朱天伟
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 多层强耦合量子点的研究现状
- 本文总结了强耦合InAs量子点电学特性和GaAs间隔层厚度的关系,用量子点间的非共振隧穿模型给出了完美的解释,并提出了生长柱形量子点的方法.
- 朱天伟徐波何军谢二庆王占国
- 关键词：量子点强耦合应变场柱形量子点电学特性
- 文献传递
- 多层垂直耦合InAs量子点发光性质的研究
- 对多层垂直耦合1.3μm发光InAs量子点的研究发现,由于层间应力的相互影响,量子点发光峰随层间间隔层厚度的增加会朝低能方向移动,这说明在制备多层耦合1.3μm量子点的时候我们必须考虑GaAs间隔层的厚度.
- 何军徐波朱天伟曲胜春刘峰奇王占国
- 关键词：量子点间隔层发光性质
- 文献传递
- InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究被引量：6
- 2004年
- 利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到 1 32和 1 4 μm ,而单层量子点的发光波长仅为 1 1μm ,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响 ,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法 .
- 朱天伟徐波何军赵凤瑷张春玲谢二庆刘峰奇王占国
- 关键词：砷化铟PL谱发光波长
- 具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究被引量：3
- 2003年
- 采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点 InAlAs浸润层结构 .通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当 ,从而使浸润层的量子阱特征消失 .通过低温光致发光 (PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点 InAlAs浸润层在样品中的确切位置 .变温PL谱的研究显示 ,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽 ,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为 .这是因为采用了InAlAs浸润层后 ,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用 ,同时切断了载流子的转移通道 ,使得量子点更加孤立后表现出来的性质 .
- 朱天伟张元常徐波刘峰奇王占国
- 关键词：自组装半导体
