王笑龙
- 作品数：13 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 纳米孔氮化镓材料的制备和研究被引量：3
- 2006年
- 介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺。用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料。孔的大小和孔间距可以通过改变阳极氧化条件来控制,改变刻蚀时间可以控制孔深。刻蚀所用气体为氯气和惰性气体的混合物。扫描电镜照片显示,掩模图形能够很好地转移到GaN材料上。刻蚀后的材料经光荧光谱(PL Spectra)谱和Raman散射谱测试,显示出良好的光学特性,并在一定程度上释放了应力。
- 王笑龙于广辉雷本亮隋妍萍孟胜齐鸣李爱珍
- 关键词：氮化镓纳米孔阳极氧化铝ICP刻蚀RAMAN
- 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
- 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)材料中采用多孔GaN作为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔G...
- 雷本亮于广辉王笑龙齐鸣孟胜李爱珍
- 文献传递
- 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
- 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)材料中采用多孔GaN作为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔GaN衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔G...
- 雷本亮于广辉王笑龙齐鸣孟胜李爱珍
- 文献传递
- 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
- 本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法，其特征在于在是将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，退火温度为用MBE(分子束外延)法生长氮化物外延层的典型生长温度(6...
- 王笑龙于广辉隋妍萍雷本亮齐鸣李爱珍
- 文献传递
- 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
- 本发明涉及一种利用干法刻蚀氮化镓纳米线阵列的方法，其特征在于采用了金属Ni纳米粒子点阵作为掩膜，而Ni纳米粒子点阵是通过阳极氧化铝来制作的。在GaN纳米线阵列的制作中，先在GaN模板上沉积一层金属Al，再采用电化学的方法...
- 王新中于广辉雷本亮林朝通王笑龙齐鸣
- 文献传递
- 射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光被引量：6
- 2006年
- 采用射频等离子体辅助分子束外延(RFplasma-assistedMBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料;非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有关;不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响;结合Hall效应测量结果,认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光,与GaN的自补偿效应以及重掺杂导致的晶体质量下降有关。
- 隋妍萍于广辉孟胜雷本亮王笑龙王新中齐鸣
- 关键词：分子束外延PL谱
- 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
- 本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓(GaN)纳米线的方法，其特征在于采用了金属钨(W)作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后在N<Sub>2</Sub>气氛下经热退...
- 林朝通于广辉雷本亮王新中王笑龙齐鸣
- 文献传递
- 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
- 王笑龙于广辉
- 本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法，通过将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，改善了晶体内部结晶质量，而且有利于去除沉积在材料表面的刻蚀产物，使表面的氮空位...
- 关键词：
- 关键词：干法刻蚀
- 氮化镓材料的ICP刻饰损伤与回复研究
- 近年来,针对蓝绿波段激光器和探测器等应用,宽禁带氮化镓（GaN）基材料及器件活动了广泛的研究。由于GaN材料的化学性质稳定,因此在其器件工艺中多采用干法刻蚀来完成器件的制备。而干法刻饰过程对于材料甚至于器件性能的影响一直...
- 于广辉王笑龙王新中林朝通曹明霞齐鸣李爱珍
- 文献传递
- 纳米多孔氮化镓制备及氮化镓干法刻蚀损伤回复研究
- 针对纳米多孔氮化镓(GaN)在材料生长中的应用，本文开展了纳米多孔GaN材料的制备，并对于纳米多孔GaN材料的结晶质量和光学特性进行了研究。考虑到制备过程中干法刻蚀会给GaN表面带来损害，为此还对采用感应耦合等离子体(I...
- 王笑龙
- 关键词：感应耦合等离子体干法刻蚀技术
- 文献传递
