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刘云飞: 作品数：68 被引量：95H指数：5; 供职机构：南京工业大学更多>>; 发文基金：江苏高校优势学科建设工程资助项目江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：一般工业技术化学工程理学电气工程更多>>

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用背散射电子成分像对几种晶型阿利特的早期水化活性差别的定量评价: 2015年; 采用固相法合成硅酸三钙（C3S）和阿利特,通过掺杂不同含量的MgO得到几种典型晶型的阿利特。利用X线衍射仪（XRD）测定阿利特的晶型,发现MgO掺杂量为0、05%、10%和20%（质量分数）时,阿利特在室温下能够分别以T1、T1＋M1、M1及M3型稳定存在。通过Image Pro Plus（IPP）软件对阿利特水化早期（3、7及14 d）样品的背散射电子像进行定量分析,测定不同颗粒尺寸范围内4种晶型阿利特的水化程度。结果表明：对水化活性最敏感的粒径范围为〉6-17μm,水化早期4种晶型阿利特的水化活性由小到大依次为T1、T1＋M1、M3和M1。; 陈业云周纪平奚圣海陈虎刘云飞闵辉华吕忆农; 关键词：阿利特水化活性颗粒尺寸

M1型阿利特超晶胞与伪六方亚晶胞之间的取向关系及转换矩阵: 2012年; 通过透射电子显微镜(TEM)对M1型阿利特进行研究。分别基于伪六方亚晶胞和M1超晶胞对选区电子衍射(SAED)花样和高分辨透射电子显微(HRTEM)像进行分析,确立伪六方亚晶胞和M1超晶胞之间的取向关系,即:(600)M1、(020)M1和(002)M1分别相当于(ī08)H、(ī20)H和(ī02)H,[100]M1∥[211]H、[010]M1∥[010]H以及[001]M1∥[■ī]H,同时还提出了两者之间的转换矩阵。由超结构产生的衍射斑点方向平行于[2■7]H*/[9■■]M1*,具有一维非公度调制特征。调制结构在HRTEM像中以波状条纹衬度的形式展现并平行于(2■7)H/(9■■)M1,条纹间距为1.25 nm。; 闵辉华刘云飞高虹朱健民陈业云吕忆农; 关键词：阿利特调制结构透射电子显微术

一种微波水热法合成Bi0.5Na0.5TiO3球形颗粒的方法: 本发明涉及一种微波水热法合成Bi0.5Na0.5TiO3球形颗粒的方法，其具体步骤为：首先配制硝酸铋溶液，然后向其中滴入含钛化合物溶液，形成均匀的混合溶液...; 吕忆农刘云飞戴沈华施书哲; 文献传递

一种高阻值高B值NTC热敏陶瓷材料及制备方法: 本发明涉及一种具有高阻值高B值NTC热敏陶瓷材料及制备方法。其化学通式为Ni0.6Mn2.4-xTixO4，其中0.3≤x≤1，原料...; 吕忆农马成建刘云飞; 文献传递

钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜、制备方法及应用: 本发明提供一种钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜、制备方法及其应用，通过溶胶‑凝胶法在钛酸锶铋基中引入钛酸钡铁电材料，提高材料的介电常数以及致密度，进而提高材料的储能性能，在此基础上，结合引入Mn元素，使得材料的击穿场强提升，使...; 罗进周晋锋吕忆农刘云飞

熔盐法合成片状NaNbO3晶体被引量：3: 2009年; 片状NaNbO3晶体可作为反应模板晶粒生长技术(RTGG)制备高取向铌酸钾钠无铅压电陶瓷的模板晶体,通常采用两步熔盐法合成.首先合成片状Bi2.5Na3.5Nb5O18(BNN5)晶体,然后以BNN5晶体作为前驱体合成NaNbO3晶体.借助X射线衍射(XRD)仪、扫描电镜(SEM)及高分辨透射电镜(HRTEM),考察合成温度以及保温时间对晶体物相、形貌和尺寸的影响并揭示片状NaNbO3晶体的形成机理.结果表明:以NaCl为熔盐,1150℃保温4h,得到物相单一、形貌规则、尺寸均一的片状NaNbO3晶体,晶体尺寸约为15μm×10μm×1μm.片状NaNbO3晶体的形成机理是高温条件下由于熔盐中Na2CO3作用,BNN5晶体中[Bi2O2]层被破坏,Bi3+、O2-不断从结构中析出,[Bi2O2]层脱离.同时一部分Na+进入晶格中取代[NbO6]八面体空隙中的Bi3+,另一部分Na+进入[Bi2O2]层脱离后形成的空位中与NaNbO3基元进行结构重排,最终形成NaNbO3晶体.; 邢少青刘云飞施书哲吕忆农; 关键词：无铅压电陶瓷

