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王太宏

作品数：241 被引量：418H指数：11
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划湖南省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 144篇专利
  • 92篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 42篇电子电信
  • 22篇电气工程
  • 19篇自动化与计算...
  • 14篇一般工业技术
  • 9篇理学
  • 5篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 93篇纳米
  • 60篇纳米管
  • 58篇碳纳米管
  • 49篇晶体管
  • 37篇存储器
  • 31篇单电子存储器
  • 31篇电池
  • 26篇单电子晶体管
  • 21篇离子
  • 20篇单壁
  • 20篇单壁碳纳米管
  • 20篇传感
  • 19篇电子存储
  • 19篇电子存储器
  • 19篇锂离子
  • 19篇离子电池
  • 18篇锂离子电池
  • 17篇微电子
  • 16篇电子器件
  • 15篇纳米线

机构

  • 130篇中国科学院
  • 74篇湖南大学
  • 37篇厦门大学
  • 2篇中国科学院微...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中山大学
  • 1篇中南大学
  • 1篇中国北方车辆...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 240篇王太宏
  • 39篇孙劲鹏
  • 31篇陈立宝
  • 25篇赵继刚
  • 23篇李秋红
  • 10篇王耀玲
  • 9篇黄辉
  • 9篇肖松华
  • 8篇万青
  • 8篇张恩迪
  • 8篇王岩国
  • 8篇黄睿
  • 7篇刘源
  • 7篇罗雨
  • 7篇蔡道平
  • 7篇李秋红
  • 6篇聂棱
  • 6篇李寒
  • 6篇李宏伟
  • 6篇竺云

传媒

  • 16篇微纳电子技术
  • 15篇物理学报
  • 14篇电源技术
  • 7篇科技开发动态
  • 4篇物理
  • 4篇微电子技术
  • 3篇传感器与微系...
  • 2篇计算机系统应...
  • 2篇微计算机信息
  • 2篇电池
  • 2篇机电技术
  • 1篇现代化工
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇物理实验
  • 1篇半导体技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇湖南大学学报...
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 4篇2018
  • 6篇2017
  • 4篇2016
  • 11篇2015
  • 8篇2014
  • 13篇2013
  • 14篇2012
  • 9篇2011
  • 6篇2010
  • 12篇2009
  • 8篇2008
  • 6篇2007
  • 22篇2006
  • 5篇2005
  • 34篇2004
  • 34篇2003
  • 21篇2002
  • 10篇2001
共 241 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种纳米孔氧化铝模板的生产工艺
本发明公开了一种纳米孔氧化铝模板的生产工艺，特别是用阳极氧化与离子轰击结合的方法来生产高密度、高度有序的纳米孔氧化铝模板的生产工艺。其工艺过程为铝箔经退火、清洗、电化学抛光后，在氧化性酸，如硫酸、草酸或磷酸的水溶液中进行...
符秀丽江南王太宏
文献传递
纳米器件的制备、表征及其应用被引量：5
2002年
利用建立的常规光刻法的纳米加工工艺系统 ,研制碳纳米管晶体管、单电子晶体管和单电子晶体集成的纳米器件 .研制出了 90K的单电子晶体管 ,实现了两单电子晶体管的电容耦合集成。
王太宏赵继刚傅英李宏伟李卫王春花王振霖庞科刘淑琴符秀丽
关键词：碳纳米管晶体管单电子晶体管
光敏BJMOSFET的物理模型及数值模拟被引量：1
2009年
基于SOI薄膜,提出一种引入P+N注入结的光敏BJMOSFET(Bipolar JunctionMetal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)结构.在此光敏器件中,栅电压使薄膜耗尽但不反型,光生载流子的复合可以忽略.根据基本的半导体方程,建立该器件的物理模型.数值模拟结果显示:在光敏BJMOSFET中,光生电子和空穴都参与导电,和传统的MOS管相比具有较高的灵敏度.此外,它能消除CMOS工艺下PN结大的暗电流,完全与CMOS工艺兼容.
曾云谢海情曾健平张国梁王太宏
关键词：光电晶体管BJMOSFET物理模型数值模拟
复合量子点器件及制备方法
本发明公开了复合量子点器件及其制备方法。该器件包括以高掺杂的导电的GaAs作为衬底，利用分子束外延方法在其衬底上按顺序制备出掺杂的缓冲层、半导体GaAs隔离层、InAs量子点层和在InAs量子点层上覆盖一层薄的GaAs盖...
竺云王太宏
文献传递
基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究被引量：1
2008年
提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度。
李晓磊曾云张国樑彭琰王太宏
关键词：阈值电压信噪比动态范围有源像素传感器
一种静电纺丝用螺旋圈喷头
一种静电纺丝用螺旋圈喷头，涉及一种静电纺丝喷头。设有溶液槽、转轴、螺旋金属圈、支撑座、驱动装置；所述溶液槽上表面开放，转轴设在溶液槽上方，转轴可导电并外接高压静电发生装置，转轴两端与驱动装置连接，转轴左右两侧分别固定在支...
王太宏黄辉何佳
文献传递
单电子晶体管及其集成研究被引量：2
2001年
随微细加工技术的发展 ,单电子晶体管的研究越来越受到重视。本文介绍了单电子晶体管的工作原理、几种典型的单电子晶体管和它们的集成研究 ,着重讨论了新型单电子晶体管在超敏感探测、微电子、光电子和量子信息领域中的应用。
王太宏
关键词：单电子晶体管量子计算机
一种全自动高精度室内快速定位方法
本发明公开了一种全自动高精度室内快速定位方法，包括硬件系统和软件系统。其中硬件系统包括彩色图像采集装置、激光散斑投射装置、激光散斑图像采集装置、云台控制装置、通信装置、中央控制装置；软件系统包括激光散斑投射系统、彩色图像...
王太宏郭珊珊肖松华苏瑞福段峥祺
文献传递
RF SET超灵敏静电计
2003年
单电子晶体管 (SET)作为灵敏静电计的灵敏度受到噪声的限制 ,其中散粒噪声 (shotnoise)是本征噪声 ,决定着单电子晶体管灵敏度的极限 .利用射频 (radiofrequency ,RF)单电子晶体管的极高的工作频率 ,可以消除SET的 1/f噪声 ,从而达到极限灵敏度 .利用一级低温低噪声放大器和一级室温放大器放大工作在反射模式的射频单电子晶体管的输出信号 ,使用LC共振电路 ,抬高了SET右边的整个微波系统的阻抗 ,使之与单电子的输出阻抗匹配 ,从而提高了RFSET静电计的灵敏度 .
张志勇王太宏
关键词：灵敏度散粒噪声库仑阻塞电测量
一种原位构建微纳器件的方法
本发明公开了一种微纳器件的原位构建方法，特别是利用无掩模光刻技术原位构建微纳器件的方法，它是将纳米材料置于电极之间并且与电极相连的一种新方法。其工艺过程为：纳米材料在基底上的分布、匀胶、通过无掩模光刻机定位纳米材料、原位...
李秋红赵亨王太宏
文献传递
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