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感应耦合放电的碳氟等离子体行为及碳氟薄膜生长机理: 目前，碳氟等离子体被广泛用在器件的微细加工过程中，如沉积低介电常数的氟化非晶碳薄膜，刻蚀SiO2、Si以及其它相关材料。由于器件特征尺寸的不断缩小和加工基片面积的加大，具有运行气压低、密度高、大面积均匀等优点的感应耦合等...; 黄松

论有限责任公司股权的强制执行: 股权是股东因出资而取得的依法律规定和公司章程参与公司事务并在公司中享有财产利益的具有可转让性的权利。股权转让，是指公司的股东根据法律规定的条件和程序将其持有的全部或部分股权转让给其他股东或股东以外第三人的法律行为。　　 ...; 黄松; 关键词：股权转让优先购买权公司法; 文献传递

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响被引量：3: 2003年; 使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a-C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a-C:F薄膜中含有更高的C-F键成分。可见在a-C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3+C6H6)流量比是重要的控制参量。; 杜伟程珊华宁兆元叶超辛煜黄松; 关键词：化学气相沉积氟化非晶碳薄膜发射光谱

CF_4/Ar等离子体刻蚀中入射角对SiO_2刻蚀速率的影响被引量：2: 2004年; 在CF4/Ar的感应耦合等离子体中,用“法拉第筒”式的方法研究了SiO2刻蚀速率与不同离子入射角度之间的关系。在所施加的-20～300V射频偏压范围内,SiO2基片的归一化刻蚀速率(NER)呈现两种情况,当偏压值<100V时,归一化刻蚀速率的大小与基片倾斜角度θ符合余弦曲线规律;当偏压值>100V时,θ在15o～60o范围内,归一化刻蚀速率的大小在大于相应的余弦值,θ>60o时归一化刻蚀速率快速下降,在90o附近SiO2表面出现聚合物沉积。θ<60o时,SiO2的表面刻蚀主要决定于入射离子与基片表面间的能量转换,转换能量的大小深刻地影响着SiO2的刻蚀速率,同时也影响形成于基片表面的碳氟聚合物的去除速率。; 孔华辛煜黄松宁兆元; 关键词：感应耦合等离子体法拉第筒入射角

使用发射光谱对感应耦合CF_4/CH_4等离子体中C_2基团形成机理的研究被引量：5: 2005年; 利用强度标定的发射光谱法 ,研究了感应耦合CF4 CH4 等离子体中空间基团的相对密度随宏观条件 (射频输入功率、气压和流量比 )的变化情况 .研究表明 :在所研究的碳氟碳氢混合气体放电等离子体中除了具有丰富的CF ,CF2 ,CH ,H和F等活性基团外 ,还同时存在着C2 基团 ,其相对密度随着放电功率的提高而增加 ;随着气压的上升呈现倒“U”型的变化 .C2 随流量比R(R =[CH4 ] { [CH4 ]+[CF4 ]} )的变化不是单调的 ,其相对密度在R =7 5 %时存在一个极大值 ,并随着R进一步增加而减弱 ,然后趋于一个稳定值 .根据各基团相对密度的变化规律 ,认为等离子体中CF和CH基团的气相反应 (CF +CH→C2 +HF)是C2 基团产生的主要途径 ,并提出了形成C2 的基团碰撞的活化反应模型 ,据此进行的模拟计算的结果与实验相符 .; 黄松辛煜宁兆元; 关键词：感应耦合等离子体发射光谱气相反应

低介电常数薄膜沉积和性质的研究: 材料是器件的基础,新器件呼唤新材料的产生。随着微电子器件特征线宽的降低,微电子器件材料的变革在进行中,其中很重要的是金属连线/介质的材料结构正由目前使用的Al/SiO2体系逐步向Cu/SiO2体系,进而向Cu/低k材料体...; 宁兆元程珊华叶超辛煜江美福黄松; 文献传递

微波输入功率引起a-C∶F薄膜交联结构的增强被引量：18: 2002年; 使用C2 H2 和CHF3 的混合气体 ,在改变微波功率的条件下 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了氟化非晶碳薄膜 (a C∶F) .薄膜的傅里叶变换红外光谱分析结果表明 :薄膜中的CC与C—F键含量的比值随功率的增加而相应地增大 ;借助于紫外可见光谱分析发现 ,薄膜的光学带隙随功率的增大而减小 .由此推断微波输入功率的提高有助于增强薄膜的交联结构 .a; 黄松辛煜宁兆元程珊华陆新华; 关键词：交联结构氟化非晶碳薄膜傅里叶变换红外光谱 X射线光电子能谱

氟化非晶碳氢薄膜的红外结构及其电学特性被引量：2: 2003年; 通过感应耦合等离子体(ICP)化学气相沉积方法并利用C4F8和H2的混合气体制备了氟化非晶碳氢(a C:F,H)薄膜.使用红外光谱仪分析了薄膜的结构.研究了金属Al/a C:F、H/SiMIS结构在不同环境光和不同频率下的电容电压(C V)特性.红外结果表明,在800cm～1800cm-1和2700～3100cm-1的波数范围内,薄膜存在大量的C——C、C—F和C—H的振动结构.从薄膜的C V曲线的计算结果表明,薄膜当中的缺陷电荷约为1.07×1010cm-2,这些电荷主要局域在C——C双键周围同时,由于界面陷阱电荷的存在,使得C V曲线随着测试频率的增加向负偏置方向偏移.; 狄小莲辛煜黄松; 关键词：红外分析电学特性介电常数

ECR-CVD制备的非晶SiO_xN_y薄膜的光致蓝光发射被引量：8: 2003年; 使用 90 %N2 稀释的SiH4与O2 作为前驱气体 ,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法制备了非晶氮氧化硅薄膜 (a -SiOxNy) .红外吸收光谱的结果表明 ,a SiOxNy 薄膜主要由Si O Si和Si N键的两相结构组成 ,在存在氧流量的情形下 ,薄膜主要成分是SiOx 相 ,而在无氧流量的情形下 ,薄膜则主要是SiNx 相 .使用5 65eV的紫外光激发 ,发现SiOxNy 薄膜出现了位于 460nm的光致蓝光主峰 ,且其发光强度随着氧流量的降低而显著增强 .根据缺陷态发光中心和SiNx 蓝光发射能隙态模型 ,讨论了其发光机理 ,认为在低N含量时 ,蓝光发射是由于SiOx 中的氧空位缺陷引起的 ;在高N含量时 ,蓝光发射强度的大幅度增强是由于SiNx; 许圣华辛煜宁兆元程珊华黄松陆新华项苏留陈军; 关键词：ECR-CVD 光致发光

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黄松