苏瑞巩
- 作品数：26 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术医药卫生环境科学与工程更多>>
- 一种小面积图形刻蚀深度的测量方法
- 本发明公开了一种小面积图形刻蚀深度的测量方法，包括：提供一参考样品，设置多个面积不同的刻蚀参考区并进行刻蚀，测量刻蚀参考区的刻蚀面积与刻蚀速度，建立刻蚀面积与刻蚀速度的模型；提供一刻蚀衬底，设置第一刻蚀图形和第二刻蚀图形...
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- 基于石墨烯的生物检测系统及其制作集成方法
- 本发明提供一种基于石墨烯的高灵敏生物检测系统，以及其制作集成方法，首先基于硅片制作基于石墨烯的高灵敏生物传感器，继而设计调理电路对该传感器输出信号进行放大滤波，然后利用A/D转换芯片对数据进行转换并传输至单片机，然后将检...
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- 面向急性心肌梗死诊断的生物传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种面向急性心肌梗死诊断的生物传感器及其制备方法。该传感器包括具有FET场效应管结构的传感器基体及微流道系统层，该传感器基体包括SOI硅片，所述硅片表面设有钝化层、表面偶联修饰有急性心肌梗死标志蛋白的单克隆抗...
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- 氧化石墨烯的还原方法
- 本发明公开了一种氧化石墨烯的还原方法。该方法为：取质量比在1000：1–1：1000的二异氰酸酯修饰的双亲性聚合物和氧化石墨烯在有机溶剂中于50-200oC反应0.1-120h，而后将固态产物自反应混合物中分离出来，并以...
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- 一种器件封装互联方法
- 本发明提供了一种器件封装互联方法，包括如下步骤：（1）提供具有上、下台面电极的半导体芯片，其中，上台面电极高于下台面电极；（2）在所述上、下台面电极上分别施加焊料；（3）对焊料进行回流处理，使分布在所述上、下台面电极上的...
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- 量子阱红外探测器的制作方法
- 本申请公开了一种量子阱红外探测器的制作方法，通过引入自对准工艺，完成探测器芯片的上电极制备与台面制备。其制作方法包括以下步骤：1、光栅光刻与刻蚀；2、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属上电极；3、利用上电极金属作为掩膜，...
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- 980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺被引量：1
- 2018年
- 为了解决半导体激光器传统刻蚀工艺中侧壁陡直度差和器件难以重复制作的问题,利用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的刻蚀手段,对980nm锥形半导体激光器刻蚀工艺进行优化.通过对台面粗糙度与刻蚀速度的研究,确定湿法腐蚀液和浓度配比的差异.并分析电感耦合等离子刻蚀对脊波导与腔破坏凹槽表面形貌的影响.研究结果表明,选择配比为NH_3·H_2O∶H_2O_2∶H_2O=1∶1∶50的腐蚀液进行湿法腐蚀,刻蚀速率约为7nm/s,速率容易控制.且样品表面具有较好的粗糙度和均匀性,利用电感耦合等离子刻蚀得到的脊波导与腔破坏凹槽侧壁陡直度良好,没有出现横向钻蚀的情况.
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- 关键词：刻蚀工艺脊波导
- 多功能集成的纳米线阵列制备方法
- 本发明公开了一种多功能集成的纳米线阵列制备方法。该方法为：首先在纳米线阵列表面覆盖一层有机高分子溶液，真空环境下静置使有机高分子均匀渗透入纳米线之间，继而利用匀胶的方法得到平整的表面；然后使用干法去胶工艺处理表面，暴露部...
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- 垂直腔面发射激光器氧化孔结构对器件激射性能的影响被引量：3
- 2019年
- 为实现894.6 nm低阈值、高稳定性、单模激光输出,设计了具有不同台面刻蚀结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件,研究了台面直径和氧化孔结构对器件激射性能的影响。研究结果表明:VCSEL台面直径越大,阈值电流越大;氧化孔径越偏向圆形,边模抑制比越高。制备了氧化孔为圆形、直径为4.4μm的VCSEL器件,该器件在70～90℃工作温度及0.6 mA驱动电流下实现了894.6 nm单模激光输出,边模抑制比高于35 dB。
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- 关键词：激光器垂直腔面发射激光器边模抑制比
- 用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法
- 本发明公开了一种用于细胞培养的石墨烯衬底及其制备方法。作为细胞培养的载体，该石墨烯衬底为透明基片表面经清洗、液池固定及亲和工艺处理的单层石墨烯或十层以下的少层石墨烯。其制法为：取石墨烯迁移至玻璃表面，经有机溶剂清洗、高温...
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