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廖忠平
作品数:
5
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李泽宏
电子科技大学光电信息学院电子薄...
谢刚
电子科技大学光电信息学院电子薄...
易黎
电子科技大学光电信息学院电子薄...
周春华
电子科技大学光电信息学院电子薄...
钱梦亮
电子科技大学光电信息学院电子薄...
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传媒
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2009
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2008
3篇
2007
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一种新型超势垒整流器SBR的设计
分析了一种新型的超级势垒整流器SBR(SBR:Super Barrier Rectifier)。理论分析SBR结构势垒,建立了该器件正向压降的解析式,同时设计了该器件的工艺制程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规...
廖忠平
李泽宏
周春华
钱梦亮
谢刚
吕沛
王宇
易黎
关键词:
结构参数
一种阳极短路的隧道泵IGBT
一种阳极短路的隧道泵IGBT,属于半导体功率器件技术领域。本发明是在传统IGBT中同时引入阳极短路结构和隧道泵结构,或是在单纯的阳极短路的IGBT中引入隧道泵结构,或是在单纯的隧道泵的IGBT中引入阳极短路结构,使得本发...
李泽宏
谢刚
廖忠平
马俊
张波
文献传递
一种新型超势垒整流器
2008年
提出了一种新型的超势垒整流器(SBR)。对SBR结构势垒进行了理论分析,建立了该器件正向压降的解析式,并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小,反向恢复特性优于常规PN结二极管;SBR比肖特基二极管的可靠性高。该分析可以很好地指导这类整流器件的设计。
谢刚
廖忠平
李泽宏
周春华
钱梦亮
吕沛
王宇
易黎
关键词:
正向压降
反向恢复
可靠性
基于多晶硅二极管的DMOS器件ESD保护
设计了一种基于多晶硅二极管的DMOS器件的ESD保护。多晶硅二极管作为ESD保护较体硅二极管而言,降低了器件泄漏电流,消除了衬底耦合噪声和寄生效应。仿真分析了多晶硅二极管ESD保护结构,确定了结构参数,并对其ESD保护能...
易黎
李泽宏
周春华
胡永贵
刘勇
谭开洲
廖忠平
吕沛
关键词:
金属-半导体二极管
静电保护
电路测试
横向局域寿命控制功率IOC-FRD的设计
提出了具有横向局域寿命控制的功率IOC-FRD(IOC-FRD:Ideal Ohm Contact-Fast Recovery Diode)器件。借助电荷分析法,获得该器件的等效少子寿命的解析式,从而建立了存储时间的表达...
吕沛
李泽宏
谢刚
王宇
廖忠平
易黎
关键词:
快恢复二极管
优化设计
欧姆接触
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