您的位置： 专家智库 > >

张兴宏

作品数：5 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇HEMT
  • 2篇电子浓度
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇砷化镓
  • 2篇迁移率
  • 2篇镓铝砷
  • 2篇镓铝砷化合物
  • 2篇晶体管
  • 2篇沟道
  • 2篇ALGAAS...
  • 1篇亚微米
  • 1篇数值模拟
  • 1篇迁移
  • 1篇微米
  • 1篇量子
  • 1篇量子模型
  • 1篇界面态
  • 1篇毫米波
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇张兴宏
  • 4篇杨玉芬
  • 2篇王占国

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇第八届全国毫...
  • 1篇第九届全国化...

年份

  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
毫米波InAlAs/InGaAs/InP HEMT沟道中电子的二维分布
首次建立了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的二维量子模型，此模型是基于薛定谔方程和泊松方程自洽求解。根据这个模型，他们计算得到了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＨＥＭＴ沟道中二维电子...
杨玉芬张兴宏
HEMT材料界面特性及其器件的二维数值模拟
该论文从实验和二维数值模拟两方面深入研究了HEMT结构中二维电子气(2DEG)的输运性质和器件沟道中电子浓度分布以及电场分布.并详细讨论了异质结中界面态对HEMT沟道中二维电子和电场分布的作用以及对HEMT秆流和微波特性...
张兴宏
关键词：晶体管量子模型数值模拟电子浓度电子迁移率
亚微米栅高电子迁移率晶体管的二维数值分析
张兴宏杨玉芬
关键词：晶体管迁移率
AlGaAs/GaAs HEMT中界面态对沟道层电场特性影响的二维数值研究被引量：4
1998年
本文建立了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的二维量子模型，这个模型是基于在ＧａＡｓ沟道中用自洽求解薛定谔方程和泊松方程．用二维数值模拟得到了ＨＥＭＴ沟道中横向电场和纵向电场的二维分布，详细研究了不同固定界面态密度对沟道中横向电场和纵向电场的影响．
张兴宏杨玉芬王占国
关键词：HEMT砷化镓镓铝砷化合物
δ掺杂AlGaAs/GaAsHEMT的二维量子模型
1997年
本文我们首次建立了δ掺杂AlGaAs／GaAs高电子迁移串晶体管（HEMT）的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性，根据这个模型，我们应用二维数值模拟方法和自治求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度，同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度．模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子附中．详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化．
张兴宏杨玉芬王占国
关键词：掺杂砷化镓镓铝砷化合物
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0