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杨志鸿

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇INGAAS...
  • 2篇探测器
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇半导体
  • 1篇导体
  • 1篇液相外延
  • 1篇实用化
  • 1篇平面型
  • 1篇外延层
  • 1篇外延层生长
  • 1篇量子
  • 1篇量子效率
  • 1篇可见光
  • 1篇可见光激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇光电探测器件
  • 1篇半导体工艺

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇杨志鸿
  • 4篇王树堂
  • 2篇曾靖
  • 1篇马骁宇
  • 1篇孙捷
  • 1篇陈良惠
  • 1篇郭良
  • 1篇朱龙德
  • 1篇熊飞克
  • 1篇归强
  • 1篇沈戎
  • 1篇夏彩虹

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇1996
  • 2篇1993
  • 1篇1991
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
1996年
用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。
熊飞克郭良马骁宇杨志鸿王树堂陈良惠
关键词：半导体激光器GAINPALGAINP
InGaAs/InP-SAGM-APD结构的液相外延生长研究
1991年
本文讨论了InP/InGaAsP/InGaAs/InP SAGM-APD结构的抗回熔生长,并解决了InP在InGaAs上液相外延生长时的回熔问题。同时,研究了各外延层参数的控制。结果制得的器件,其最大雪崩倍增20,0.9V_B下暗电流14nA,响应度大于0.6A/W。
杨志鸿王树堂曾靖
关键词：INGAAS/INP液相外延外延层生长
MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件被引量：2
1993年
讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。
杨志鸿王树堂曾靖朱龙德孙捷夏彩虹沈戎归强
关键词：量子效率
高速ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ光电探测器
杨志鸿王树堂
关键词：光电探测器传输特性半导体工艺
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