王祖军
- 作品数：132 被引量：253H指数：11
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>
- 中子辐照导致线阵电荷耦合器件电荷转移效率退化实验研究被引量：6
- 2007年
- 利用TRIGA型脉冲反应堆提供的快中子,对线阵电荷耦合器件进行中子辐照实验研究。研究结果表明:在1012-1013cm-2中子注量范围内,该器件的电荷转移效率(CTE)随辐照中子注量的增加而线性下降;电荷转移效率的下降与电荷包在沟道中的转移时间及转移电荷包的电量有关。
- 肖志刚唐本奇李君利张勇刘敏波王祖军黄绍艳
- 关键词：中子辐照
- 一种CMOS图像传感器位移损伤和电离损伤协和效应实验方法
- 本发明涉及一种CMOS图像传感器位移损伤和电离损伤协和效应实验方法；解决现有技术中没有能同时提供模拟空间位移损伤效应和电离损伤效应的辐射装置和辐射场环境的技术问题；通过先开展CMOS图像传感器中子位移辐照效应实验、退火测...
- 王祖军薛院院陈伟聂栩黄港赖善坤马武英盛江坤刘敏波何宝平缑石龙
- 双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究被引量：3
- 2013年
- 采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.
- 何宝平姚志斌刘敏波黄绍艳王祖军肖志刚盛江坤
- 关键词：MOS电容总剂量
- 掺锗石英光纤的稳态和瞬态γ辐射效应研究被引量：2
- 2015年
- 开展了掺锗石英光纤在1.0×10^(-4)~0.5Gy(Si)/s剂量率下的稳态γ辐照实验和10~6~10~9 Gy(Si)/s剂量率下的瞬态γ辐照实验。结果表明:光纤辐射感生损耗与辐照总剂量呈饱和指数关系,与色心浓度微分方程推导出的结论相一致。在辐照总剂量相同的情况下,光纤辐射感生损耗随辐照剂量率的增大而增大。辐照期间有光注入较无光注入时的光纤辐射感生损耗低,证实了光褪色效应的存在。对实验用650、850和1 310nm 3个波长,光纤辐射感生损耗随波长的增大而减小。与光纤稳态辐射感生损耗相比,光纤瞬态辐射感生损耗要大得多;光纤瞬态辐射感生损耗峰值与脉冲总剂量呈线性关系,这与饱和指数关系在低剂量下的泰勒展开近似一致。
- 黄绍艳肖志刚刘敏波盛江坤王祖军何宝平姚志斌唐本奇
- 关键词：稳态瞬态
- 不同偏置条件下光电耦合器的总剂量效应
- 2015年
- 开展了4N49光电耦合器不同辐照偏置条件下的辐照实验,结果表明:电流传输比的下降幅度与辐照期间的偏置条件有关,处于工作状态的光电耦合器比短路状态的总剂量效应要弱,其根源是光电耦合器的LED施加了电流,而与光敏晶体管的偏置状态关系不大;电流传输比随偏置条件的变化关系是由初级光电流决定的,而C-B区光响应度是初级光电流退化的主导因素。
- 黄绍艳刘敏波盛江坤姚志斌王祖军何宝平肖志刚唐本奇
- 关键词：光电耦合器总剂量效应电流传输比
- 核与空间辐射效应模拟试验技术研究被引量：1
- 2023年
- 在天然与人为辐射环境中,辐射可能在电子器件中引发瞬时电离、单粒子、位移损伤、总剂量等多种辐射效应,导致器件性能退化、功能异常、故障甚至损毁,是制约电子器件及所属系统长期、稳定、可靠工作的关键.核与空间辐射效应模拟试验技术是抗辐射加固的基础,可用于研究辐射效应机理、检验抗辐射加固方法有效性,是提升电子器件和系统抗辐射能力不可或缺的重要手段.本文从瞬时电离辐射效应模拟试验技术、空间单粒子效应模拟试验技术、位移损伤效应模拟试验技术、总剂量效应模拟试验技术四个方面出发,梳理了辐射效应研究和模拟试验装置现状,结合微电子工艺的发展趋势,分析提炼需要重点关注的科学问题与技术问题,为抗辐射加固技术创新发展提供参考.
- 陈伟陈伟马武英罗尹虹丁李利马武英刘岩王晨辉姚崇斌丁李利郭晓强王祖军吴伟
- GaAs太阳电池1MeV电子辐射效应数值模拟
- 本文简要介绍了太阳电池的基本工作原理和辐射损伤机理.利用二维半导体器件数值模拟软件MEDICI,模拟计算了1MeV高能电子在辐射通量范围为1×1013cm-2～1×1015cm-2时,对GaAs太阳电池主要输出参数(如开...
- 王祖军唐本奇黄绍艳张勇肖志刚黄芳
- 关键词：GAAS太阳电池
- 文献传递
- 线阵CCD总剂量辐照效应离线测量系统设计
- 本文建立了线阵CCD器件总剂量辐照效应离线测量系统,并利用该系统对一种商用线阵CCD进行了辐照效应研究,给出了暗电流输出电压信号和饱和电压信号的变化曲线.结果表明,该测量系统能够满足线阵CCD辐照试验要求.
- 张勇唐本奇肖志刚王祖军黄芳黄绍艳
- 关键词：线阵CCD总剂量辐照效应电路设计
- 文献传递
- 典型双极器件低剂量率辐射损伤增强效应实验研究
- 选取了两种类型的双极晶体管和九种双极集成电路,利用Co放射源开展了四种不同剂量率下的辐照实验,测量了双极晶体管基极电流以及运算放大器和比较器的输入偏置电流等辐射敏感参数随总剂量的变化规律,获得了器件的低剂量率增强因子;实...
- 刘敏波陈伟姚志斌何宝平黄绍艳盛江坤肖志刚王祖军
- 关键词：晶体管双极集成电路剂量率
- 文献传递
- 基于CPLD的CCD通用驱动电路设计方法被引量：21
- 2005年
- 建立CCD通用测试平台有助于系统研究各类CCD器件的辐射效应及损伤机理。探讨了一种基于CPLD的线阵CCD通用驱动电路设计方法与实现途径。利用MAX-PLUSII开发系统,选用MAX7000S系列CPLD芯片,设计实现了核心驱动主控制器,用于读取外部存储器驱动文件,设置相关参数寄存器,并产生符合参数要求的驱动时序脉冲。在此方法的基础上,完成了基本驱动模块电路的设计。基本驱动模块电路输出波形的测试结果表明,这种设计方法是完全可行的。
- 张勇唐本奇肖志刚王祖军黄绍艳
- 关键词：CPLD外部存储器主控制器寄存器CCD
