郝晓勇
- 作品数：27 被引量：24H指数：3
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 相关领域：核科学技术电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>
- 一种高纯锗探测器
- 本申请实施例提供的一种高纯锗探测器，包括壳体、探测器本体、冷指以及支撑件。壳体包括本体和底座。本体的底部敞开，底座设置于本体的底部，并与本体共同限定出容纳空间。底座设置有贯穿底座的过孔。探测器本体设置于容纳空间。冷指的一...
- 阙子昂郝晓勇杨昉东王超赵江滨何高魁刘洋
- 同轴型HpGe探测器离子注入工艺仿真被引量：2
- 2020年
- 为了进--步优化同轴型高纯锗探测器离子注入工艺参数,利用Silvaco半导体仿真软件和SRIM离子注入仿真软件对离子注入过程进行模拟,研究不同注入角度、能量、剂量对注入的均匀性、深度、杂质浓度分布及损伤的影响,并根据模拟结果选择合适的工艺参数,为HpGe探测器的制备提供一定的指导。此外,研究了离子注入后退火的温度及时间对晶格损伤恢复和杂质激活的影响情况。
- 阙子昂郝晓勇何高魁
- 关键词：退火温度退火时间
- 高纯锗探测器瞬态温度场特性的模拟研究
- 2024年
- 为确保探测器在低温环境下稳定运行,分析了高纯锗探测器的内部传热机理,基于COMSOL Multiphysics软件建立了探测器的三维计算模型,得到了制冷过程中三维瞬态温度分布规律以及不同探测器内部结构和材料选择对温度分布的影响,通过仿真数据与实验数据的一致性比较,验证了该模型及仿真方法的正确性。为进一步优化和改进液氮制冷和电制冷型高纯锗探测器的设计参数提供了理论支撑。
- 阙子昂郝晓勇何高魁刘洋赵江滨田华阳
- 关键词：高纯锗探测器传热机理温度分布
- 高纯锗能谱仪系统研制被引量：1
- 2021年
- 介绍了高纯锗能谱仪系统的研制。项目突破了探测器级高纯锗单晶提纯、高纯锗探测器表面钝化保护、高计数率数字化多道分析器以及无源效率刻度等关键技术,研制出高纯锗能谱仪系统样机。开展了高纯锗能谱仪在核燃料包壳破损在线监测、中高放射性废物桶核素源项无损检测和材料点缺陷特性分析示范应用研究。性能测试表明:85%探测效率的能谱仪的能量分辨率为1.98keV(1.33 MeV伽马射线),峰康比好于61。
- 何高魁孙慧斌郝晓勇刘义保代传波邓长明王柱廖辉汪天照胡世鹏邵俊琪张怀强刘海峰杨松贾伟强厉文聪刘洋阙子昂田华阳张向阳
- 关键词：高纯锗探测器离子注入多道分析器
- 基于键合基片的超薄硅PIN辐射探测器及制备方法
- 本发明提供了一种硅PIN辐射探测器及其制备方法，包括：器件层硅片(1)和支撑层硅片(4)，两者之间通过键合的方式连接，两者之间形成有第一二氧化硅层(2)；N<Sup>+</Sup>区(3)，其形成在器件层硅片(1)用于键...
- 杨昉东郝晓勇赵江滨张向阳何高魁
- 同轴高纯锗探测器探测效率的MCNP模拟与电荷收集时间的计算被引量：5
- 2017年
- 高纯锗探测器具有很好的能量分辨率,被认为是核素分析的黄金标准,在很多检测领域成为规定的标准检测设备。在高纯锗探测器的制备过程中,可以采用蒙特卡罗方法对探测器进行模拟,用于确定探测器制备过程中的参数。采用MCNP4软件对同轴高纯锗探测器探测效率进行模拟,研究了不同材质入射窗、不同能量γ射线对高纯锗探测器探测效率的影响,并根据模拟结果选择合适的入射窗材料并确定死层厚度,进而为高纯锗探测器研制提供指导。还对高纯锗探测器晶体的内部电场进行模拟,计算得到能量沉积点的电荷收集时间,通过改变能量沉积点位置,更直观地反映晶体内部不同位置的电荷收集时间。
- 梁爽何高魁郝晓勇
- 溴化铊探测器的制备研究和测试
- 2016年
- 溴化铊(Tl Br)晶体是制备室温γ射线及x射线探测器的优良材料,晶体平均原子序数高,对射线的阻止本领强;禁带宽度大,电阻率高,漏电流较小。因而,近年来倍受人们的关注,已成为目前研究的前沿热点之一。为此,该文对Tl Br核辐射探测器制备和测试进行了研究。
- 郝晓勇何丽霞何高魁
- 关键词：漏电流能量分辨率
- CdZnTe探测器能量补偿层的研究被引量：3
- 2014年
- 简要介绍了用CdZnTe探测器构成剂量测量仪所用的能量响应补偿层,根据计算设计了5种组合结构,并对各种组合结构进行了χ,γ射线能量响应实验测量,实验结果表明CZT在能量响应方面能够满足剂量测量的要求。
- 郝晓勇孟欣何高魁刘洋继世梁
- CDG-CdZnTe核辐射探测器的研制
- 本文主要叙述了用平面电极结构的CdZnTe探测器通过工艺改造成为CDG型电极结构的CdZnTe探测器,从而实现在室温下对较宽能量范围的X、γ射线具有较好的能量分辨率。
- 张凯张万昌丁洪林孙亮郝晓勇孟欣
- 关键词：CDZNTECDG能量分辨率
- 文献传递
- 用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声电荷灵敏前置放大器的设计被引量：4
- 2014年
- 介绍了一种用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声晶体管反馈电荷灵敏前置放大器的设计。在场效应管制冷到-20℃,成形时间为6μs条件下,前放的零电容电子学噪声(对Si探测器)为150 eV。与平面工艺技术制备的厚度500μm,灵敏面积5 mm2的Si-PIN探测器配用,采用小型温差电制器制冷至-20℃,对5.9 keV X射线的能量分辨率(FWHM)最好可以达到195 eV。
- 刘洋田华阳何高魁黄小健郝晓勇继世梁
- 关键词：低噪声高分辨率SI-PIN探测器
