柴广跃
- 作品数：83 被引量：103H指数：5
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：广东省教育部产学研结合项目国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学机械工程更多>>
- 基于半峰宽的发光二极管结温测量方法被引量：3
- 2020年
- 设计了一种采用普通光谱仪,基于光谱半峰宽(FWHM)方法测量LED结温测试系统。首先采用普通光谱仪测量在不同环境温度和正常工作的驱动电流下各色LED的相对光谱分布,由于光谱仪采集到光谱数据均是离散的,为了得到较为精确的半峰宽,需要在最强峰值Imax一半即0.5Imax处附近将离散的光谱峰形数据拟合成连续的峰形函数,便可计算出在不同温度下较为精确的FWHM,再经过一定的函数拟合,得到结温Tj与FWHM的函数关系。实验发现白光和蓝光LEDTj-FWHM函数线性关系均高于其他颜色的LED,并且其线性指数R^2均非常接近1,表明各色LED其结温Tj和半峰宽FWHM两参量具有较强的线性函数关系;利用Tj与FWHM的函数关系,便可计算出任意测量值FWHM所对应的LED结温。由于该方法采用正常的驱动电流,自加热效应不可忽略,为了减少光谱仪在固定反应时间内由自加热效应而引起的LED器件结温的升高和温控系统引入的温度偏差而带来的测量误差,选定某状态下的Tj与FWHM为基准状态,并采用逐点作差法得到相应的ΔTj和ΔFWHM,再将ΔTj和ΔFWHM拟合成相应的线性函数,得到定标函数,这样极大地减少由自加热效应和温控系统而引入的偏差。最后将本方法得出的测量结果与采用Mentor Graphics公司的T3Ster仪器测出的结果进行了比较,发现偏离2.5%,在完全可接受的误差范围内。结果表明所提出的采用半峰宽法测量LED结温测试方法的可行性。该方法克服了光谱法的峰值波长漂移过小,对测试结果带来较大误差的缺点,并且具有不破坏原有封装结构和不需要昂贵仪器的优点。
- 蒋福春何思宇刘远海刘文柴广跃李百奎彭冬生
- 关键词：功率型LED结温发光二极管FWHM
- 一种用于矢量模式信道的数据交换装置及方法
- 本发明公开了一种用于矢量模式信道的数据交换装置及方法，所述装置包括：依次设置在同一光轴上的第一偏振变换元件、第二偏振变换元件以及第三偏振变换元件，第一偏振变换元件用于将三个输入的矢量模式中不需要进行数据交换的第一矢量模式...
- 刘俊敏贺炎亮杨博程梦龙陈书青李瑛柴广跃张小明范滇元
- 文献传递
- LED芯片及LED芯片的制造方法
- 本发明公开了一种LED芯片及LED芯片的制造方法，LED芯片包括外延发光体、导热基板和导热缓冲层，导热缓冲层设置于导热基板的一侧，外延发光体键合至导热缓冲层，导热缓冲层的平均热膨胀系数介于导热基板和外延发光体之间。通过上...
- 柴广跃冯丹华刘文李倩珊徐健阚皞胡永恒张菲菲李耀东
- 文献传递
- 一种LED芯片
- 本实用新型公开了一种LED芯片。该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有一凹槽，凹槽内设置有第一电极；设置在第一半导体层上的第二半导体层；设置在第二半导体层上的第二电极。通过以上方式，...
- 柴广跃罗剑生刘文陈祖军刘志慧
- 文献传递
- 功率型发光二极管热沉及其方法
- 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种功率型发光二极管热沉，其包括一常温金属基底、金属电极层以及一位于该两膜层之间的常温原化生长而成的金属氧化陶瓷膜层。该热沉导热性好、连接强度高且成本低。本发明还提供了一种在常规温度下制造...
- 柴广跃郭宝平冯玉春何青瓦李华平
- 文献传递
- 一种陶瓷绝缘膜导热基板及其制作方法
- 本发明涉及电子及光电子封装技术领域，公开了一种陶瓷绝缘膜导热基板及其制作方法，由于采用对金属基板表面进行清洁和粗糙化处理，使金属基板表面形成凹凸不平的清洁表面；采用等离子喷镀或超声喷涂方法在金属基板表面喷涂一层陶瓷绝缘膜...
- 柴广跃雷云飞刘文黄长统王少华刘沛徐光辉
- 一种LED灯具
- 本实用新型公开了一种LED灯具，该LED灯具包括LED光源，该LED光源包括LED芯片、基板和导热薄膜层。LED芯片与导热薄膜层一侧热接触，基板与导热薄膜层的另一侧热接触。因导热薄膜层具有良好的横向导热效果，因此本实用新...
- 柴广跃李倩珊刘文廖世东阚皞肖充伊章锐华赵阳光熊龙杰
- 文献传递
- 一种基于坐标变换的OAM解复用装置及方法
- 本发明公开了一种基于坐标变换的OAM解复用装置及方法，所述装置包括：第一相位掩模板，用于对输入的多路携带信息的OAM光束进行光束复制，增加OAM光束的相位梯度后完成笛卡尔‑对数极坐标的变换，将带有螺旋相位梯度的同心圆状的...
- 陈书青林梓昂谢智强贺炎亮刘俊敏李瑛柴广跃范滇元
- 文献传递
- 基于ANSYS的大功率半导体光放大器的热分析
- 2008年
- 功率型半导体光放大器(High-Power Semiconductor Optical Amplifier,以下简称HP-SOA)在长距离自由空间光通信等领域有着诱人的应用前景,1550nm波段高速、大功率光源的需求日益增加,促进了HP-SOA技术的发展。随着输出功率的提高,HP-SOA热耗散功率也随之增加,其热特性对器件性能影响日趋明显,需及时散热。因此散热问题的解决是一个很关键的技术,高效率的器件散热结构设计十分必要。文章利用ANSYS有限元分析软件对输出光功率26dBm的大功率SOA器件的温度场分布进行了模拟和优化设计,为SOA封装材料、工艺方案的选择提供了依据,并据此进行了封装实验。
- 阳英柴广跃段子刚高敏张浩希
- 关键词：半导体光放大器温度分布热特性
- 高速雪崩光探测器同轴封装的高频分析被引量：5
- 2012年
- 基于频率响应理论模型,分析了同轴封装的雪崩光电探测器的高频特性.包含芯片、键合金丝、跨阻放大器和同轴管座等各部分的高频特性及对器件高频特性的影响.通过调节封装过程中不同键合金丝引入的电感参量,可以得到不同现象的频率响应.最后考虑实际工程条件,优化得到了10GHz的-3dB带宽的同轴封装雪崩光电探测器件.
- 徐光辉柴广跃彭金花黄长统段子刚谭科民
- 关键词：雪崩光电探测器同轴封装频率响应跨阻放大器
