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张志娇

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：西华师范大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇溅射
  • 1篇工作气压
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇SI
  • 1篇TM
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...
  • 1篇MO
  • 1篇MO薄膜
  • 1篇表面形貌
  • 1篇沉积速率
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇西华师范大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇绍兴文理学院

作者

  • 2篇张志娇
  • 1篇牛忠彩
  • 1篇朱燕艳
  • 1篇任维义
  • 1篇汪建军
  • 1篇廖国
  • 1篇何智兵
  • 1篇冀婷
  • 1篇曾体贤
  • 1篇谌家军
  • 1篇陈太红
  • 1篇方泽波
  • 1篇许华
  • 1篇杨晓峰
  • 1篇张玲
  • 1篇王冰
  • 1篇李俊

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇表面技术

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究
2012年
利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.
汪建军方泽波冀婷朱燕艳任维义张志娇
关键词：X射线光电子能谱
工作气压对磁控溅射Mo膜的影响被引量：4
2011年
采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1～0.5Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5～1.5Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加;不同工作气压下制备的Mo膜为立方结构,在较低工作气压下薄膜结晶性能较好。
廖国王冰张玲牛忠彩张志娇何智兵杨晓峰李俊许华陈太红曾体贤谌家军
关键词：直流磁控溅射MO薄膜工作气压沉积速率表面形貌
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