微波水热法合成Eu^(3＋)掺杂的SrMoO_4红色荧光粉被引量：5: 2011年; 采用微波水热的方法在中性水溶液中合成平均长6μm、中间宽4μm的梭子形SrMoO4基体材料,并研究反应物浓度和Eu3+的掺杂量(摩尔分数3.75%～30%)及EG/H2O体积比等条件对合成的SrMoO4粉体形貌的影响。结果表明:随着Eu3+浓度的增加,形貌向片状结构转变。另外,在掺杂7.5%Eu3+时,采用加入乙二醇(EG)的方法,抑制了片状结构的生成。随着EG比例的增加,颗粒分布趋向均匀,粒径逐渐变小。当EG与H2O体积比为4∶1时,得到了分布均匀、长约0.8μm的梭子状SrMoO4∶Eu3+粉体。荧光光谱分析结果表明,梭子状SrMoO4∶Eu3+(7.5%)粉体能够被近紫外(395 nm)或者蓝光(463 nm)有效地激发,从而发射波长为614 nm的红光。; 戴沈华刘云飞吕忆农夏丽莉闵辉华孙星

一种钛酸钡/钛酸锶叠层复合材料的制备方法: 本发明涉及一种使用电泳沉积技术在水溶液中制备钛酸钡/钛酸锶叠层复合材料的方法；其具体步骤为：分别在两个容器中分别配制钛酸钡和钛酸锶水溶液悬浮液，分散后调节溶液pH；使用石墨电极作阴极和阳极，用直流电源来提供电压；将电极放...; 吕忆农徐明刘云飞施书哲; 文献传递

Eu^3＋取代Bi1．5MgNb1．5O7陶瓷的结构与介电性能: 2013年; 采用固相法制备Bi1.5-xEuxMgNb1.5O7(x=0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6)陶瓷。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪分别对陶瓷的相结构、显微结构和介电性能进行表征。结果表明:当Eu3+取代量(x)较小(x≤0.5)时,所有组分的陶瓷样品均保持单一的焦绿石相;当x=0.6时,样品出现少量的EuNbO4杂相。随着Eu3+取代量的增加,陶瓷的介电常数逐渐减小,介电损耗先减小后增大,温度系数显著增大。当x=0.5时,1 MHz下测得的介电常数为96,介电损耗为3.8×10-4,温度系数变成-12×10-6℃-1。因此,通过适当的Eu3+取代可以获得适用于Ⅰ类多层陶瓷电容器性能优异的介质材料。; 黄保帅刘云飞吕忆农高虹; 关键词：BI1 离子取代介电性能

ZnO纳米线阵列的侧面生长机理被引量：4: 2005年; 通过一种简单的无催化剂存在的气相生长工艺制备了侧面长成梳状结构的ZnO纳米线阵列。沿[0001]方向生长的ZnO纳米线按照100～500nm的间隔有规律地排列在梳底一侧。单晶梳底沿着[2110]方向生长到±(0110)和±(0001)面终止。所得均一纳米线的直径和长度分别为40～100nm和0.5～2.0μm。纳米线阵列的侧面生长成为微米梳,是气体分子自组装成纳米线和一步法组装成微米结构的重要例子。本文详细讨论了ZnO纳米线阵列生长成为微米梳的生长机理。; 施书哲徐明黄礼胜刘云飞卢都友吕忆农; 关键词：氧化物半导体材料