强蕾
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一个非晶InGaZnO薄膜晶体管线性区陷阱态的提取方法
- 2015年
- 非晶InGaZnO(a-IGZO)薄膜在制备过程中形成的缺陷和弱键以陷阱态的形式非均匀分布在a-IGZO的带隙中,这些陷阱态会俘获栅压诱导的电荷,影响a-IGZO薄膜晶体管线性区迁移率、沟道电子浓度等,进而影响线性区的电学性能.本文基于线性区沟道迁移率与沟道内的自由电荷与总电荷的比值成正比,分离出自由电荷以及陷阱态电荷.由转移特性和电容电压特性得到自由电荷以及陷阱态电荷对表面势的微分,分离出自由电子浓度和陷阱态浓度.通过对沟道层与栅绝缘层界面运用泊松方程以及高斯定理,考虑了沟道表面势与栅压的非均匀性关系,得出自由电子浓度以及陷阱态浓度与表面势的关系,最后通过陷阱态浓度与表面势求导得到线性区对应的态密度.
- 徐飘荣强蕾姚若河
- 关键词：薄膜晶体管迁移率
- 非晶半导体薄膜晶体管模型研究及参数提取
- 非晶硅(amorphous silicon,a-Si)薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)大面积制作时均匀性较好,且可以低温制造,被广泛应用于有源矩阵液晶显示器(Active-Matrix Li...
- 强蕾
- 关键词：非晶硅薄膜晶体管缺陷态
- 文献传递
- 非晶硅薄膜晶体管沟道中阈值电压及温度的分布被引量：3
- 2012年
- 基于氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)沟道中陷阱态的双指数分布,区分了带尾陷阱态和深能级陷阱态的特征温度.利用源端、漏端串联电阻及沟道电阻,将源端和漏端特征长度与有源层接触长度、SiO_2/氢化非晶硅(a-Si:H)界面陷阱态及a-Si:H薄膜内陷阱态联系起来.由串联电阻上电流密度相等解出沟道势.通过泊松方程和高斯定理得出a-Si:H TFT沟道各点的阈值电压表达式,结果表明沟道中某一点的阈值电压随着该点与源端距离的增大而减小.在此基础上,研究了自加热效应引起沟道各点温度的变化,结果显示a-Si:H TFT在自加热效应下,从源端到漏端各点温度变化先增大后减小,沟道中心的温度变化最大.
- 强蕾姚若河
- 关键词：非晶硅薄膜晶体管温度效应
