陈庭金
- 作品数：101 被引量：314H指数：10
- 供职机构：云南师范大学能源与环境科学学院太阳能研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理经济管理更多>>
- 太阳电池研究现状及发展趋势
- ＜正＞由于太阳电池发电具有无污染、无可动部件、资源的普遍性和永不枯竭等特点,符合当今世界的保护环境和可持续发展的要求和趋势,世界各国都非常重视其发展,发达国家近几年纷纷出台促进太阳电池产业和市场发展的政策和措施,如日本通...
- 刘祖明涂洁磊廖华胡志华王书荣魏晋云陈庭金林理彬
- 文献传递
- 差分SPV法测定a-Si:H PIN结构I层少子扩散长度被引量：1
- 1990年
- 基于本征吸收、扩展态输运观点,对表面光电压法(SPV)测量a-Si:H PIN结构Ⅰ层少子扩散长度作了理论推导。与传统的SPV法相比,考虑了空间电荷区宽度、样品厚度及背面势垒对测量结果的影响,绘出了测量条件和测量方法。用我们研制的测试系统进行了多项测量,对不同样品测得的扩散长度值在0.10—0.64μm之间。测试系统重复性好。
- 白毅彬陈庭金庞大文宿昌厚
- 关键词：太阳能电池PIN结构
- 陶瓷硅衬底上沉积多晶硅薄膜研究
- 本文采用陶瓷硅作为衬底材料,用RTCVD沉积制备了多晶硅薄膜。对薄膜的SEM表面形貌进行分析表明:薄膜的结构和形貌与沉积温度和衬底状况有关,高温下可以沉积得到大晶粒且致密的薄膜。应用Scherrer公式估算了薄膜的晶粒尺...
- 廖华林理彬刘祖明李景天刘强陈庭金许颖
- 关键词：多晶硅薄膜性能分析
- 文献传递
- 生物电池——一种值得重视的环保能源被引量：1
- 2006年
- 普通电池能对环境造成严重污染,文章介绍一种新兴的环保型的电池———生物电池。结合生物能量代谢紧密相关的氧化还原反应,给出了生物电池的定义,并作了初步分类,阐述了生物电池的基本原理、主要特点及存在问题,提出了改进效率的几种可能途径。加强对生物电池的研究和开发,对解决环境和能源问题,具有重要意义。
- 孙世中刘刚刘剑虹高天荣陈庭金
- 关键词：电池环境污染生物电池
- 利用界面固定负电荷在MIP-Al_xGa_(1-x)As中构造感应势的理论计算及其太阳电池的实验研究
- 2004年
- 介绍利用界面固定负电荷在MIP-AlxGa1-xAs中产生的感应势,并用于提高Al1-xGaxAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想。提出了分段计算求解泊松方程的数值计算方法。报道了利用分段数值计算,得到不同界面固定负电荷密度下,在不同掺杂浓度的半导体P-AlxCa1-xA5中界面附近的价带曲线Ev(x),以及Ev(0)值,空穴积累区宽度w值和表面空穴浓度p(0)值。文中还报道了基于这种思想所研制太阳电池的实验结果。
- 袁海荣陈庭金涂洁磊王履芳
- 关键词：ALGAAS势垒泊松方程
- 晶体Si和GaAs太阳电池背场结构的研究被引量：1
- 2005年
- 文章从理论和实验上分析了Si太阳电池和GaAs太阳电池各自背场结构特点,指出它们之间的异同。
- 马逊陈庭金夏朝凤刘祖明廖华
- 关键词：SI太阳电池
- 多晶硅太阳电池的吸杂研究
- 本文简述了采用浓磷扩散吸杂,铝吸杂以及磷--铝共同吸杂等方法,对多晶硅进行了大量的实验研究结果表明,上述方法对我们实验所用的多晶硅材料做太阳电池,其电学特性没有显著的改善。
- 王书荣陈庭金刘祖明魏晋云胡志华廖华李迎军
- 关键词：磷多晶硅太阳电池电学性能
- 文献传递
- MI-Al_xGa(1-x)As/GaAs太阳电池中界面势的构成及其界面复合分析被引量：1
- 2002年
- 在MIp AlxGa1 xAs结构的I层表面上 ,引入固定负电荷 ,并用减反射膜覆盖 ,将p Al1 xGaxAs层中的空穴感应至界面 ,可建立界面电子感应势垒 ,并将其构成MIp AlxGa1 xAs/p n n+ GaAs太阳电池。通过求解泊松方程 ,理论上分析了界面感应势的高度、宽度与 p AlxGa1 xAs层掺杂浓度及减反射膜中固定负电荷面密度的关系 ,以及该感应势的建立对电池界面复合速度的影响。结果表明 ,p AlxGa1 xAs层掺杂浓度的降低以及固定负电荷面密度的增高 ,都将导致界面感应势的高度与宽度的增加 ,从而能有效降低电池界面复合速度几个量级 。
- 涂洁磊林理彬陈庭金袁海荣
- 关键词：固定负电荷开路电压
- 新型MIp^+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/p-n-n^+-GaAs太阳电池的设计与I-V特性理论分析
- 2005年
- 为充分利用太阳光的短波部分,将AlxGa1-xAs设计为电池的又一个光伏工作层,并引入固定负电荷,建立界面感应势垒,形成MIp+-AlGaAs感应结,有效降低界面对光生电子的复合。以制作工艺简单的p+-AlGaAs／p-GaAs界面,将感应结与p／n-GaAs部分连接起来,构成新型高效率复合结构MIp+-Al0.3Ga0.7As／p-n-n+-GaAs太阳电池。其I-V特性理论研究绐果表明,选择合适的负电荷面密度数和Al0.3Ga0.7As层的掺杂浓度,即:建立合适高度的感应势垒,可显著降低界面复合速度近8个数量级。优化设计得到的整个电池的效率为31.5％,较传统的窗口层电池有明显提高。
- 涂洁磊陈庭金王履芳
- 关键词：固定负电荷I-V特性
- Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除
- 2002年
- 极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长 ,普遍选用 (10 0 )面Si材料作衬底 ,外延时由于Ga ,As原子占据不合适的晶格位置 ,通常导致结构缺陷———反相畴产生 ,而选用(10 0 )面偏向 [0 11]方向 4°或 (2 11)面的Si作衬底 。
- 刘翔吴长树张鹏翔赵德锐陈庭金廖仕坤杨家明
- 关键词：极性半导体反相畴
