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潘鸣

作品数:61 被引量:61H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第五十研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

文献类型

  • 40篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇机械工程
  • 3篇理学
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 22篇探测器
  • 11篇图像
  • 9篇移频
  • 9篇光纤
  • 8篇红外
  • 7篇电极
  • 7篇光电
  • 6篇载流
  • 6篇载流子
  • 6篇数据拟合
  • 6篇太赫兹
  • 6篇退火
  • 6篇热退火
  • 6篇刻蚀
  • 6篇快速热退火
  • 6篇光生
  • 5篇点目标
  • 5篇耦合器
  • 5篇光电转换
  • 5篇光电转换器

机构

  • 42篇中国电子科技...
  • 22篇中国科学院
  • 3篇中国科学院研...
  • 2篇中国科学院国...
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇电子工业部

作者

  • 60篇潘鸣
  • 36篇侯丽伟
  • 35篇王兵兵
  • 33篇王晓东
  • 30篇谢巍
  • 21篇关冉
  • 20篇周德亮
  • 16篇刘素芳
  • 15篇汪瑞
  • 14篇俞旭辉
  • 13篇鲁斌
  • 12篇裴云天
  • 6篇侯丽伟
  • 5篇石勋
  • 4篇王钢
  • 4篇龙卓瑜
  • 4篇郑新波
  • 4篇谢巍
  • 3篇方中华
  • 3篇冯翔

传媒

  • 6篇科学技术与工...
  • 4篇红外技术
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇电波科学学报
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇光子学报
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇第九届全国电...
  • 1篇第九届全国信...

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 11篇2017
  • 6篇2016
  • 10篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2004
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法
本发明提供了一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法,包括在高导硅衬底上外延生长硅掺砷吸收层,掺杂砷离子;在吸收层上外延生长高阻硅阻挡层;再通过光刻、离子注入、快速热退火、深硅刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、反应离子...
陈雨璐王兵兵王晓东张传胜谢巍侯丽伟潘鸣
文献传递
IRFPA图像采集系统的设计与实现被引量:3
2004年
介绍了基于USB2.0的高速红外图像采集系统的总体设计思想.用CPLD实现IRFPA探测器和FIFO的时序控制驱动电路、奇偶数据整合,采用FIFO作为数据缓存,达到了系统结构简化和性能优化的目的.研制出一套完整的红外焦平面高速图像采集系统.结果表明该系统能够满足使用要求.
潘鸣裴云天吴贵臣赖雪峰
关键词:USB2.0IRFPAFIFOCPLD数据采集
基于FPGA的凝视红外图像预处理算法的硬件结构设计与实现被引量:2
2007年
介绍了一种针对凝视红外图像预处理应用而设计的FPGA硬件算法结构,该结构充分发挥了FPGA高速、并行计算能力,能在信号读出过程中实时地完成红外图像非均匀性校正(基于定标)、盲元补偿、邻域处理(卷积滤波/中值滤波)以及直方图统计等功能。将该结构应用到凝视红外系统的前端,不需额外占用处理时间,为后端信息处理节约出时间,是一种高效、快速的预处理方案,并在实际的成像实验中得到了验证。
赖雪峰石勋潘鸣裴云天
关键词:红外图像预处理FPGA
补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器芯片及其制备方法
本发明公开了一种补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器芯片及其制备方法,包括在高导Si衬底上,采用化学气相沉积工艺外延生长硅掺磷吸收层,掺杂磷离子;在吸收层上通过补偿掺杂工艺外延生长高电阻率阻挡层,补偿掺杂硼离子;再通过光刻、离...
王兵兵王晓东潘鸣侯丽伟谢巍臧元章关冉
文献传递
一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器
本发明提供一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器,该方法首先通过数值模拟分别得到铟镓砷红外探测器件在不同情况下,其响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线,然后通过数据拟合得到铟镓砷红外探测器件响应率取最大值时吸收层...
王晓东王兵兵潘鸣侯丽伟谢巍臧元章周德亮俞旭辉邹锶刘素芳关冉鲁斌汪瑞
文献传递
基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法
本发明是一种基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法,包括下述步骤:在SOI材料的顶硅层上采用原位掺杂工艺外延生长吸收层;在所述吸收层上重掺杂生长导电层;在所述导电层上键合高阻硅晶圆;通过深硅刻蚀工艺去除所述SOI材料的底硅...
王兵兵王晓东潘鸣侯丽伟谢巍臧元章关冉
文献传递
窄线宽的太赫兹探测器
本发明提供了一种窄线宽的太赫兹探测器包括第一激光器(1)、第一光纤耦合器(2)、第一光开关(3)、第一移频环(4)、第二关开关(5)或第一滤波器、第三光纤耦合器(6)和太赫兹探测部;其中,所述第一激光器(1)连接所述第一...
邹锶俞旭辉潘鸣侯丽伟谢巍臧元章周德亮王晓东王兵兵刘素芳关冉鲁斌汪瑞
文献传递
窄线宽太赫兹发生器
本发明提供了一种窄线宽的太赫兹发生器包括第一激光器(1)、第一光纤耦合器(2)、第一光开关(3)、第一移频环(4)、第二关开关(5)或第一滤波器、第三光纤耦合器(6)和第一带太赫兹辐射天线;其中,所述第一激光器(1)连接...
俞旭辉邹锶潘鸣侯丽伟谢巍臧元章周德亮王晓东王兵兵刘素芳关冉鲁斌汪瑞
文献传递
级联快速旋转延迟扫描装置
本发明提供了一种级联快速旋转延迟扫描装置,将两个或多个快速旋转延迟扫描器进行级联,各个旋转延迟扫描器台阶的高度差存在类似于进制的关系。两个或多个旋转延迟扫描器同时作用改变光程,当第一级的旋转延迟扫描器旋转一周时,第二级的...
臧元章关冉邹锶潘鸣侯丽伟俞旭辉谢巍周德亮王晓东王兵兵刘素芳鲁斌汪瑞
文献传递
压电双晶片扫描器的低温迟滞蠕变特性被引量:3
2012年
研究了用于空间红外相机低温光学系统的压电双晶片扫描器的低温迟滞蠕变问题。压电双晶片具有行程大,不发热,在低温下仍然能够工作等优点,然而由于压电陶瓷固有的迟滞蠕变特性,使得其扫描精度受到了较大的影响。本文在常温和低温下,对所研制的压电双晶片扫描器的迟滞和蠕变特性进行实验研究和特性对比。结果显示:尽管压电双晶片扫描器的迟滞量和蠕变量均有大幅度下降,但由于总行程的下降幅度更大,使得迟滞度和蠕变系数有较大上升;120K下的迟滞度约为300K下的2倍,120K下的蠕变系数比300K下的上升了一个数量级。低温下压电双晶片扫描器的迟滞和蠕变特性相比常温下更加严重,这给其在低温下的高精度应用带来了更大的影响。
张旋潘鸣
关键词:红外相机压电双晶片
共6页<123456>
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