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施锦行

作品数：9 被引量：46H指数：4
供职机构：中南工业大学应用物理与热能工程系更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇硅
  • 2篇单晶
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电阻
  • 2篇陶瓷
  • 2篇硅单晶
  • 2篇半导体
  • 2篇CZ硅单晶
  • 2篇GAN
  • 1篇大直径
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化物半导体
  • 1篇导体
  • 1篇电子器件
  • 1篇电阻率
  • 1篇室温
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇欧姆接触

机构

  • 9篇中南工业大学

作者

  • 9篇施锦行
  • 1篇佘思明
  • 1篇李冀东

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 2篇半导体情报
  • 2篇中国陶瓷

年份

  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
21世纪的硅器件及其新工艺被引量：2
1997年
描述了人工智能器件的特性，硅工艺未来发展趋势，以及全低温加工工艺对实现深亚微米（０．
施锦行
关键词：硅器件硅
纳米陶瓷的制备及其特性被引量：22
1997年
本文描述了纳米陶瓷的主要制备技术和某些独特的性能，并且对研究领域中出现的一些重要的问题进行了讨论。
施锦行
关键词：纳米陶瓷力学性能陶瓷
扩展电阻探针在硅材料研究上的应用被引量：2
1996年
主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。
李冀东施锦行佘思明
关键词：扩展电阻探针硅电阻率
GaN中杂质和缺陷的特性被引量：2
1998年
主要描述了ＧａＮ中施主和受主杂质的能级、氢在掺杂中的作用以及空位的某些特性，同时讨论了该领域未来的研究趋向。
施锦行
关键词：氮化镓半导体
GaN上的欧姆接触被引量：4
1999年
主要描述了在ｎ 型和ｐ 型ＧａＮ上制备欧姆接触的方法，分析了欧姆接触的特性及其形成机理，
施锦行
关键词：氮化镓欧姆接触接触电阻率功函数
CZ硅单晶中原生缺陷的特性被引量：6
1999年
描述了ＣＺ硅单晶中原生缺陷的分类、形成机理及它对相关器件性能的影响，并就其控制和消除的方法进行了讨论。
施锦行
关键词：硅
氮化铝的室温热导率被引量：1
1995年
本文导出了氮化铝室温热导率的一般表达式,对提高氮化铝陶瓷材料室温热导率的途径作了讨论。
施锦行
关键词：陶瓷材料氮化铝热导率室温
氮化物半导体的制备及其应用被引量：1
1996年
描述了氮化物半导体生长的一般特性以及某些重要的生长技术，指出氮化物半导体在微电子器件和光电子器件中的应用前景。
施锦行
关键词：氮化物半导体晶体生长电子器件
大直径CZ硅单晶的控氧技术被引量：6
1998年
描述了拉晶条件和磁拉法对大直径ＣＺ硅单晶中氧的控制作用，并讨论了近期发展的ＣＣＺ法和ＬＦＣＺ法中与控氧相关的问题。
施锦行
关键词：大直径硅单晶磁拉法
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