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叉指电容对铁电薄膜移相器相移影响的研究: 2012年; 文章采用准静态场法和分布参数电路模型分析计算了共面波导结构(CPW)铁电薄膜移相器的电容值与有效介电常数,通过对高频仿真软件HFSS的模拟结果与计算的不同结构电容值间的验证,发现电容值与有效介电常数表现出一种近似的线性关系。; 雷强于军王梦王叶安; 关键词：移相器有效介电常数

多铁性磁电耦合复合材料/(Ba,Sr/)TiO/_3//CoFe/_2O/_4的制备与性能研究: 多铁性磁电材料不仅同时表现铁电性和铁磁性,而且具有磁电耦合效应,即在外加磁场下诱导的电极化或者由外加电场诱导的磁化。近年来,由于多铁性磁电耦合材料在传感器、换能器、滤波器、移相器、激励器和存储器等中的广泛和潜在的应用,引...; 王叶安; 关键词：介电性铁磁性铁电性; 文献传递

ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性被引量：2: 2007年; 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.; 何欢秦福文吴爱民王叶安代由勇姜辛徐茵顾彪; 关键词：ECR-PEMOCVD 稀磁半导体 GAMNN 室温铁磁性居里温度

基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究被引量：3: 2008年; 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-Al2O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于c轴方向生长,薄膜保持很好的纤锌矿结构.表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)用来表征薄膜的磁性.SQUID分析表明,薄膜呈铁磁性,铁磁性仅可能来源于三元相GaMnN,薄膜的居里温度高于350K.而且,高Mn的含量可以提高薄膜的居里温度.; 王叶安秦福文吴东江吴爱民徐茵顾彪; 关键词：稀磁半导体铁磁性居里温度

ECR-PEMOCVD生长GaN基掺锰稀磁半导体的研究: 本文利用ECR-PEMOCVD(电子回旋共振-等离子体增强金属有机化学气相沉积)方法,采用二茂锰作为锰源,氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为镓源,在蓝宝石衬底上外延生长出具有一定Mn含量且晶质较好的GaMnN稀磁半导...; 秦福文吴爱民吴东江王叶安; 关键词：稀磁半导体薄膜 ECR-PEMOCVD 电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积; 文献传递

CoFe_2O_4/Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3异质结磁电复合薄膜的制备与多铁性能: 2017年; 利用射频磁控溅射法在Pt(200)/TiO_2/SiO_2/Si衬底上沉积CoFe_2O_4/Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3异质结层状磁电复合薄膜(Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3作为底层,CoFe_2O_4作为顶层)。X射线衍射表明CoFe_2O_4/Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3异质结复合薄膜是多晶的,由钙钛矿Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3相和尖晶石Co Fe2O4相组成。场发射扫描电镜表明在CoFe_2O_4薄膜和Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3薄膜之间有明显的界面。复合薄膜的介电常数随频率的变化关系显示了介电色散。复合薄膜表现为良好的铁电性和铁磁性共存。另外,复合薄膜具有直接的磁电耦合效应,磁电电压系数αE先随着偏置磁场Hdc的增大而增大,当偏置磁场Hdc增加到5.6 k Oe,复合薄膜达到最大的磁电电压系数,其值αE=8.7 m V/(cm·Oe),然后随着偏置磁场Hdc的进一步增大,磁电电压系数αE反而减小。; 王叶安傅雅卿李健文李未何玉平; 关键词：铁电性铁磁性磁电效应射频磁控溅射

ECR-PEMOCVD生长GaN基掺锰稀磁半导体的研究: 本文利用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机化学气相沉积）方法,采用二茂锰作为锰源,氮气作为氮源,三乙基镓（TEGa）作为镓源,在蓝宝石衬底上外延生长出具有一定Mn含量且晶质较好的GaMnN稀磁半导...; 秦福文吴爱民吴东江王叶安; 关键词：ECR-PEMOCVD GAMNN RHEED; 文献传递

稀磁半导体GaMnN薄膜的ECR-PEMOCVD生长和特性研究: 本论文是在国家自然科学基金/(GaN基稀磁半导体量子点的自组织生长与特性，项目批准号：60476008/)项目的支持下进行的。 GaN基稀磁半导体，尤其是GaMnN以其超过室温的居里温度和本底材料GaN...; 王叶安; 关键词：自旋电子学稀磁半导体 GAMNN 铁磁性; 文献传递

Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3/CoFe_2O_4异质结层状多铁复合薄膜的制备与性能: 2017年; 利用射频磁控溅射法在Pt(200)/TiO_2/SiO_2/Si(100)衬底上沉积Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3/CoFe_2O_4异质结层状多铁磁电耦合复合薄膜。Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3/CoFe_2O_4异质结复合薄膜为多晶,由钙钛矿Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3相和尖晶石CoFe_2O_4相组成。复合薄膜表现为良好的铁电性和铁磁性共存。在测量磁场平行于样品表面情况下测得的复合薄膜的饱和磁化强度(M_s)、剩余磁化强度(M_r)值要大于在测量磁场垂直于样品表面时测得的M_s、M_r值。另外,复合薄膜具有直接的磁电耦合效应,磁电电压系数αE先随着偏置磁场H_(dc)的增大而增大,当偏置磁场H_(dc)增加到445.8kA/m后,αE反而随偏置磁场的增加而减少。当偏置磁场H_(dc)=445.8kA/m时,复合薄膜具有最大的磁电电压系数αE=18.8mV/A。; 王叶安傅雅卿李健文李未何玉平; 关键词：铁电性铁磁性

溶胶-凝胶法制备薄膜时溶剂的选择被引量：1: 2014年; 以异丙醇、乙二醇、乙二醇甲醚和乙二醇乙醚4种有机物作为溶剂，采用溶胶-凝胶工艺在Si衬底上制备了钛酸锶钡（BST ）薄膜。利用分光光度计、XRD、SEM等手段对不同溶剂溶胶的透光率和BST薄膜的结构、形貌进行了表征，从溶胶-凝胶转变速度和制备的薄膜结晶质量等方面研究了溶剂对溶胶-凝胶法制备薄膜的影响。研究结果表明：用乙二醇乙醚为溶剂，经过1～3 d陈化后，BS T 薄膜质量较好；在溶胶-凝胶法制备薄膜中，选用黏度小、沸点高、蒸发热大的溶剂有利于形成致密度较高的薄膜。; 饶伟李定国王耘波王叶安于军; 关键词：BST薄膜溶胶-凝胶法溶剂

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王叶安