锡压敏电阻击穿电压钴掺杂
- (Sr,Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的电学非线性被引量：7
- 2003年
- 研究了Sr对新型 (Co ,Nb)掺杂SnO2 压敏材料微观结构和电学性质的影响 .当SrCO3的含量从零增加到1 5 0mol%时 ,(Co ,Nb)掺杂SnO2 压敏电阻的击穿电压从 2 4 0V mm猛增到 14 82V mm .样品的微观结构分析发现 ,当SrCO3的含量从零增加到 1 5 0mol%时 ,SnO2 的晶粒尺寸迅速减小 .晶界势垒高度测量揭示 ,SnO2 晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的主要原因 .对Sr含量增加引起SnO2 晶粒减小的根源进行了解释 .掺杂 1 5 0mol%SrCO3的SnO2 压敏电阻非线性系数为 2 1 4 ,击穿电压高达 14 82V
- 亓鹏王矜奉陈洪存苏文斌王文新臧国忠王春明
- 关键词：压敏电阻电学非线性
- (Cu,Mg,Nb)掺杂的SnO_2压敏材料的性质
- 2002年
- 研究了 Cu O对 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5压敏材料的密度、非线性特性、介电常数的影响。实验发现 ,适当掺杂 Cu O不仅能增大 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5材料的致密度 ,而且能提高非线性系数 ,减小漏电流。掺 2 % Cu O(摩尔比 )时 ,Sn O2 · Mg O· Nb2 O5材料的致密度达到理论值的 93% ,非线性系数 α高达 9.5 ,压敏电压 V1 m A高于4 2 3V/ mm。在 2 0～ 2 0 0°C温度范围和 0 .1～ 10 0 0 k Hz频率范围 ,Sn O2 · Cu O· Mg O· Nb2 O5的介电常数变化很小 ,应用晶界缺陷势垒模型 ,对 Sn O2 · Cu O· Mg O· Nb2 O5材料压敏特性进行了解释。
- 王矜奉陈洪存张妍宁苏文斌王文新徐丽
- 关键词：掺杂SNO2压敏材料肖特基势垒压敏电阻器
- Na对SnO_2-CoO-Nb_2O_5系压敏材料电学性能的影响
- 2003年
- 研究了Na对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm。样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂0.4mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景。本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因。
- 王春明王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏
- 关键词：压敏材料二氧化锡肖特基势垒压敏电压
- Ag掺杂对新型SnO_2压敏材料的电学性质的影响被引量：3
- 2003年
- 烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2·6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏王春明赵春华高建鲁
- 关键词：氧化银二氧化锡势垒电学非线性掺杂
- Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响被引量：7
- 2003年
- 研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。
- 臧国忠王矜奉陈洪存苏文斌王文新王春明亓鹏
- 关键词：氧化锌压敏材料势垒晶界
- 高性能防雷用氧化锌压敏阀片
- 陈洪存王矜奉赵连义高建鲁张海鹍王文新苏文斌钟维烈张沛霖王春雷
- ZnO压敏电阻具有良好的非线性，已被广泛应用在电子线路、电器设备的过电压保护和浪涌吸收上。防雷器是保护用电设备免受感应雷电袭击的保护器，它对用电保护水平的高低取决于核心器件ZnO压敏阀片。
- 关键词：
- 关键词：防雷器
- Zr掺杂的SnO_2瓷的压敏和介电性质被引量：6
- 2003年
- 目前电子陶瓷工艺普遍采用ZrO2球作为磨介。为了弄清ZrO2球磨损对压敏瓷性能的作用,系统研究了ZrO2对(Co,Nb)掺杂SnO2瓷的压敏和介电性质的影响。当ZrO2的含量(摩尔分数)从0.00增加到1.00%时,(Co,Nb)掺杂的SnO2压敏电阻的击穿电压从345 V/mm增大到485 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 590减小到1 120。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Zr的含量对势垒高度的影响较小。SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Zr掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏王春明赵春华
- 关键词：二氧化锆二氧化锡势垒电学非线性
- (Ba,Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料电学非线性的研究被引量：3
- 2004年
- 通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了BaCO3对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。晶界势垒高度测量表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Ba含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂x(BaCO3)=0.4%的SnO2压敏电阻击穿电压为最小(140V/mm);掺杂x(BaCO3)=0.8%的SnO2压敏电阻具有最高非线性系数(α=19.6),最高的势垒电压(φB=1.28eV)。
- 王春明王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏
- 关键词：碳酸钡二氧化锡压敏材料肖特基势垒压敏电压
- 受主掺杂对SnO<,2>多晶材料压敏性质的影响
- 自从1969年发现ZnO压敏材料以后,人们对ZnO压敏材料进行了广泛、深入的研究,到八十年代中后期,ZnO压敏材料的应用开发日渐成熟.但由于ZnO压敏材料包含多相结构,它的温度稳定性和老化问题一直没有得到根本的改善.19...
- 王文新
- 关键词：压敏材料受主非线性
- 文献传递
