沈复初
- 作品数：16 被引量：45H指数：5
- 供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>
- 生产多种浓度富氧气的方法及装置
- 一种生产多种浓度富氧气的方法及装置，包括空气储气罐，两个吸附柱，产品气储气罐，空气储气罐经进气阀分别与两个吸附柱连通，两个吸附柱的排气阀通大气，两个吸附柱分别经出气阀、限流阀相连通后接产品气储罐，两个出气阀下端并联均压阀...
- 黄力平黄平沈复初
- 文献传递
- 铜表面气体渗硅后的滑动摩擦磨损研究被引量：6
- 1997年
- 本文对用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在铜表面进行化学热处理获得的含硅表层进行了摩擦磨损研究．结果表明，在铜表面生成的含硅层可以降低摩擦系数；在低负荷干摩擦条件下。
- 沈复初毛志远郦剑叶必光甘正浩晋圣发
- 关键词：渗硅铜化学处理渗硅
- 铜的表面改性热处理新方法初探被引量：1
- 1996年
- 本文介绍了含硅气氛下纯铜低温ＣＡＤ表面改性的高频感应加热设备，ＣＶＤ装置以及相应的测温装置和手段．进行了纯铜ＣＶＤ表面改性的初步研究．结果表明，在６００℃左右的温度下．利用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气在纯铜试样表面的热分解，能够获得铜－硅化合物表层，其硬度较基体有很大的提高．当形成铜硅固溶体时，硬度无明显变化．
- 沈复初叶必光郦剑毛志远甘正浩晋圣发
- 关键词：表面改性CVD铜
- 铜在含硅气氛中表面改性的化学热处理研究被引量：6
- 1996年
- 对铜在含硅气氛中低温沉积、随后进行扩散处理的表面化学热处理进行了研究。使用光学显微镜、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）仪、电子探针（ＥＰＭＡ）等对渗层进行了显微硬度、成分和结构分析，探讨了工艺参数对渗层的影响。研究结果表明，通过这种表面化学热处理可以在铜表面形成Ｃｕ５Ｓｉ和Ｃｕ１５Ｓｉ４，其硬度较基体有很大提高。
- 沈复初叶必光郦剑毛志远甘正浩晋圣发
- 关键词：表面改性化学热处理铜
- 生产多种浓度富氧气的方法及装置
- 一种生产多种浓度富氧气的方法及装置,包括空气储气罐,两个吸附柱,产品气储气罐,空气储气罐经进气阀分别与两个吸附柱连通,两个吸附柱的排气阀通大气,两个吸附柱分别经出气阀、限流阀相连通后接产品气储罐,两个出气阀下端并联均压阀...
- 黄力平黄平沈复初
- 文献传递
- 铜表面气体渗硅涂层的抗氧化性能研究被引量：7
- 1997年
- 对用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在Ｃｕ表面进行化学热处理获得的含硅涂层进行了抗氧化性研究．结果表明，纯铜表面含硅涂层的形成提高了材料的抗氧化性能．对含硅铜涂层的氧化机理进行了探讨．
- 沈复初毛志远郦剑叶必光甘正浩晋圣发
- 关键词：抗氧化性XPS铜
- 铜的表面含硅渗层的结构与性能被引量：16
- 1997年
- 本文综述了利用ＳｉＨ４／Ｈ２混合气体在纯铜表面获得的含硅渗层的结构和性能。试验结果表明：通过纯铜表面气体渗硅这一新的化学热处理方法，其表面获得含硅渗层，可以改善铜的表面摩擦磨损。
- 甘正浩毛志远沈复初郦剑叶必光
- 关键词：渗硅层抗氧化性铜
- 铝基底上SiO_x陶瓷膜层的CVD制备及结构性能被引量：2
- 2003年
- 本研究采用常压化学气相沉积(CVD)的方法在金属铝基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.介绍了陶瓷膜层的制备工艺及设备.通过SEM、TEM观察了该膜层的形貌,并用XPS测定了膜层的成分,用TEM分析了陶瓷膜层的结构特征.通过拉伸实验、划痕实验及弯曲实验考察了陶瓷膜层与铝基底的结合性能,结果表明,膜层与基底的结合非常好.
- 刘立郦剑叶必光沈复初
- 关键词：化学气相沉积法CVD膜结构
- 铜在SiH_4/H_2混合气氛中获得的渗硅层的抗氧化性能被引量：4
- 1997年
- 研究了用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在铜表面获得的渗硅层的抗氧化性，结果表明，纯铜表面渗硅层的形成提高了材料的抗高温氧化性能。本文对渗硅层的氧化机理进行了探讨。
- 沈复初毛志远郦剑叶必光
- 关键词：抗氧化性纯铜渗层
- 硅烷减压外延
- 1992年
- 本文研究了减压工艺对外延层质量的影响。在使用氢等离子体原位清洁过的硅衬底表面上,利用减压(200～250乇)工艺可以在980～1000℃的温度下生长出高质量外延层。衬底——外延层界面的掺杂浓度在8×10^(18)/cm^3到10^(14)/cm^3之间的过渡区从常压时的1.0μm减小到0.4μm;电阻率和厚度的不均匀性分别小于5％和4％;而且能明显地抑制硅烷的气相分解;极大地提高了外延层的结晶质量。
- 沈复初叶必光陈坚龚晨光
- 关键词：硅烷IC硅外延层
