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缪斯

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:自动化与计算机技术航空宇航科学技术语言文字电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇语言文字

主题

  • 2篇软错误
  • 2篇随机存取
  • 2篇随机存取存储...
  • 2篇静态随机存取...
  • 2篇FPGA
  • 2篇存储器
  • 2篇存取
  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子翻转
  • 1篇对外汉语
  • 1篇对外汉语教学
  • 1篇亚微米
  • 1篇语词
  • 1篇阵列
  • 1篇深亚微米
  • 1篇微米
  • 1篇现场可编程
  • 1篇现场可编程门...
  • 1篇门阵列
  • 1篇抗辐射

机构

  • 4篇复旦大学

作者

  • 4篇缪斯
  • 2篇王伶俐
  • 1篇陈丽
  • 1篇童家榕
  • 1篇杨文龙
  • 1篇曹伟

传媒

  • 1篇复旦学报(自...
  • 1篇计算机工程与...

年份

  • 3篇2011
  • 1篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
深亚微米FPGA互连抗软错误方法研究
FPGA具有出色的现场可编程和通用灵活性,因此被广泛用于国防装备、民用通信、消费类电子产品、汽车、医疗等领域。然而,随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加剧了软错误对FPGA的影响。高能带电粒子入射SRAM...
缪斯
关键词:现场可编程门阵列互连软错误静态随机存取存储器
抗软错误SRAM单元设计
2011年
随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加剧了软错误对集成电路设计的影响.高能带电粒子入射SRAM单元敏感节点引起的软错误可能通过改变基于SRAM的FPGA的存储单元配置而改变芯片功能.在此类型FPGA芯片内,SRAM单元存放着FPGA的配置数据,因此增强SRAM的抗软错误性能是提升FPGA芯片可靠性的最有效方式之一.提出了一种具有良好抗软错误性能的SRAM单元结构8T-SRAM,并采用工业级65 nm CMOS工艺库对6T-SRAM,ASRAM0以及8T-SRAM单元的读/写速度、漏电功耗以及抗软错误性能进行了Spice仿真验证.仿真结果表明8T-SRAM结构抗软错误性能比传统的6T-SRAM以及ASRAM0更好,其软错误率比6T-SRAM结构减少了44.20%.
缪斯王伶俐曹伟童家榕
关键词:静态随机存取存储器软错误
关于中、高级阶段汉语词汇教学的原则、策略和方法的研究
本文首先细致地研究了对外汉语中高级阶段学生的特点,然后通过教学实践中的调查发现中高级阶段学生词汇学习中出现的主要问题,最后,根据对外汉语中高级阶段词汇教学的特点,提出适应于中高级阶段词汇教学的原则、方法和策略。   本...
缪斯
关键词:汉语词汇教学策略对外汉语教学
一种FPGA抗辐射布线算法设计
2011年
随着集成密度的增大以及工作电压的降低,基于SRAM的FPGA芯片更加容易受到单粒子翻转的影响。提出了一种基于通用布局布线工具VPR的抗辐射布线算法,通过改变相关布线资源节点的成本函数,来减少因单粒子翻转引起的桥接错误,并与VPR比较下板测试结果。实验结果表明,该布线算法可以使芯片的容错性能提升20%左右,并且不需要增加额外的硬件资源或引入电路冗余。
陈丽缪斯杨文龙王伶俐
关键词:单粒子翻转布线
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