您的位置： 专家智库 > >

梁凤敏

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：湖南大学更多>>
相关领域：一般工业技术动力工程及工程热物理理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇微晶硅
  • 4篇微晶硅薄膜
  • 4篇硅薄膜
  • 3篇溅射
  • 2篇离子束
  • 2篇离子束辅助
  • 2篇离子束辅助沉...
  • 2篇离子束溅射
  • 2篇离子束溅射沉...
  • 2篇晶化率
  • 2篇溅射沉积
  • 2篇硅靶
  • 1篇电池
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇沉积速率
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 4篇湖南大学

作者

  • 4篇梁凤敏
  • 3篇周灵平
  • 3篇彭坤
  • 3篇李德意
  • 3篇朱家俊
  • 2篇李绍禄

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置
本发明属于太阳能电池用微晶硅薄膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该方法包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积(IBS)或离子束辅助沉积(IBAD...
周灵平梁凤敏彭坤朱家俊李德意李绍禄
脉冲磁控溅射沉积微晶硅薄膜工艺研究被引量：1
2012年
采用脉冲磁控溅射法制备氢化微晶硅薄膜,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和四探针测试仪对薄膜结构和电学性能进行表征和测试,研究了衬底温度、氢气稀释浓度和溅射功率对硅薄膜结构和性能的影响。结果表明:在一定范围内,通过控制合适的衬底温度、增大氢气稀释浓度及提高溅射功率,可以制备高质量的微晶硅薄膜。在衬底温度为400℃、氢气稀释浓度为90%及溅射功率为180W的条件下制备的微晶硅薄膜,其晶化率为72.2%,沉积速率为0.48nm/s。
梁凤敏周灵平彭坤朱家俊李德意
关键词：微晶硅薄膜沉积速率
一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法
本发明属于太阳能电池用微晶硅薄膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该方法包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积(IBS)或离子束辅助沉积(IBAD...
周灵平梁凤敏彭坤朱家俊李德意李绍禄
文献传递
脉冲磁控溅射沉积微晶硅薄膜的研究
能源危机和环境污染是人类可持续发展面临的严峻问题，而太阳能电池作为光伏转换器件，能有效地解决这一难题。由于硅基薄膜太阳能电池在降低成本和提高转化效率方面具有巨大的潜力，已经引起了社会的广泛关注。微晶硅电池具有较高载流子迁...
梁凤敏
关键词：太阳能电池微晶硅薄膜磁控溅射
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0