陈玮
- 作品数：19 被引量：12H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目上海市浦江人才计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生一般工业技术更多>>
- 个人投资储蓄养老研究 ——理性与有限理性
- 中国正逐步建立三支柱的养老保障体系,基本养老保险、企业年金和个人投资储蓄养老。基本养老保险与企业年金的窘困现状使个人投资储蓄养老成为必须。而在个人投资储蓄养老中,基金以其自身优势成为养老投资的最佳选择。从这个意义上而言,...
- 陈玮
- 超大规模集成电路中低介电常数介质研究进展
- 集成电路技术的发展40多年来一直遵循着摩尔定律,即集成电路的集成度每3年提高约4倍,而特征尺寸缩小约1/2.当特征尺寸减小到0.18μm时,互连延迟将超过电路的本征门延迟,成为制约集成电路性能的主要瓶颈之一.为了降低互连...
- 张卫陈玮张剑云丁士进王季陶
- 关键词：集成电路互连延迟化学气相淀积介电常数
- 文献传递
- ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究
- 2006年
- 用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应的反应焓变,可以发现双羟基Si表面反应,由于相邻羟基的存在,对ZrCl4的半反应影响较大,尤其是化学吸附能增加明显.而对于H2O的半反应,单、双羟基Si表面反应的能量变化不是很明显.使用内禀反应坐标(IRC)方法,验证了两个半反应存在相似的过渡态结构和反应机理.另外,发现随着温度的升高,吸附络合物的稳定性降低,其向反应物方向的解吸附变得容易,而向产物方向的解离难度增加.
- 任杰陈玮卢红亮徐敏张卫
- 关键词：原子层淀积密度泛函理论
- 金属纳米晶快闪存储器研究进展被引量：2
- 2007年
- 金属纳米晶具有态密度高、费米能级选择范围广以及无多维载流子限制效应等优越性,预示着金属纳米晶快闪存储器在下一代闪存器件中具有很好的应用前景。从金属纳米晶存储器的工作原理、纳米晶的制备方法、以及新型介质材料和电荷俘获层结构等方面,对金属纳米晶存储器近年来的研究进展进行了总结。
- 张敏丁士进陈玮张卫
- 关键词：金属纳米晶快闪存储器
- 个人投资储蓄养老研究
- 陈玮
- 文献传递
- 适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法
- 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法。该方法包括在在硅片表面热生长一层SiO<Sub>2</Sub>或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用原子层淀积...
- 丁士进陈玮张敏张卫
- 文献传递
- 四角晶相HfO_2(001)表面原子和电子结构研究被引量：5
- 2006年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会产生重构现象.与体相电子结构相比,t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度.t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
- 卢红亮徐敏陈玮任杰丁士进张卫
- 关键词：密度泛函理论表面电子结构
- 一种高密度可擦写的金属－绝缘体－硅电容器结构
- 本发明为一种可编程/擦除的金属－绝缘体－硅(MIS)电容器结构，使用SiO<Sub>2</Sub>/HfO<Sub>2</Sub>－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米叠层(HAN)/Al<Sub>...
- 丁士进陈玮张敏张卫
- 文献传递
- 铜与低介电常数a-SiCOF介质作用的俄歇电子能谱表征
- 低介电常数材料取代传统的氧化硅作为互连介质可以降低集成电路的互连延迟,非晶硅碳氧氟(a-SiCOF)是一种新型的超低介电常数材料.本文用等离子体化学气相淀积(PECVD)制备了低介电常数a-SiCOF薄膜.通过俄歇电子能...
- 张卫张剑云陈玮卢红亮任杰丁士进王季陶
- 关键词：化学气相淀积俄歇电子能谱铜
- 文献传递
- 适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法
- 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法。该方法包括在在硅片表面热生长一层SiO<Sub>2</Sub>或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用溅射方法沉积...
- 丁士进陈玮张敏张卫
- 文献传递
