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韩宇男

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：一般工业技术水利工程自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇水利工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 18篇多层膜
  • 16篇磁性多层膜
  • 14篇随机存取
  • 14篇随机存取存储...
  • 14篇存储器
  • 14篇存取
  • 13篇微加工
  • 13篇感器
  • 13篇传感
  • 13篇传感器
  • 10篇形状各向异性
  • 10篇磁敏
  • 10篇磁敏传感器
  • 4篇读操作
  • 4篇读写
  • 4篇读写操作
  • 4篇写操作
  • 4篇环状
  • 3篇数字式
  • 3篇自旋

机构

  • 23篇中国科学院

作者

  • 23篇韩宇男
  • 22篇韩秀峰
  • 15篇姜丽仙
  • 14篇马明
  • 14篇覃启航
  • 12篇魏红祥
  • 5篇赵静
  • 4篇温振超
  • 4篇刘东屏
  • 3篇王磊
  • 2篇彭子龙
  • 2篇曾中明
  • 2篇杜关祥
  • 2篇詹文山
  • 1篇瑞哈娜
  • 1篇张谢群

传媒

  • 1篇科技开发动态

年份

  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 9篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种闭合的超导环状多层膜及其制备方法和用途
本发明涉及一种闭合的超导环状多层膜，其特征在于：所述的超导多层膜的横截面呈闭合的椭圆环或矩形环；椭圆内环的短轴为10～100000nm，短轴与长轴的比值为1∶1～5，椭圆外环的短轴为20～200000nm；矩形内环的宽度...
温振超刘东屏韩宇男马明覃启航韩秀峰
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一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜及其制法和用途
本发明涉及一种含金属芯的闭合形状的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环，其中矩形内环的宽度为10～100000nm，外环宽度为20～200000nm，矩形内环的宽度与长度的比值为1∶1...
姜丽仙马明韩宇男覃启航魏红祥韩秀峰
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一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法
本发明涉及一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法，其为将模板法和微加工技术结合起来，先制备母板，然后通过电化学氧化法，在铝或铝合金表面形成具有各种孔径及孔深的氧化铝母板；然后利用微加工技术将所需位置的障壁层刻透，形成...
张谢群瑞哈娜姜丽仙莎麦拉韩宇男韩秀峰
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自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法
本发明公开了一种自旋阀型数字式磁场传感器，包括：片基；片基上所形成的若干个具有一定厚度的自由层和钉扎层的自旋阀元件，每个自旋阀元件的自由层和钉扎层厚度之和相等且零场时电阻相等；参考电阻，其电阻不随磁场变化；电路部分，包括...
王磊赵静韩宇男韩秀峰
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一种闭合的超导环状多层膜及其制备方法和用途
本发明涉及一种闭合的超导环状多层膜，其特征在于：所述的超导多层膜的横截面呈闭合的椭圆环或矩形环；椭圆内环的短轴为10～100000nm，短轴与长轴的比值为1∶1～5，椭圆外环的短轴为20～200000nm；矩形内环的宽度...
温振超刘东屏韩宇男马明覃启航韩秀峰
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自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法
本发明公开了一种自旋阀型数字式磁场传感器，包括：片基；片基上所形成的若干个具有一定厚度的自由层和钉扎层的自旋阀元件，每个自旋阀元件的自由层和钉扎层厚度之和相等且零场时电阻相等；参考电阻，其电阻不随磁场变化；电路部分，包括...
王磊赵静韩宇男韩秀峰
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自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法
2005年
编号：0506204 该发明专利公开了一种自旋阀型数字式磁场传感器。
王磊赵静韩宇男韩秀峰
关键词：磁场传感器数字式制作方法自旋
一种闭合形状的磁性多层膜及其制备方法和用途
本发明涉及一种闭合形状的磁性多层膜，其特征在于：所述的磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环，其中矩形内环的宽度为10～100000nm，矩形外环的宽度为20～200000nm，矩形内环的宽度与长度的比值为1∶1～5...
姜丽仙马明韩宇男覃启航魏红祥韩秀峰
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具有几何形状的磁性多层膜及其制备方法和用途
本发明涉及一种具有几何形状的磁性多层膜，包括沉积在衬底上的磁性多层膜单元的各层；所述的磁性多层膜单元的横截面呈多边形闭合环状，该磁性多层膜单元中的具有铁磁性的薄膜层的磁矩或磁通量形成顺时针或逆时针的闭合状态。还包括在上述...
韩宇男温振超杜关祥赵静刘东屏韩秀峰
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基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法
本发明涉及一种基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器，其使用环状磁性多层膜或环状含金属芯的磁性多层膜作为存储单元。该MRAM是通过流经存储单元中的电流的大小和方向来实现读操作和写操作；或是通过对存储单元中的金属芯施加的电...
韩秀峰马明姜丽仙韩宇男覃启航魏红祥
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共3页<123>
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