吴立军
- 作品数：8 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家攀登计划教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 晶体生长固/液界面杂质分凝机制的研究
- 该文选取Sr(NO<,3>)<,2>作为研究对象,围绕晶体生长固/液界面杂质分凝机制的探 索,开展了一系列的研究.主要有以下的结果:1、晶体生长速率是影响固/液界面杂质分凝行为的关键因素.当分凝系数小于1时,随着生长速率...
- 吴立军
- 关键词：晶体生长
- 文献传递
- 用微区分析X射线荧光光谱法测定Sr(NO<,3>)<,2>晶体中不同晶面Ni浓度
- 王鹤泉吴立军
- 关键词：X射线荧光光谱
- 文献传递
- 空间溶液晶体生长关键技术研究和原理样机研制
- 陈万春方竞张明生沈蕴雪尹真白树林陈国幼马文漪杨子立刘道丹张春林谢安云吴立军
- 进行了“空间溶液晶体生长关键技术研究和原理样机研制”项目研究。包括：空间晶体生长技术、温控技术、机械传动技术、结晶器设计和加工技术、加热器设计和加工技术、光学干涉和相移技术、图像采集、记录、显示和处理技术、固－液界面边界...
- 关键词：
- 关键词：晶体生长原理样机
- Sr(NO)<,9>晶体生长过程中的杂质分凝研究
- 吴立军李超荣陈万春
- 关键词：晶体生长
- 杂质离子在Sr(NO_3)_2晶体中分凝行为的研究被引量：2
- 2001年
- 本工作研究了Ba2 + ,Pb2 + ,Ca2 + 等 9种金属离子在Sr(NO3) 2 晶体生长过程中的分凝行为 .采用蒸发溶剂方法生长晶体 .蒸发溶剂的温度固定在 45℃ .掺杂离子在初始溶液中的浓度的摩尔分数为 0 .2 %～ 0 .0 2 % .使用等离子发射光谱和电子探针测定了杂质离子在溶液和晶体中的分布 .研究发现 :主体相Sr(NO3) 2 和杂质硝酸盐结构的类同性 ,是杂质离子易于进入晶格的关键因素 ;杂质硝酸盐的溶解度越小 ,杂质越容易进入晶体 ;在同一晶体中Ba2 + 离子在 (10 0 )扇形富集 ,它与晶体在不同结晶方向的表面结构有关 .
- 吴立军陈万春粱敬魁
- 关键词：溶液晶体生长非线性光学晶体
- 高分辨X射线衍射研究杂质对晶体结构完整性的影响被引量：11
- 2001年
- 用水溶液生长晶体的方法生长出了不同掺杂的Sr(NO3) 2 晶体 .用电子探针研究了杂质在晶体中的分布情况 .结果表明 ,杂质在晶体中存在扇形分凝 ,其中Ba在 {10 0 }扇形区的含量大于 {111}扇形区 ,而Pb的分凝情况相反 ,在{111}扇形区的含量大于 {10 0 }扇形区 .用高分辨X射线衍射摇摆曲线技术研究了纯的、掺Ba的和掺Pb的Sr(NO3) 2晶体的完整性情况 ,并用X射线衍射动力学理论计算了完整Sr(NO3) 2 晶体的高分辨X射线衍射摇摆曲线 .结果表明纯Sr(NO3) 2 晶体的完整性很高 ,在扇形区内的摇摆曲线与理论计算结果很接近 ,但在扇形区的边界由于应力的存在而使得完整性有所降低 .掺杂会降低Sr(NO3) 2 晶体的质量 ,并使得晶体完整性在不同的生长扇形区不一致 .掺Ba的Sr(NO3) 2 晶体 ,其结构完整性在 {111}生长扇形区比 {10 0 }生长扇形区高 ,而掺Pb的Sr(NO3) 2 晶体则相反 ,{10 0 }生长扇形区的质量高于 {111}生长扇形区 ,这与它们的扇形分凝特征一致 .
- 李超荣吴立军陈万春
- 关键词：高分辨X射线衍射晶体生长晶体结构完整性
- Ba~(2+)对Sr(NO_3)_2晶体生长的影响
- 2000年
- 寻找固态Raman激光器中的变频材料并使其能够满足科学研究和实际应用的需要已变得越来越重要。研究表明 ,含有NO3 基团的分子晶体应有很强的受激Raman散射效应。由于Ba(NO3 ) 2 晶体的NO3 基团在 1 0 47cm-1有一个很强的Raman活性峰 ,它能将Nd∶YAG激光器发出的波长为 1 .31 8～ 1 .338μm的激光变频到对人眼睛安全的波长为 1 .5 35～ 1 .5 5 6 μm的激光 ,转换效率达到 48%。但在我们的实验过程中发现 ,要生长出大晶体比较困难 ,而Sr(NO3 ) 2 晶体生长起来则较为容易。Sr(NO3 ) 2 和Ba(NO3 ) 2 为类质同构晶体 ,Sr(NO3 ) 2 晶体中的NO3 基团在 1 0 5 5 .6cm 1也有一个很强的Raman活性峰。所以 ,Sr(NO3 ) 2 晶体应该是一种很有前景的Raman激光变频材料。为此 ,我们研究了Sr(NO3 ) 2 晶体的生长以及Ba2 +离子掺入后的影响。Sr(NO3 ) 2 晶体用降温和蒸发溶剂两种方法生长。蒸发溶剂的生长温度固定在 5 0℃ ;降温生长的起始温度为 40℃。配制Sr(NO3 )...
- 吴立军谢安云李超荣陈万春
- 关键词：溶液晶体生长
- 有限元技术用于研究熔体生长中的小面化现象
- 2000年
- 开发了一种基于边界保角变换技术的有限元方法来处理自由边界问题 ,并成功地将其用于晶体定向生长过程中的界面动力学影响的研究。所建立的基于石榴石熔体生长过程的各向异性的界面动力学模型可导致相界面上小面的出现。讨论了界面动力学模型中的最大偏移角θmax对小面的形状和计算误差的影响 ,给出了一种十分有效地降低计算误差的措施 :在模型方程中适当计入表面张力的影响。
- 刘永才刘永才陈万春吴立军
- 关键词：有限元方法晶体生长
