张崇仁
- 作品数：7 被引量：7H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 异质谷间转移电子效应的实验研究被引量：7
- 1993年
- 使用Gunn器件作为X电子的探测器研究了直接能隙/间接能隙(Direct Gap/Indirect Gap,简作“D/I”)异质结构在电场作用下的谷间转移电子效应。把这种异质结构制作在Gunn器件的阴极上观察到二极管直流伏安特性和射频工作性能的显著变化。它的振荡频率显著降低,振荡效率和输出功率增大,频率稳定度提高,而且脉冲振荡功率显著增大。已在8mm波段获得320mW的振荡功率,最大效率8％。用异质谷间转移电子(Heterostructure Intervalley Transferred Electron,简作"HITE”)效应解释了器件性能的这些突变,从而在实验中首次证实了这一新效应。
- 薛舫时邓衍茂张崇仁陈宗圭
- 关键词：电子效应异质结半导体
- 脉冲输出大于１Ｗ的８ｍｍ体效应二极管
- 张崇仁
- 关键词：体效应二极管脉冲电路极高频
- GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究
- 1996年
- 本文介绍了应用直接带隙ＧａＡｓ和间接带隙ＡｌＡｓ构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件一异质谷间转移电子器件，概述了器件的结构和基本的微波工作特性。器件已在８ｍｍ波段输出３２０ｍＷ连续波功率，最高振荡效率８％，脉冲工作时输出功率达２Ｗ，效率１０％，然后着重介绍该器件的振荡频率，输出功率随偏压的变化关系，突出它与常规耿氏器件之间的差异。最后简要描述器件计算机模拟中求出的器件内的电场结构和两能谷电流分布以及正反向偏压下器件交流工作中的电场结构，由此解释了实验中观察到的种种工作特性。从而深化了对异质谷间转移电子器件及其工作机理的研究。
- 薛舫时邓衍茂张崇仁
- 关键词：电子器件振荡
- 长波长InGaAs扩散结PIN光电二极管正面入光结构的理论分析
- 1987年
- 本文指出,对扩散pn结的正面入光结构,突变结理论有一定局限性。由于p^+区内杂质浓度的分布,在扩散区中存在十分强的自建漂移场,因而光生载流子将在自建场的作用下漂移进pn结内。由于载流子的漂移速度V_d远大于扩散速度V_f,因此可制得性能优异的PIN光电二极管,制作工艺比背面入光结构简单。已制得光电响应时间低达80ps的正面入光PIN二极管。
- 张崇仁
- 关键词：光电二极管INGAASPIN
- 异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW
- 1992年
- 当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。
- 薛舫时邓衍茂张崇仁彭正夫张允强
- 关键词：异质结电子器件
- 毫米波脉冲体效应二极管
- 1997年
- 报导了脉冲输出大于1W的8mm体效应二极管，给出了器件结构和参数设计及其电参数研究。器件最佳性能为36．5GHz下，脉冲输出功率1．5W。用于8mm脉冲锁相放大器中，获得了增益13dB，输出大于0．66W，带宽大于1．5GHz的结果。
- 张崇仁
- 关键词：毫米波脉冲体效应二极管体效应器件
- 长波长InGaAs扩散结PIN光电二极管正面入光结构的理论分析
- 张崇仁
- 关键词：光电二极管漂移速度半导体物理
