陈瑜
- 作品数：3 被引量：20H指数：2
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金中国科学院“百人计划”上海市教育发展基金会“曙光计划”项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 硅的电化学深刻蚀技术
- 在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔是在传感器技术的一种重要的加工手段.可以用于制作加速度传感器、陀螺仪、穿过硅片的互联和射频(RF)应用等MEMS(MicroElectroMechanical System:微机电系统)器件和光...
- 王连卫吴俊徐陈瑜
- 关键词：硅衬底传感器深反应离子刻蚀阳极氧化
- 文献传递
- 中红外波段硅基两维光子晶体的光子带隙被引量：10
- 2005年
- 利用电化学腐蚀的方法制备了大多孔硅两维光子晶体 .结构图形对称性为正方格子 ,其结构参数为正方形晶格周期a =4 4 μm ,正方形空气柱的边长l=2 μm .并用显微红外光谱仪表征了光谱性质 。
- 周梅陈效双徐靖曾勇吴砚瑞陆卫王连卫陈瑜
- 关键词：光子晶体光子带隙对称性光谱性质中红外波段硅基
- 一种用于硅基MEMS加工的深刻蚀技术被引量：10
- 2005年
- 研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应。在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因此可以在边缘区域观察到结构的坍塌,采用一个周期性变化的信号来调制光照的强度,边缘效应会得到一定的抑制。同时,也观察到了硅的电化学深刻蚀工艺中大电流情况下的抛光现象(阳极氧化条件下,硅表面在氢氟酸溶液中快速均匀溶解不形成孔的现象)。光学测试表明,制作的正方格子结构具有光子晶体行为,其光学禁带位于6μm附近。
- 陈瑜吴俊徐郭平生王连卫M.van der ZwanP.M.Sarro
- 关键词：电化学刻蚀深孔光子晶体
