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李越强

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇量子
  • 5篇量子点
  • 3篇电极
  • 3篇晶体管
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇第三电极
  • 2篇电池
  • 2篇动态随机存储...
  • 2篇三电极
  • 2篇闪存
  • 2篇砷化镓
  • 2篇势垒
  • 2篇双氧水
  • 2篇随机存储器
  • 2篇太阳电池
  • 2篇柠檬
  • 2篇柠檬酸
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇李越强
  • 8篇杨富华
  • 8篇王晓东
  • 7篇刘雯
  • 4篇陈燕玲
  • 3篇徐晓娜
  • 3篇陈燕凌
  • 1篇曾一平

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液
本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al<Sub>0.8～0.9</Sub>GaAs...
刘雯李越强王晓东陈燕凌杨富华
高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法
一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上...
李越强刘雯王晓东陈燕玲杨富华
一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实...
李越强王晓东徐晓娜刘雯陈燕玲杨富华
文献传递
利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法
一种利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在晶片表面涂布抗蚀剂；步骤2：采用飞秒激光直写技术，在抗蚀剂表面形成图形；步骤3：采用电子束蒸发技术，在图形的表面蒸发金属，使金属附着于图形的上面，同...
徐晓娜李越强王晓东杨富华
文献传递
高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法
一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上...
李越强刘雯王晓东陈燕玲杨富华
文献传递
内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究
2010年
研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线。在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的Ⅰ-Ⅴ特性,证明了量子点通过类似纳米悬浮栅的作用,对邻近沟道的二维电子气施加影响。在低温下观察到器件漏电流出现负微分电导现象。这一现象可由2DEG和量子点之间的共振隧穿来解释。这些结果提供了一种新的操作传统场效应晶体管的方法,并有望制成新型量子点存储器。
李越强刘雯王晓东陈燕凌杨富华曾一平
关键词：INAS量子点场效应晶体管
一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实...
李越强王晓东徐晓娜刘雯陈燕玲杨富华
对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液
本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al<Sub>0.8～0.9</Sub>GaAs...
刘雯李越强王晓东陈燕凌杨富华
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