任芳
- 作品数：13 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信环境科学与工程自动化与计算机技术更多>>
- 双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：1
- 2012年
- 针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品率得到明显提高。
- 唐昭焕王大平梁涛李荣强王斌任芳崔伟谭开洲
- 关键词：半导体工艺刻蚀双层布线
- 抗辐射加固场效应管
- 付晓君唐昭焕许斌刘伦才刘凡杨丰王斌向飞王建安任芳孟华群许沄胡波黄炜向凡
- 抗辐射加固设计技术，抗辐射加固技术指标：抗总剂量：≥300Krad(Si)；抗单粒子≥75MeV/mg/cm<'2>；抗中子≥1E14n/cm<'2>；抗瞬态剂量率≥1E11 rad(Si)/s；产品电参数指标：P沟道场...
- 关键词：
- 特种器件厚外延前后图形转移方法研究
- 2011年
- 提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法。通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5μm。该方法可广泛应用于带埋层的VDMOS、超结VDMOS、高压互补双极器件,以及高压BCD器件的投影光刻。
- 唐昭焕任芳谭开洲杨发顺王斌刘勇陈光炳
- 关键词：VDMOS
- 温湿度对制版图形缺陷的影响
- 2006年
- 介绍了制版工艺中常见的缺陷类型,分析了缺陷产生与温湿度的关系。通过实际工作应用,就缺陷控制的办法进行了有益的探讨,对光掩模版的制造有一定的指导意义。
- 任芳刘嵘侃
- 关键词：半导体工艺显影温湿度
- 0.35μm SiGe BiCMOS隔离深槽表面形貌研究
- 2016年
- 针对0.35μm SiGe BiCMOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究。仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h_2、深槽顶部开口宽度W_（tp）以及刻蚀掩蔽氧化层残留厚度h_3是影响深槽表面形貌的主要因素;当h_2=220nm,W_（tp）=0.7-0.9μm,h_3=150-200nm时,获得了较好的深槽表面形貌,其隔离漏电流小于0.05nA/μm,可用于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的隔离。
- 徐婉静朱坤峰杨永晖任芳黄东梁柳红张霞汪璐崔伟谭开洲钱呈
- 关键词：表面形貌SIGEBICMOSSIGEHBT
- 一种解耦电路及电源
- 本申请公开了一种解耦电路，包括：至少两个解耦单元，所述至少两个解耦单元并联连接；每一个所述解耦单元包括第一电容组件和第二电容组件，所述第一电容组件与所述第二电容组件并联连接；所述第一电容组件包括至少两个第一电容，且每一个...
- 李婷任芳李梁张勇倪亚波梁宇涵陶磊马梓铭付东兵王健安陈光炳
- 双极晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，所述双极晶体管包括：衬底、外延层、基区、发射区、深集电极接触区、环形掺杂区、基极接触、发射极接触及环形集电极接触，环形掺杂区环绕基区，环形集电极接触分别与深集电极接触区及环形掺杂区...
- 魏佳男张培健罗婷陈仙税国华仵韵辰易孝辉洪敏任芳
- 集成电路温度传感器技术研究进展被引量：4
- 2017年
- 与传统传感器相比,集成电路温度传感器具有设计简单、集成度高、响应速度快、精度高、功耗小、体积小、成本低廉等优点,在计算机、通信、电信及工业控制等领域得到广泛的应用。介绍了集成电路温度传感器的技术现状,并以CMOS传感器为重点,从敏感元件、电路设计、制造工艺、高温应用等方面,探讨了智能温度传感器精度控制的关键之处。
- 任芳徐婉静赖凡张杨波王文捷邱盛
- 关键词：集成电路温度传感器CMOS工艺精度控制
- 一种可集成高密度氮氧化硅介质工艺
- 2017年
- 针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,成功开发出一种采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介质材料的工艺;并使用该工艺研制出与36V双极工艺兼容、介质的相对介电常数为5.51、击穿电压达81V、电容密度为0.394fF/μm^2的高密度MOS电容,较传统可集成二氧化硅/氮化硅复合介质电容的电容密度提高了35.86%。该工艺还可用于制作大功率MOSFET的栅介质,可提高器件的可靠性。
- 张杨波唐昭焕阚玲任芳
- 关键词：氮氧化硅相对介电常数介质MOS电容
- 抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构及其制造方法
- 本发明提供一种抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构及其制造方法，在本发明中，采用集成抗辐射的双栅氧化层工艺，在一个衬底上同时形成低压NMOS结构、低压PMOS结构、高压对称nLDMOS结构、高压非对称nLDMOS结构...
- 张广胜朱坤峰杨永晖徐青张培健钱呈钟怡杨法明裴颖黄磊任芳邱盛
