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何军辉: 作品数：37 被引量：62H指数：4; 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏省科技支撑计划项目教育部留学回国人员科研启动基金更多>>; 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

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室温型镀Sn熔盐中Sn离子种类的研究被引量：1: 2001年; The ionic species in SnCl\-2-1-butylpytidinium chloride (BPC) ambient temperature molten salt electrolytes were investigated by using the computer simulation method. It was found that the Sn electrode potential was changed suddenly at 50.0% mole fraction SnCl\-2. The major ionic specie in the 33.3%SnCl\-2 melt is SnCl\+-\-3 and that in the 66.6% SnCl\-2 melt is Sn\-2Cl\+-\-5. Both SnCl\+-\-3 and Sn\-2Cl\+-\-5 existed in the 50.0%SnCl\-2 melt.; 凌国平何军辉胡鹰; 关键词：熔盐氯化水溶液室温非水电解液

硅基光电薄膜异质生长及其应用基础研究: 叶志镇黄靖云赵炳辉张昊翔马德伟汪雷朱丽萍何军辉季振国李先杭; 硅是当前微电子器件与集成电路的重要基础材料，在硅基上异质生长光电晶体薄膜、并实现其单片光电集成是半导体和光电子科学领域中多年来一直积极探索并期待解决的重大研究课题。新型宽禁带半导体GaN、ZnO及其合金晶体薄膜是紫蓝光发...; 关键词：; 关键词：硅基光电薄膜

Ba_2YRu_(1-x)Cu_xO_6陶瓷的结构和磁性被引量：2: 2007年; 采用固相反应技术合成了Cu掺杂的Ba2YRu1-xCuxO6(x=0,0.1,0.15)体系.多晶X射线衍射表明3种样品均具有双倍周期的钙钛矿结构,属于立方晶系;计算得出Ba2YRuO6的晶格常数a为0.834 nm,而Cu的掺杂对晶格常数影响很小.基于双倍周期晶胞的多晶衍射理论计算表明,Y离子和Ru离子分别有序占据原子等效位置,且发现(111)衍射峰为有序分布时的特征峰.利用振动样品磁强计(VSM)技术测量了样品的室温磁化曲线,表明样品在室温下呈现典型的顺磁行为.; 周庆路夏炜炜徐洪芳顾世浦何军辉; 关键词：钙钛矿晶体结构磁性

SrMn_(0.5)Fe_(0.5)O_3的自旋玻璃态和过渡金属离子价态的研究: 2010年; 采用固相反应法制备了SrMn0.5Fe0.5O3陶瓷样品,并对样品的晶体结构,磁性和离子价态进行了系统的表征与分析.X射线衍射谱的Rietveld拟合表明样品属于理想的立方钙钛矿型结构,Mn离子和Fe离子随机占据B位的O八面体中心.X射线光电子能谱表明Mn离子为+3和+4的混合原子价态,Fe离子为+3价.样品在大于230K的高温区域呈现Curie顺磁特性,在小于230K的低温区域样品表现出自旋玻璃态行为,这种特性源于Mn离子和Fe离子之间的交换作用及自身价态和分布的不均匀性.由于Fe3+离子占据O八面体的中心,对顺磁区的Mssbauer谱测量表现为四级分裂.; 梅烨陈亮曹永珍刘宝琴何军辉朱增伟许祝安; 关键词：晶体结构价态顺磁自旋玻璃态

非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜及生长机制探讨被引量：2: 2003年; 利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO_2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO_3光波导薄膜。利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO_3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数。非晶态SiO_2过渡层上的LiNbO_3薄膜由尺度约为150 nm×150 nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构。棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO_3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导。此外,对于LiNbO_3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式。; 何军辉叶志镇; 关键词：光波导薄膜脉冲激光沉积

氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO_3晶体薄膜的影响被引量：6: 2003年; 本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜 ,LN(0 0 6 )衍射峰的半高宽为 0 2 1°。; 王新昌叶志镇何军辉黄靖云顾星卢焕明赵炳辉; 关键词：PLD法硅衬底 C轴取向薄膜生长脉冲激光沉积

重电子化合物LiV_2O_4的电子结构: 2001年; 用第一性原理的FP-LMTO能带计算方法研究了重电子化合物LiV2O4的电子结构.结果表明,Fermi面附近的导带是由V原子的3d电子形成的宽度为2.5eV的窄能带,是3d态在立方晶体场中具有t2g对称性的子带;它与O的2p轨道构成的能带约有1.9eV的能隙.计算得出的Fermi能处电子态密度和线性电子比热系数分别是11.1（staes/eV·f-1·u-1.）和26.7mJ/mol·K2.Fermi面处的能带色散具有电子型和空穴型两种,呈现出一种复杂的Fermi面结构.LSDA以及GGA计算表明,LiV2O4有一个磁矩为1.13μB/钒原子,总能比LDA基态低约148meV/f·u.的铁磁性基态.由目前的能带结构计算的结果无法确定这一类Kondo体系的局域磁矩的来源,表明这一化合物中的重电子行为可能有别于在含有4f和5f稀土的重电子合金中观察到的局域磁矩与传导电子的交换作用机制,其中存在量子相变的可能.; 谭明秋陶向明何军辉; 关键词：电子结构过渡金属氧化物尖晶石结构

Mo掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的铁电介电性能被引量：2: 2006年; 用传统的固相烧结工艺,制备了钼掺杂铁电陶瓷样品SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-2x/3Ti4-xMoxO15(x=0.00,0.003,0.012,0.03,0.06,0.09).X射线衍射的结果表明,样品均为单一的层状钙钛矿结构相,Mo掺杂未改变SBTi的晶体结构.通过扫描电子显微镜观测发现,样品晶粒为片状,随掺杂量的增加,晶粒逐渐变小.铁电测量表明,Mo掺杂使SBTi的铁电性能得到较大改善.随掺杂量x的增加,样品的剩余极化(2Pr)呈现出先增大,后减小的规律.在x=0.06时,2Pr达到最大值26.5μC/cm2,与SrBi4Ti4O15(2Pr=12.2μC/cm2)相比,提高117%.材料的矫顽场Ec在掺杂后增加仅为20%左右.SBTi的居里温度受掺杂的影响甚微,说明Mo对SrBi4Ti4O15的掺杂基本未影响材料原有的良好的热稳定性.; 金灿朱骏毛翔宇何军辉陈小兵; 关键词：SRBI4TI4O15 居里温度

钒掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)拉曼光谱和X射线光电子能谱研究: 2005年; 适量的钒掺杂,大大增加了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电材料的剩余极化2Pr,并改善了材料的耐压性能.SBTi拉曼模的位置,基本不受V掺杂的影响,但对应Ti O6氧八面体的拉曼模在掺杂明显宽化,这与V5+取代进入Ti O6中的Ti4+后,材料局部无序性增大,应力增加有关.X射线光电子能谱表明,不同掺杂量样品的Bi4f和Ti2p的结合能未有明显变化,这与B位高价掺杂减少氧空位的特殊机制有关.材料的2Pr增加,是高价阳离子掺杂导致材料中氧空位浓度的减少,局部无序性的增加共同作用的结果.; 朱骏何军辉陈小兵; 关键词：氧空位