牛健
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
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- 半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀被引量：1
- 2003年
- 研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比 (从 0 0 2到 0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件 (室温 2 3℃ ,腐蚀时间 4min)以及最佳配比 (体积比为 0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求 .
- 辛国锋陈国鹰冯荣珠花吉珍安振峰牛健赵卫青
- 关键词：半导体激光器阵列扫描电子显微镜
- 940nm20%占空比InGaAs/AlGaAs大功率LD线阵被引量：3
- 2004年
- 采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术,制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20%占空比半导体激光器。采用良好的封装方式,激光器直接封装在高效导热载体上,对载体水冷散热,在脉冲频率500Hz,脉冲宽度400μs下,驱动电流105A时输出功率高达90.6W,最高电 光转换效率42.3%,斜率效率0.94W/A。器件中心激射波长941.8nm,光谱半高全宽3.3nm。
- 赵卫青安振峰陈国鹰辛国锋牛健沈牧
- 关键词：线阵占空比金属有机化合物气相淀积斜率效率
- 应用晶片键合技术制作激光器
- 2004年
- 针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法。
- 牛健陈国鹰花吉珍赵卫青
- 关键词：晶片键合激光器材料GAAS衬底脊波导键合工艺量子阱激光器
- 连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器被引量：3
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电流密度为 177.8A/cm2。该波长的半导体激光器是 Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。
- 辛国锋陈国鹰花吉珍康志龙赵卫青安振峰冯荣珠牛健
- 关键词：半导体激光器金属有机化合物气相淀积连续波MOCVD材料结构
- MOCVD生长量子阱激光器材料及结构的优化设计
- 大功率半导体量子阱激光器是一种性能优越的发光器件,具有寿命长、阈值电流密度低、效率高、亮度高以及良好的单色性、相干性、方向性等特点,广泛应用于军事、工业加工、通信及信息处理、医疗保健等领域.材料的外延生长是整个激光器器件...
- 牛健
- 关键词：MOCVD半导体量子阱激光器材料结构光致发光
