张涛
- 作品数：33 被引量：22H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信化学工程文化科学更多>>
- 氢分子在Ｃｕ（１００）表面的解离吸附
- 张涛谢建学
- 关键词：氢铜表面性质
- Pt中杂质对Pt-Si界面电子态的影响
- 1992年
- 用一维紧束缚近似和格林函数方法研究了金属中的替位杂质对金属Pt与半导体Si所形成界面电子态的影响。结果表明,当杂质的有效轨道能级△ε>0时,杂质的存在使得共振界面态密度减小,从金属流入半导体内的电荷减少;当△ε<0时,杂质的存在使得共振界面态密度增大,从金属流入半导体内的电荷增加。计算结果还表明,当△ε>0时,使孤立界面态能级下移;当△ε<0时,使孤立界面态能级上移。
- 孙建军张涛
- 关键词：格林函数半导体硅
- 半导体—金属—半导体双界面结构的电子态
- 1992年
- 本文用一个金属薄层夹在两个不同的半无限半导体之间的模型,在一个简立方金属和两个具有氯化铯结构的半导体的基础上发展了格林函数理论。首次得到了半导体—金属—半导体结构的格林函数。有了这些格林函数,可以使我们很容易地研究这样的系统所有的电子特性。作为应用例子,文中给出了局域界面态的计算。对两种特殊的半导体—金属—半导体双界面的研究表明,界面态可以存在,也可以不存在,取决于半导体的禁带和半导体与金属间的耦合强度。当存在界面态时,发现有两个界面态并且它们随金属薄层的原子层数的变化有一个非常相似于Ruderman-Kittel类型的振荡行为。
- 张耀举张涛
- 关键词：格林函数半导体金属
- 金属层厚对金属—半导体界面性质的影响
- 1992年
- 本文用一维紧束缚模型和格林函数方法研究了金属薄层的厚度对金屑一半导体界面电子态和界面能的影响。文中给出了计算局域电子态密度及界面能的公式,并以Pt-ZnO系统为例,计算了金属处于不同层厚时,界面处的电子态密度及界面能,讨论了薄层厚度对二者的影响。
- 谢剑钧张涛
- 关键词：格林函数金属半导体表面能
- CO和O在无序二元合金AgPd上的吸附
- 1991年
- 本文用一维紧束缚模型和单电子化学吸附理论.在平均 T 矩阵近似下,研究了CO 和 O 在 AgPd 合金上的化学吸附特性.结果表明:(1) 在 Pd 的浓度低于85%的范围内,O在 AgPd 合金上的吸附随 Pd 的浓度的增加而加强;在 AgPd 浓度比率为15:85时吸附最强;Pd 的浓度高于85%时,随 Pd 浓度的增加。O 在 AgPd 合金上的吸附略呈减弱趋势.(2) CO在 AgPd 合金上的吸附随 Pd 浓度的增加而增强.
- 杨宗献张涛
- 关键词：一氧化碳化学吸附合金
- 覆盖度对化学吸附的影响
- 1998年
- 运用格林函数方法，在紧束缚近似下讨论了一氧化碳在具有面心立方结构金属（Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ）密排面上的化学吸附能随覆盖度θ的变化关系，并与实验值作了比较。
- 危书义戴宪起张涛
- 关键词：覆盖度化学吸附格林函数
- H、O、CO、NO在Ni、Pt(111)面上吸附结构研究
- 1998年
- 利用紧束缚模型和单电子理论研究了Ｈ、Ｏ、ＣＯ和ＮＯ在Ｎｉ（１１１）和Ｐｔ（１１１）面上的吸附特性及吸附层结构，结果表明：在Ｎｉ、Ｐｔ面上吸附质间的间接相互作用能随着吸附质间的距离呈振荡性衰减趋势，在不同覆盖度下具有不同的吸附结构，其结果与实验结果相一致。
- 戴宪起危书义张涛
- 关键词：覆盖度
- 小分子在Pd(100)面上的共吸附被引量：2
- 1990年
- 本文应用紧束缚模型和单电子理论研究了几种小分子在Pd(100)面上的共吸附特性,结果表明:在Pd(100)面上两个吸附分子(或吸附原子)间的间接相互作用随吸附质与衬底之间的耦合强度的减小呈现振荡性衰减的趋势,并且,当O_2或H_2存在时,NO在Pd(100)面上的解离将受到影响,此外,根据两吸附质之间的间接相互作用,推断出一些吸附层结构,这些结果与实验结果作了比较。
- 张耀举路文昌张涛
- 关键词：小分子PD共吸附紧束缚模型
- 杂质对担载式催化剂化学吸附的影响
- 1990年
- 本文采用化学吸附的格林函数理论和复能量积分方法研究H在担载式催化剂ZnO/Ni上的化学吸附,使用由s轨道和p轨道交迭排列的有限原子链和由d轨道组成的半无限原子链,以描述半导体ZnO和金属Ni构成的复合衬底,用Koster-Slater模型来表示杂质原子,分别研究了化学吸附能随ZnO层厚度的变化和化学吸附能与掺杂的关系,结果表明:1)H的化学吸附能随ZnO层数的增加而单调地减小;2)在Ni中掺入杂质Cu和Pt会削弱H的化学吸附,而掺入Co和W将加强H的吸附;3)Ni中的杂质位于界面附近时对化学吸附能的影响最大。
- 张涛康敏成路文昌
- 关键词：催化剂化学吸附
- 双金属催化剂表面上的化学吸附被引量：1
- 1990年
- 本文应用Einstein和Schrieffer的化学吸附理论和复平面能量积分技术研究了紧束缚近似下原子(或分子)吸附在双过渡金属(纯净的和含杂的)上的化学吸附特征。对杂质,本文用了Koster和slater模型。数值运算例子通过对CO分别吸附在Ni/Cu、Cu/Ni、Cu/Ni(C_0)和Cu/Ni(Cu)上而给出。
- 张耀举张涛
- 关键词：双金属催化剂催化剂
